AI大模型芯片的“算力守门人” 在AI大模型驱动算力**的***,国产AI芯片(如寒武纪、壁仞)正加速替代英伟达GPU。然而,这些芯片内部集成了数千个AI**与高速互联总线,其功能复杂度与功耗控制要求极高。杭州国磊GT600 SoC测试机凭借400MHz测试速率与128M向量深度,可完整运行复杂的AI推理算法测试向量,验证NPU在真实负载下的计算精度与吞吐能力。其高精度PPMU能精确测量芯片在待机、轻载、满载等多场景下的动态电流,确保“每瓦特算力”达标。同时,杭州国磊GT600支持512站点并行测试,大幅提升量产效率,降低单颗芯片测试成本,为AI芯片大规模部署数据中心提供坚实支撑。可以说,杭州国磊GT600不仅是AI芯片的“质检员”,更是其从实验室走向万卡集群的“量产加速器”。国磊GT600可配置GT-DPSMV08电源板卡,提供-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力,覆盖多种模拟IC的供电测试场景。南通CAF测试系统工艺

环境应力测试兼容性,部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊(Guolei)GT600支持与温控探针台/分选机联动,通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选(ESS)。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部,确保在-40℃~125℃范围内稳定运行,满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场,但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊(Guolei)GT600作为国产高性能ATE,已在部分国内MEMS厂商中部署,用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成本,更避免因国际供应链波动影响产能,助力构建“MEMS设计—制造—封装—测试”全链条自主可控生态。虽然国磊SoC测试机不直接测试MEMS的机械结构(如谐振频率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析仪),但它精细覆盖了MEMS产品中占比70%以上的电子功能测试环节。随着MEMS向智能化、集成化、高精度方向发展,其配套SoC/ASIC的复杂度将持续提升,对测试设备的要求也将水涨船高。国磊(Guolei)GT600凭借高精度、高灵活性与国产化优势,正成为支撑中国MEMS产业高质量发展的关键测试基础设施。杭州国磊导电阳极丝测试系统国磊GT600的16个通用插槽支持数字、模拟、混合信号板卡混插,实现电源管理IC、传感器信号调理芯片的测试。

高精度模拟测试满足车规级信号完整性要求 智能驾驶系统高度依赖毫米波雷达、摄像头、激光雷达等传感器输入,其前端模拟信号链对噪声、失真和时序精度极为敏感。杭州国磊GT600配备的GT-AWGLP02 AWG板卡具备-122dB THD与110dB SNR指标,可精细生成高质量模拟激励信号;而GT-TMUHA04时间测量单元则提供10ps分辨率与时序误差*±10ps的测量能力。这些高精度模拟与混合信号测试功能,使得GT600能够***验证AD/DA转换器、高速SerDes接口及电源管理模块在极端工况下的性能表现,确保智能驾驶SoC在真实道路环境中稳定可靠运行。
智能驾驶对高性能SoC芯片的依赖日益加深。随着L2+至L4级自动驾驶技术的快速演进,车载计算平台对SoC(系统级芯片)的性能、可靠性与实时性提出了前所未有的高要求。这些SoC通常集成了CPU、GPU、NPU、ISP及**AI加速单元,用于处理多传感器融合、路径规划与决策控制等复杂任务。然而,如此复杂的芯片架构对测试环节构成了巨大挑战。杭州国磊GT600 SoC测试机凭借高达400 MHz的测试速率、512至2048个数字通道以及每通道高达128M的向量存储深度,能够高效覆盖智能驾驶SoC在功能验证阶段所需的高并发、高精度测试场景,为芯片从设计到量产提供坚实保障。AI边缘计算SoC用于机器人、穿戴设备MCU+AI架构芯片,GT600通过nA级PPMU、TMU支持端侧AI低功耗可靠性测试。

杭州国磊(Guolei)SoC测试系统(以GT600为**)虽主要面向高性能系统级芯片(SoC)的数字与混合信号测试,但凭借其高精度模拟测量、灵活电源管理、高速数字接口验证及并行测试能力,能够有效支持多种MEMS(微机电系统)。以下是其具体支持的典型MEMS应用场景:1.惯性测量单元(IMU)IMU广泛应用于智能手机、无人机、AR/VR设备及智能驾驶系统,通常集成3轴加速度计+3轴陀螺仪(6DoF)甚至磁力计(9DoF)。其配套ASIC需完成微弱电容信号调理、Σ-ΔADC转换、温度补偿和SPI/I²C通信。杭州国磊(Guolei)支持点:利用24位高精度Digitizer板卡捕获nV~μV级模拟输出;通过TMU(时间测量单元)验证陀螺仪响应延迟与带宽;使用400MHz数字通道测试高速SPI接口时序(眼图、抖动);PPMU每引脚**供电,精确测量各工作模式功耗。 国磊GT600SoC测试机可用于执行电压裕量测试(VoltageMargining),评估芯片在电压波动下的稳定性。上海导电阳极丝测试系统哪家好
国磊GT600SoC测试机边沿精度(EPA)达100ps,确保HBM高速信号建立/保持时间(Setup/Hold)的精确测量。南通CAF测试系统工艺
5G/6G通信芯片的“时序显微镜” 5G/6G基站与终端芯片对信号时序精度要求极高,微小抖动即可导致通信中断。杭州国磊GT600配备高精度TMU(时间测量单元),分辨率高达10ps(0.01纳秒),相当于光在3毫米内传播的时间,能精细捕捉高速信号边沿的微小偏移。这一能力对于验证基带芯片、射频前端、AD/DA转换器的时序一致性至关重要。杭州国磊GT600还可通过可选AWG板卡生成高保真模拟信号,测试芯片在复杂调制模式下的响应性能。其400MHz测试速率与100ps边沿精度,确保能覆盖PCIe、USB、MIPI等高速接口的协议测试需求。在通信技术快速迭代的背景下,杭州国磊GT600以“皮秒级”测量能力,为国产通信芯片的性能与稳定性提供精细验证,助力中国在6G赛道抢占先机。南通CAF测试系统工艺
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...