面对AI架构日新月异(如存算一体、稀疏计算、类脑芯片),测试平台必须具备高度灵活性。GT600采用开放软件架构,支持C++、Python及Visual Studio开发环境,允许用户自定义测试逻辑、数据分析模块与自动化脚本。高校、初创企业甚至“六小龙”中的技术团队均可基于GT600快速搭建专属验证方案,无需依赖封闭厂商的黑盒工具链。这种开放性极大缩短了从算法原型到芯片验证的周期,使杭州成为AI芯片创新的“快速试验田”。GT600不仅是量产设备,更是推动中国AI底层硬件从“跟随”走向“原创”的创新引擎。国磊GT600SoC测试机可以通过GPIB/TTL接口联动探针台与分选机,实现全自动测试。高性能CAF测试系统定制价格

MEMS射频开关与滤波器(RFMEMS)用于5G通信前端模块,具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件,但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊(Guolei)支持点:测试驱动IC的开关时序(TMU精度达10ps);验证控制逻辑与使能信号的数字功能;测量驱动电压(可达7V)与静态/动态功耗;虽不直接测S参数,但可确保控制电路可靠性,间接保障RF性能。光学MEMS(如微镜、光开关)应用于激光雷达(LiDAR)、投影显示(DLP替代)、光通信。其驱动ASIC需提供高精度PWM或模拟电压控制微镜偏转角度。杭州国磊(Guolei)支持点:AWG输出多通道模拟控制波形,验证微镜响应一致性;TMU测量开关建立时间与稳定时间;数字通道验证SPI配置寄存器功能;支持多通道同步测试,适配阵列式MEMS微镜模组。 SIR测试系统参考价国磊GT600在电源门控测试中,通过其高精度测量能力与灵活测试架构,适配成熟到先进节点的工艺制程。

高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。
杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色,其应用贯穿从研发验证到量产的全过程,精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先,国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU(参数测量单元)可精确测量nA级静态漏电流(Iddq),这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效,国磊GT600通过精密筛查,确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”,大幅提升产品早期可靠性。 其次,国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试(HTOL)中,国磊GT600可配合温控系统,在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上,验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统,验证电源管理单元(PMU)在电压波动、负载突变下的响应能力,防止“掉电重启”。国磊GT600测试机搭载GTFY软件系统,支持C++编程与VisualStudio开发环境,便于工程师深度定制测试逻辑。

每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引脚级”测量能力,让杭州国磊GT600成为芯片可靠性的“***守门人”。国磊GT600通过SMU或Digitizer监测目标电源域电压,若在门控关闭后电压仍维持非零值,表明电源未真正切断。赣州CAF测试系统
国磊GT600SoC测试机通过地址/数据生成器验证片上存储器(RAM/ROM)或寄存器配置接口完成ALPG测试。高性能CAF测试系统定制价格
医疗成像芯片 CT、MRI、内窥镜等设备的图像传感器(CIS)和图像信号处理器(ISP)对图像质量要求极高。国磊GT600可通过高速数字通道测试ISP的图像处理算法(如降噪、边缘增强),并通过AWG注入模拟图像信号,验证成像链路的完整性与色彩还原度。 4. 植入式医疗设备芯片 心脏起搏器、神经刺激器等植入设备的芯片必须**功耗、超高可靠。国磊GT600的FVMI模式可精确测量uA级静态电流,筛选出“省电体质”芯片;其支持长时间老化测试,可模拟10年以上使用寿命,确保植入后万无一失。 综上,国磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”测试能力,为国产**医疗芯片的上市提供了坚实的质量保障。高性能CAF测试系统定制价格
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...