国磊(Guolei)的SoC测试机(如GT600)虽然主要面向高性能系统级芯片(SoC)的数字、模拟及混合信号测试,但其技术能力与MEMS(微机电系统)领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊(包含机械微结构、传感器/执行器等),但在实际应用中,绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装(如惯性测量单元IMU、麦克风、压力传感器等),而这些配套电路的测试正是国磊SoC测试机的**应用场景。MEMS-ASIC协同封装的测试需求,现代MEMS产品极少以“裸传感器”形式存在,通常采用MEMS+ASIC的异质集成方案。例如,加速度计/陀螺仪中的MEMS结构负责感知物理量,而配套的ASIC则完成信号调理、模数转换、温度补偿和数字接口输出。这类ASIC往往具备高精度模拟前端(如低噪声放大器、Σ-Δ ADC)、可编程增益控制和I²C/SPI数字接口,属于典型的混合信号SoC。 国磊GT600配备24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引脚参数测量单元及TMU时间测量功能,可***验证此类MEMS配套ASIC的线性度、噪声性能、时序响应和电源抑制比,确保传感器整体精度与可靠性。国磊GT600SoC测试机400MHz测试速率可覆盖HBM2e/HBM3接口逻辑层的高速功能验证。上海导电阳极丝测试系统定制价格

高通道密度(512~2048数字通道)——适配复杂AISoC引脚规模,现代AI芯片引脚数常超2000(如集成HBM堆栈、多核NPU、多电源域),传统测试设备通道不足。支持**多2048个数字通道,可一次性完成全引脚并行测试,避免分时复用导致的测试盲区。满足寒武纪、壁仞、华为昇腾等国产AI芯片的高集成度测试需求,助力其快速进入数据中心与边缘计算市场。超大向量深度(**高128M/通道)——实现真实AI负载场景回放,AI推理/训练涉及复杂算法流(如Transformer、CNN),需长时间、高覆盖率的功能验证。128M向量存储深度支持完整运行真实AI工作负载测试向量,捕获边界条件下的功能异常或功耗峰值。不仅验证逻辑功能,更能模拟实际应用场景,提升芯片可靠性,加速客户产品上市周期。 国磊PCB测试系统生产厂家国磊GT600可使用AWG生成模拟输入信号,Digitizer捕获输出,计算INL、DNL、SNR、THD等指标。

推动测试设备产业链协同发展,国磊(Guolei)GT600的研发带动了国内精密仪器、高速PCB、FPGA逻辑、高精度ADC/DAC等上游元器件的需求,促进本土供应链成长。例如,其高精度TMU板卡依赖低抖动时钟源和皮秒级时间数字转换器(TDC),这类**部件的国产化也在同步推进。这种“以用促研、以研带产”的良性循环,有助于构建完整的国产半导体测试装备产业链,从根本上提升供应链的自主性和可持续性。国磊(Guolei)SoC测试系统不仅是技术工具,更是国家半导体供应链安全体系中的关键基础设施。它通过实现**测试设备的国产替代、支撑国产芯片自主创新、保障敏感数据安全、促进上下游协同,构筑起一道抵御外部风险的“技术护城河”。在中美科技博弈长期化的趋势下,像GT600这样的国产**ATE,将成为中国打造安全、可靠、高效半导体产业链不可或缺的战略支点。
可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电,对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标,可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流(Iddq),相当于每秒流过数亿个电子的微小电流,能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式,杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗,验证其电源门控(Power Gating)与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时,杭州国磊GT600支持混合信号测试,可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场,杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力,为国产芯片的用户体验提供底层保障。国磊GT600每通道集成PPMU支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV多种模式,满足运放、比较器等模拟器件特性测试需求。

现代AI芯片集成度极高,动辄拥有上千引脚,传统测试设备因通道数量不足,往往需分时复用或多轮测试,不仅效率低下,还可能遗漏关键时序问题。杭州国磊GT600比较高支持2048个数字通道,可一次性完成全引脚并行测试,确保高速数据总线、多核NPU互连、HBM内存接口等复杂结构的功能完整性与时序一致性。这一能力对寒武纪、壁仞、燧原等国产AI芯片企业尤为重要。在大模型训练芯片追求***带宽与低延迟的***,GT600的高通道密度成为验证真实工作负载下系统稳定性的关键工具,大幅缩短芯片从流片到量产的周期,助力国产AI算力快速落地数据中心与边缘场景。国磊GT600每通道集成PPMU,支持HBM相关I/O引脚的漏电流(Leakage)、VIH/VIL、VOH/VOL等DC参数测量。扬州CAF测试系统按需定制
国磊GT600每通道集成PPMU,支持nA级电流分辨率,可精确测量SoC在睡眠、深度睡眠或关断模式下的静态漏电流。上海导电阳极丝测试系统定制价格
杭州国磊GT600提供高达128M的向量存储深度,相当于可存储1.28亿个测试步骤,这是保障复杂芯片测试完整性的关键。现代SoC的测试程序极为庞大,如AI芯片运行ResNet-50模型推理、手机SoC执行多任务调度、通信芯片处理完整5G协议栈,这些测试序列动辄数百万甚至上千万向量。若向量深度不足,测试机需频繁从硬盘加载数据,导致测试中断、效率骤降。杭州国磊GT600的128M深度可将整个测试程序一次性载入内存,实现“全速连续运行”,避免性能瓶颈。在工程调试阶段,长向量也便于复现偶发性失效。对于需要长时间稳定性测试的车规芯片,128M空间可容纳老化测试的完整循环序列。这一参数确保杭州国磊GT600能应对未来更复杂的芯片验证需求。上海导电阳极丝测试系统定制价格
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...