环境应力测试兼容性,部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊(Guolei)GT600支持与温控探针台/分选机联动,通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选(ESS)。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部,确保在-40℃~125℃范围内稳定运行,满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场,但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊(Guolei)GT600作为国产高性能ATE,已在部分国内MEMS厂商中部署,用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成本,更避免因国际供应链波动影响产能,助力构建“MEMS设计—制造—封装—测试”全链条自主可控生态。虽然国磊SoC测试机不直接测试MEMS的机械结构(如谐振频率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析仪),但它精细覆盖了MEMS产品中占比70%以上的电子功能测试环节。随着MEMS向智能化、集成化、高精度方向发展,其配套SoC/ASIC的复杂度将持续提升,对测试设备的要求也将水涨船高。国磊(Guolei)GT600凭借高精度、高灵活性与国产化优势,正成为支撑中国MEMS产业高质量发展的关键测试基础设施。精确的阈值判定,及时报警,有效保护您的样品。导电阳极丝测试系统供应

国磊(Guolei)的SoC测试机(如GT600)虽然主要面向高性能系统级芯片(SoC)的数字、模拟及混合信号测试,但其技术能力与MEMS(微机电系统)领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊(包含机械微结构、传感器/执行器等),但在实际应用中,绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装(如惯性测量单元IMU、麦克风、压力传感器等),而这些配套电路的测试正是国磊SoC测试机的**应用场景。MEMS-ASIC协同封装的测试需求,现代MEMS产品极少以“裸传感器”形式存在,通常采用MEMS+ASIC的异质集成方案。例如,加速度计/陀螺仪中的MEMS结构负责感知物理量,而配套的ASIC则完成信号调理、模数转换、温度补偿和数字接口输出。这类ASIC往往具备高精度模拟前端(如低噪声放大器、Σ-Δ ADC)、可编程增益控制和I²C/SPI数字接口,属于典型的混合信号SoC。 国磊GT600配备24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引脚参数测量单元及TMU时间测量功能,可***验证此类MEMS配套ASIC的线性度、噪声性能、时序响应和电源抑制比,确保传感器整体精度与可靠性。国磊PCB测试系统价格国磊GT600可选ALPG功能,生成地址/数据序列,用于测试集成了EEPROM或配置寄存器的模拟前端(AFE)芯片。

MEMS射频开关与滤波器(RFMEMS)用于5G通信前端模块,具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件,但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊(Guolei)支持点:测试驱动IC的开关时序(TMU精度达10ps);验证控制逻辑与使能信号的数字功能;测量驱动电压(可达7V)与静态/动态功耗;虽不直接测S参数,但可确保控制电路可靠性,间接保障RF性能。光学MEMS(如微镜、光开关)应用于激光雷达(LiDAR)、投影显示(DLP替代)、光通信。其驱动ASIC需提供高精度PWM或模拟电压控制微镜偏转角度。杭州国磊(Guolei)支持点:AWG输出多通道模拟控制波形,验证微镜响应一致性;TMU测量开关建立时间与稳定时间;数字通道验证SPI配置寄存器功能;支持多通道同步测试,适配阵列式MEMS微镜模组。
国磊GT600搭载GTFY软件系统,支持C++编程与VisualStudio开发环境,工程师可编写脚本实现:自动化扫描电压/频率组合(DVFS验证);循环执行睡眠-唤醒-满载测试序列;实时采集功耗数据并生成STDF/CSV报告;大幅提升测试效率与数据可追溯性,助力AI芯片从设计到量产的闭环优化。AI服务器市场的爆发,本质是算力与功耗的持续博弈。国磊GT600并未追逐“算力测试”的表层热点,而是深入电源管理与功耗验证这一关键底层环节,以nA级漏电检测、多域电源控制、动态功耗分析与高并行量产能力,成为AI芯片可靠性与能效比验证的**测试基础设施。国磊GT600尤其适用于对漏电控制要求严苛的低功耗SoC,是国产高ji芯片研发与量产验证的重要支撑工具。

低功耗SoC在先进工艺下表现出更复杂的漏电行为、更敏感的电源完整性需求、更精细的时序窗口,以及混合信号模块(如PLL、ADC、LDO)的高精度验证要求。传统测试设备往往难以满足这些需求,尤其是在静态电流(IDDQ)、电压裕量测试、动态功耗曲线、唤醒延迟、电源序列控制等关键参数的测量上。此时,国磊GT600测试机的价值凸显。GT600支持每通道PPMU(ParametricPinMonitorUnit),可实现nA级静态电流测量,**捕捉先进工艺下SoC的漏电异常,确保低功耗模式(Sleep/DeepSleep)的有效性。其可选配的高精度浮动SMU板卡支持-2.5V~7V宽电压范围与1A驱动能力,可用于DVFS电压切换测试与电源域上电时序验证。电源门控模块在唤醒时快速供电进入状态。GT600利用GT-TMUHA04测量从门控信号到模块输出有效信号的时间。广东绝缘电阻测试系统现货直发
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高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。导电阳极丝测试系统供应
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...