工业物联网的“量产引擎” 工业物联网(IIoT)设备对芯片的可靠性与成本极为敏感,且需求量大。杭州国磊GT600的512站点并行测试能力,可一次测试512颗MCU或传感器芯片,极大提升测试吞吐量,***降低单颗测试成本。据行业测算,同测数每翻一倍,测试成本可下降30%以上。杭州国磊GT600支持长时间老化测试,筛选出能在高温、高湿、强电磁干扰环境下稳定运行的“工业级”芯片。其GTFY系统支持STDF数据导出,可无缝对接工厂MES系统,实现良率分析与智能制造。杭州国磊GT600以“高效率、高可靠、低成本”的优势,为国产IIoT芯片的大规模量产提供强大引擎,助力中国智造走向全球。国磊GT600SoC测试机的10ps分辨率TMU可用于验证先进节点下更严格的时序窗口,如快速唤醒与电源切换延迟。金门导电阳极丝测试系统研发公司

环境应力测试兼容性,部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊(Guolei)GT600支持与温控探针台/分选机联动,通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选(ESS)。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部,确保在-40℃~125℃范围内稳定运行,满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场,但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊(Guolei)GT600作为国产高性能ATE,已在部分国内MEMS厂商中部署,用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成本,更避免因国际供应链波动影响产能,助力构建“MEMS设计—制造—封装—测试”全链条自主可控生态。虽然国磊SoC测试机不直接测试MEMS的机械结构(如谐振频率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析仪),但它精细覆盖了MEMS产品中占比70%以上的电子功能测试环节。随着MEMS向智能化、集成化、高精度方向发展,其配套SoC/ASIC的复杂度将持续提升,对测试设备的要求也将水涨船高。国磊(Guolei)GT600凭借高精度、高灵活性与国产化优势,正成为支撑中国MEMS产业高质量发展的关键测试基础设施。湖州SIR测试系统定制国磊GT600在400MHz速率下测试SerDes、GPIO、I2C、SPI、UART等接口的通信功能完成高速接口功能验证。

现代手机SoC普遍集成ADC、DAC、PLL、LDO等模拟模块,用于传感器融合、音频处理和电源管理。GT600支持GT-AWGLP02(THD-122dB)和高分辨率Digitizer板卡,可用于AI驱动的语音识别、图像信号处理链路的动态性能测试。其20/24bit分辨率支持INL、DNL、SNR等关键指标的精确测量,确保端侧AI感知系统的信号完整性。国磊GT600测试机的16插槽模块化架构允许数字、AWG、TMU、SMU板卡混插,实现从CPU到NPU再到模拟前端的一站式测试,避免多设备切换带来的效率损失与数据割裂。
数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下,数据中心能耗成为焦点,芯片能效比(Performance per Watt)成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗,结合FVMI(强制电压测电流)模式,绘制完整的功耗-性能曲线,帮助设计团队优化电压频率调节(DVFS)策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落,防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试,模拟数据中心7x24小时运行场景,筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本,适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者,更是能效的“精算师”,助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。国磊GT600测试机模块化16插槽架构可同时集成数字、AWG、TMU、Digitizer板卡,实现HBM系统级混合信号测试。

AISoC的NPU模块不**需要功能验证,更需精确的参数测试与功耗评估。国磊GT600测试机配备每通道PPMU,可实现nA级静态电流(IDDQ)测量,**识别AI芯片在待机、低功耗模式下的漏电异常。其可选配高精度浮动SMU板卡,支持多电源域**供电与电流监测,用于验证DVFS(动态电压频率调节)和电源门控(PowerGating)策略的有效性。此外,国磊GT600测试机的GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率,可精确测量NPU唤醒延迟、中断响应时间等关键时序参数,确保AI任务的实时性与响应速度。国磊GT600SoC测试机可以通过GPIB/TTL接口联动探针台与分选机,实现全自动测试。深圳PCB测试系统研发公司
国磊GT600在电源门控测试中,通过其高精度测量能力与灵活测试架构,适配成熟到先进节点的工艺制程。金门导电阳极丝测试系统研发公司
手机续航是用户体验的生命线,而功耗控制的**在于SoC芯片的“健康度”与“效率”。国磊GT600凭借其每通道**PPMU(精密参数测量单元),可对芯片每个引脚进行nA(纳安)级静态电流(Iddq)测量,相当于为芯片做“微电流心电图”,精细识别因制造缺陷导致的微小漏电——这些“隐形耗电大户”在待机时也会悄悄吞噬电量。通过筛查剔除“高漏电”芯片,国磊GT600确保只有“省电体质”的质量芯片进入量产。不仅如此,国磊GT600支持FVMI(强制电压测电流)模式,可在不同电压条件下模拟真实使用场景——如游戏高负载、多摄像头同时工作、5G高速下载等——动态测量芯片功耗曲线,验证其电源管理单元是否能智能调节电压频率,实现性能与功耗的比较好平衡。同时,其FIMV(强制电流测电压)模式还能检测芯片在极限负载下的电压跌落,防止因供电不稳导致死机或重启。通过静态+动态、微观+宏观的功耗全景测试,国磊GT600可以为国产手机SoC筑起“续航防火墙”,让每一毫安时电量都用在刀刃上。金门导电阳极丝测试系统研发公司
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...