山东压敏电阻MOV电路图

压敏电阻的特性：正常Vcc电压是没问题的，但是，如果突然天空打雷闪电，刚好击中电网上，那么此时电网会产生一个很高的尖峰电压。虽然电网上会有防雷器，但是防雷器也是不能100%吸收掉所有尖峰的，那么是不是肯定还会有残留能量。如果这个残留尖峰电压超过470V，那么此时压敏电阻上的内阻，就会急剧变小的。此时就把这个尖峰电压给钳位了。如果有尖峰电压过来，压敏电阻钳位了这个尖峰电压，12V的Vcc电压，把雷电残留电压钳位在470V，合不合适呢？那这个电流是不是也很大？470V相当于没有钳位啊，该烧的都已经烧掉了，所以啊，压敏电阻存在一个选型问题了。 高功率型：是指用于吸收周期出现的连续脉冲群的压敏电阻器，例如并接在开关电源变换器上的压敏电阻。山东压敏电阻MOV电路图

压敏电阻器的晶相

ZnO压敏陶瓷是以Zn为主体添加若于其它氧化物改性的烧结体。氧化物添加剂除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界。ZnO是n型半导体，它是构成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界相。因此，ZnO半导体陶瓷是多相陶瓷。图，它们的化学式及各种相的掺杂。(1)ZnO相:构成ZnO半导体陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型电导特性，不同方法测试得到室温电阻率为()Ω·cm;ZnO晶粒对V-I特性的影响，尤其在大电流情况下，ZnO晶粒上产生的压降更有决定性影响。(2)尖晶石相:尖晶石相是不连续的，该相和ZnO以及富铋相在高温下并存，因此它对各相的分配起作用，使富铋相有个特定的组成。又由于它在ZnO晶粒边界凝结，能够抑制ZnO晶粒的生长。(3)焦绿石相:该相也是不连续的，主要是在高温烧结时与ZnO形成富铋相。(4)富铋相:富铋相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相烧结成陶瓷。又由于富铋相在晶界层中结晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富铋相有产生高α值的作用。 山东压敏电阻MOV电路图压敏电阻的响应时间为ns级。

氧化锌压敏电阻器的瓷体，属于半导体，包括了94％-98％的氧化锌和2-6％的添加剂(例如，氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镍、氧化锑、氧化硼、氧化铬、氧化硅等氧化物)。但是，氧化锌压敏电阻器的表面电阻率低和存在氧化物颗粒，电镀时容易产生金属ni和sn镀在瓷体上，即产生“爬镀”现象，从而使两个端电极短路，导致变阻器成为导体。为避免爬镀现象的发生，一般需要对瓷体进行表面处理，使其表面绝缘化，且不易产生爬镀。玻璃包封工艺，是一种常用的表面处理技术，具体是先制备玻璃粉，以玻璃粉为主要成分加入有机添加剂等制备成玻璃浆料，然后通过喷涂设备对产品进行多面多次的喷涂方式在电子元器件上包覆一层绝缘玻璃层。这种方法工艺不仅繁琐、操作次数多，需要特定的喷涂设备和装置，而且在喷涂浆料的过程中，容易出现浆料流挂、不均匀的现象，导致后续电镀出现爬镀、烧结后产品外观出现凹坑、粘片、脱落等问题。高分子绝缘材料进行涂覆包裹的方法在实际生产中也需要特定的夹具和设备，操作要求高，对于小型化器件处理不利于操作。显然，这两种表面处理的使用方面受到了限制，并不适用于简单、批量化处理电子元器件。

MOV的特点：MOV特点具有较强的浪涌吸收能力，MOV在8/20μs波形的通流范围为几百安培至几十千安培，我司直径为53mm的MOV单体在8/20μs波形的单次通流量可达70kA；压敏电压范围为18V~1800V，电压精度通常为±10%，满足低压到高压的应用需求；MOV具有双向对称的击穿电压特性，常用于交变电源线或低频信号线的保护；MOV尺寸多样化，我司可提供直径尺寸为5mm~53mm的MOV；MOV是一种老化型元器件，用于大功率电源保护时常与陶瓷气体放电管（GDT）或玻璃气体放电管（SPG）串联使用，以减缓MOV的老化，延长MOV使用寿命。压敏电阻是一种性价比非常高的电路保护器件。

压敏电阻比较大允许电压（比较大限制电压MAXIMUMALLOWABLEVOLTAGE）此电压分交流和直流两种情况，如为交流，则指的是该压敏电阻所允许加的交流电压的有效值，以ACrms表示，所以在该交流电压有效值作用下应该选用具有该比较大允许电压的压敏电阻，实际上V1mA与ACrms间彼此是相互关联的，知道了前者也就知道了后者，不过ACrms对使用者更直接，使用者可根据电路工作电压，可以直接按ACrms来选取合适的压敏电阻。在交流回路中，应当有：min(U1mA)≥(2.2~2.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了保证压敏电阻在电源电路中应用时，有适当的安全裕度。对直流而言在直流回路中，应当有：min(U1mA)≥(1.62)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。在信号回路中时，应当有：min(U1mA)≥(1.21.5)Umax，式中Umax为信号回路的峰值电压。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。压敏电阻的相应时间为25ns.山东压敏电阻MOV电路图

压敏电阻具有多种浪涌承受能力，分别有标准、高浪涌、超高浪涌。山东压敏电阻MOV电路图

压敏电阻比较大限制电压(CLAMPINGVOLTAGE(MAX.))：比较大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的，通常冲击电流Ip值较大，例如2.5A或者10A，因而压敏电阻对应的比较大限制电压Vc相当大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A时。）压敏电阻的比较大限制电压与流过压敏电阻的瞬时电流有关，电流越大，限制电压也越大。山东压敏电阻MOV电路图