防雷用压敏电阻MOV通流量

压敏电阻的特性：正常Vcc电压是没问题的，但是，如果突然天空打雷闪电，刚好击中电网上，那么此时电网会产生一个很高的尖峰电压。虽然电网上会有防雷器，但是防雷器也是不能100%吸收掉所有尖峰的，那么是不是肯定还会有残留能量。如果这个残留尖峰电压超过470V，那么此时压敏电阻上的内阻，就会急剧变小的。此时就把这个尖峰电压给钳位了。如果有尖峰电压过来，压敏电阻钳位了这个尖峰电压，12V的Vcc电压，把雷电残留电压钳位在470V，合不合适呢？那这个电流是不是也很大？470V相当于没有钳位啊，该烧的都已经烧掉了，所以啊，压敏电阻存在一个选型问题了。 压敏电阻承受的异常过电压特性的不同，可将压敏电阻区分为浪涌抑制型、高功率型和高能型这三种类型。防雷用压敏电阻MOV通流量

压敏电阻的控制电压：控制电压一般是写成Vop=Operatingvoltage，控制电压是指压敏电阻器两端所能承受的高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻时次两端所产生的电压，此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的控制电压（Vp）（残压）一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的。一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称压敏电压，即使在电源波动情况坏时，也不应高于额定值中选择的连续工作电压，该连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC。防雷用压敏电阻MOV通流量压敏电阻电压范围一般为18V至1800V。

贴片压敏电阻与TVS二极管的区别：贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。 主要采用积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。 而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。 在二极管中，也有使用Au丝等的情况。从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。压敏电阻和TVS二极管的静电容量幅度大不相同。 由于贴片压敏电阻采用积层结构，所以可以通过增加内部电极的层数，增加静电容量。 用EIA0805以下的尺寸进行比较时，静电容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必须并联放入MLCC的线路中，也有可以用单个贴片压敏电阻应对的情况。

压敏电阻常常与保护元件并联使用，要是放在电源入口处基本在保险丝后面，当压敏电阻失效后保险丝可以起到保护作用。而热敏电阻在高压回路中一般是上电瞬间限流，单独串在电路中一般选用NTC负温度系数热敏电阻。一般电源的工作电压为85~265V，比较大应该也不会300V（小于压敏的连续工作电压），国内的标准电压为220V。压敏电阻电压选择：V1mA=1.5Vpp=2.2VAC，Vpp为额定峰值电压（根号2xVAC）。VAC为交流有效值。其中的1.5与2.2为安全余量系数，是一个大概的取值范围，1.5为VmA＝av/bc式中：a为电路电压波动系数，一般取1.2；v为电路直流工作电压（交流时为有效值）；b为压敏电压误差，一般取0.85；c为元件的老化系数，一般取0.9；这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1.5倍。交流电压安全倍数≧（2.2~2.5），这里取2.2。压敏电阻器两端的直流或交流电压在应用时应低于标称电压。

在压敏电阻器的应用过程中，当其出现性能劣化时，常见的劣化模式有两种，第一种是开路模式，第二种是短路模式。开路模式主要发生在MOV流过远远超出自身承受的浪涌电流时，通常表现为压敏电阻本体炸裂，但这种模式不会引起燃烧现象。短路模式大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。首先我们来看压敏电阻器的老化失效问题。这一问题主要指的是电阻体的低阻线性逐步加剧，此时漏电流将会恶性增加且集中注入薄弱点，导致薄弱点材料融化，形成一千欧左右的短路孔后，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。压敏电阻的包装形式有多种包装形式：散装、卷装包装、卷包装。防雷用压敏电阻MOV通流量

压敏电阻通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流。防雷用压敏电阻MOV通流量

高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。防雷用压敏电阻MOV通流量

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