企业商机
瞬态抑制二极管基本参数
  • 品牌
  • 晶导微电子
  • 型号
  • 瞬态抑制二极管TVS
  • 半导体材料
  • 芯片类型
  • 双极型,单极性
  • 封装形式
  • 贴片型,轴向引线型
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,环氧树脂封装
瞬态抑制二极管企业商机

比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。一般在高速接口中需要考虑TVS的结电容问题。TVS按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。北京3000W瞬态抑制二极管封装

来明电子团队在电路保护领域深耕多年,从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们为客户提供全系列TVS产品,瞬态峰值脉冲功率等级从200W至30000W,另有可替代MOV用超级TVS产品,产品电流可分为3kA,6kA,10kA,可达16kA。产品封装类型有SOD-123,SOD-123FL,SMA(DO-214AC),SMAF,SMB(DO-214AA),SMC(DO-214AB),SMBF,SMCF,DO-15,DO-41,DO-201,DO-218AB,TO-277等。并可提供车规级TVS器件,特殊需求可根据客户要求定制。。天津SMC瞬态抑制二极管SMB/DO-214AA封装的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。

这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管(本文简称ESD管)和防浪涌用的大功率TVS管(本文简称浪涌管)。这里说的浪涌测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准:IEC61000-4-2Level4ESDProtection——静电测试标准,必须通过,提供测试数据IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分厂家才会提供数据IEC61000-4-5(8/20us)——浪涌测试标准,必须通过,提供测试数据下面是安森美ESD5481MUT5G,用在一般信号线上的ESD管规格书提供的信息,人家一个小管子,完成了三个标准的测试。

TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,被广泛应用于各类电子电路中浪涌保护或静电保护。台面缺陷损伤的TVS 器件经过温度循环和冲击等筛选试验后,电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常。

反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。DO-15封装的TVS一般有SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列。天津SMC瞬态抑制二极管

TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。北京3000W瞬态抑制二极管封装

引发TVS短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良,在烧结界面出现大面积空洞,空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良,造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时,电流在烧结点附近汇聚,管芯散热困难,造成热电应力集中,产生局部热点,严重时引起热奔,使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析,可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时,可加速焊料热疲劳,使焊料层会产生疲劳龟裂,引起器件热阻增大,**终导致器件。过热烧毁。北京3000W瞬态抑制二极管封装

上海来明电子有限公司成立于2010-08-11,同时启动了以晶导微电子,意昇,美硕,成镐为主的TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容产业布局。旗下晶导微电子,意昇,美硕,成镐在电子元器件行业拥有一定的地位,品牌价值持续增长,有望成为行业中的佼佼者。我们强化内部资源整合与业务协同,致力于TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容等实现一体化,建立了成熟的TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容运营及风险管理体系,累积了丰富的电子元器件行业管理经验,拥有一大批专业人才。上海来明电子有限公司业务范围涉及一般项目: 电子产品、电子元器件、电动工具、机电设备、仪器仪表、通讯器材(除卫星电视广播地面接收设施)、音响设备及器材、金属材料、日用百货的销售,电子元器件的制造。加工(以上限分支机构经营)。(除依法须经批准的项目外。凭营业执照依法自主开展经营活动) 许可项目: 货物进出口;技术进出口:进出口代理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)等多个环节,在国内电子元器件行业拥有综合优势。在TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容等领域完成了众多可靠项目。

与瞬态抑制二极管相关的文章
山西600W瞬态抑制二极管测试 2023-08-17

过电应力当瞬态脉冲能量超过TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态脉冲能量达到TVS所能承受能量的数倍时会直接导致TVS器件过电应力烧毁,失效模式表现为短路。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察。可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。试验表明,发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致,例如:EMP、ESD产生的脉冲:体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(us级以上)高能量脉冲所致,例如:电快速瞬变,雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于ns级和μs级之间,则短路可能发生在结边缘表面,也可能...

与瞬态抑制二极管相关的问题
与瞬态抑制二极管相关的标签
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责