上海SMA瞬态抑制二极管电压

箝位时间TCTC是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。TVS发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS我们极力减少或避免的情况。上海SMA瞬态抑制二极管电压

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通，PN结加正向电压时导通，（1）PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。河南15000W瞬态抑制二极管封装TVS的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN 结雪崩器件。

TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极的电压也不断下降，***恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。

TVS的封装类型有：2）SMA/DO-214AC封装：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封装：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封装：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封装：P4KE系列（400W）；7）DO-15封装：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。

干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化，钳位电压低，因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。DO-41封装的TVS一般有P4KE系列（400W）。河南15000W瞬态抑制二极管封装

当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。上海SMA瞬态抑制二极管电压

TVS台面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS制造工艺过程中造成芯片台面损伤的原因主要有两个:1)芯片在酸蚀成型时，由于氢氟酸、硝酸混合液配方过浓或温度过高而反应剧烈。2、烧焊过后进行碱腐蚀清洗时，腐蚀液浓度过大、温度过高而造成碱腐蚀清洗过重。台面缺陷或损伤的TVS器件经过温度循环和箝位冲击等筛选试验后，进行电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常，从而被剔除。但轻微台面损伤的TVS器件在筛选后电参数测试时不易被发现，可能被列为良品出厂。这些TVS器件在使用过程中经受长时间热、电、机械等应力的作用后，台面缺陷加剧，在缺陷处形成载流子产生-复合中心，使表面反向漏电流**增加。大的表面反向漏电流使pn结边缘温度升高，产生热电综合效应，**终导致pn结边缘半导体材料温度过高烧毁。上海SMA瞬态抑制二极管电压

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