谐振转换器及其他应用 在开关电源中,其他重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。某些特定拓扑结构,如谐振转换器,会改变这些参数的相关性。谐振转换器通过在VDS或ID过零时进行MOS管开关,从而明显降低开关损耗。这类技术被称为 软开关或零电压/零电流开关技术。在这些拓...
开关电源中的MOS管需求
我们考虑 开关电源应用中的MOS管需求。在这种应用中,MOS管需要定期导通和关断,以执行开关功能。开关电源的拓扑结构多种多样,但基本降压转换器是一个典型的例子。它依赖两个交替工作的MOS管来在电感中存储和释放能量,从而为负载提供稳定的电源。 开关电源应用中,MOS管需频繁导通和关断,关键参数包括栅极电荷与导通阻抗等,需根据拓扑结构选择比较好。
栅极电荷与开关损耗
传统上,电源设计人员可能采用综合品质因数(栅极电荷QG与导通阻抗RDS(ON)的乘积)来评估MOS管。但值得注意的是,还有许多其他参数同样重要。栅极电荷是产生 开关损耗的关键因素。它表示MOS管栅极充电和放电所需的能量,以纳库仑(nc)为单位。值得注意的是,栅极电荷与导通阻抗RDS(ON)在半导体设计和制造中是相互关联的。通常,较低的栅极电荷值会伴随着稍高的导通阻抗参数。 高输入阻抗搭配高可靠性,多样场景适配,体验专业品质。广东专业选型MOSFET供应商推荐型号

MOS管:现代电子设备的重要开关与放大器
现代电子技术的基石MOS管,凭借其极低功耗和精确电流控制,从智能手机到航天器无处不在。它的高输入阻抗和温度稳定性,让电子设备更轻薄强大。
现代电子技术中,MOS管主要分为增强型和耗尽型两大类别。增强型MOS管需要外加栅极电压才能形成导电沟道,而耗尽型则在没有栅极电压时就已存在沟道。根据导电沟道的类型,又可分为N沟道和P沟道两种,前者导通时依靠电子流动,后者则依靠空穴流动。这些不同类型的MOS管各具特点,适用于不同场景。
MOS管的应用场景极为多元。在数字电路中,它作为高速开关使用,构成了现代计算机的二进制逻辑基础。在模拟电路中,它作为高输入阻抗放大器,能够处理微弱信号而不影响信号源。在电源管理中,MOS管可以实现高效的电能转换与调控。触摸屏技术也依赖MOS管的特性,通过检测电容变化感知触控位置。
与传统的双极型晶体管相比,MOS管具有体积更小、功耗更低、集成度更高等优势。特别是在大规模集成电路中,MOS工艺已经成为主流,使得芯片性能不断提升而功耗持续降低。这也是为什么我们的电子设备变得越来越轻薄却功能更强大的重要原因之一。 山东新能源MOSFET供应商高压MOS产品其导通电阻和栅极电荷更低,有效控制系统温升;

如何基于MOSFET的工作电压与电流特性进行选型二
工作电流选型重要考量
1.计算负载电流:
根据负载功率(P)和工作电压(U),通过公式I=P/U计算负载稳态工作电流。例如,100W负载在24V下工作,电流约为4.17A。同时需评估启动电流、峰值电流等极端工况。
2.选定额定电流与散热设计:
MOSFET的连续漏极电流额定值(ID)需大于电路最大负载电流,并依据散热条件进行降额设计。自然冷却时,降额系数通常取0.5-0.6;强制风冷或加装散热器时,可提升至0.7-0.8。举例:最大负载电流5A,自然冷却下应选ID≥10A(5A÷0.5)的器件。
MOSFET的连续漏极电流额定值(ID)需大于电路最大负载电流,并依据散热条件进行降额设计。自然冷却时,降额系数通常取0.5-0.6;强制风冷或加装散热器时,可提升至0.7-0.8。举例:最大负载电流5A,自然冷却下应选ID≥10A(5A÷0.5)的器件。
3.关注电流变化速率:
高频开关电路中,需注意电流变化率(di/dt)。过高的di/dt可能引发电磁干扰(EMI),应选用能承受相应电流变化速率的MOSFET,确保系统稳定性。
MOSFET栅极电路的7个常用功能
MOSFET 是一种电压控制器件,具有开关速度快、高频性能、高输入阻抗、低噪声、低驱动功率、大动态范围和大安全工作区 (SOA) 等优点。开关电源、电机控制、电动工具等领域都用到它。栅极是 MOSFET比较薄弱的组件。如果电路构造不当,可能会导致设备甚至系统出现故障。
MOSFET栅极电路的常见功能如下:
1、去除耦合到电路中的噪声,提高系统的可靠性;
2、加速MOSFET的导通 ,降低导通损耗;
3、加速MOSFET的关断 ,降低关断损耗;
4、减少 MOSFET DI/DT,保护 MOSFET ,抑制EMI干扰;
5、保护电网,防止异常高压情况下击穿电网;
6、增加驱动能力,可以 在更小的信号下驱动MOSFET 。 金属氧化物半导体场效应晶体管,是电子领域的关键可控硅器件。

MOS管在电源设计中的应用与关键参数解析
MOS管在电源设计中的应用
◉开关元件和电源输出影响
MOS管在电源设计中的应用很多,其中之一便是作为 开关元件使用。除此之外,它们还对 电源输出产生重要影响。在服务器和通信设备等应用中,通常会配备多个并行电源,以实现 N+1冗余和持续工作能力。这些并行电源通过平均分担负载,确保系统在单个电源故障时仍能保持运行。然而,这种架构需要一种方法将并行电源的输出连接起来,同时确保故障电源不会影响其他电源。在每个电源的输出端,通过使用功率MOS管,可以使多个电源共同分担负载,同时保持彼此的隔离。
◉ 低RDS(ON)的重要性
在服务器正常运行期间,MOS管的作用更类似于一个导体,因此设计人员关心的是其传导损耗的小化。低 RDS(ON)对于降低BOM成本和PCB尺寸至关重要。RDS(ON)是MOS管制造商用于定义导通阻抗的参数,对于ORing FET应用而言,它是关键的性能指标。数据手册指出,RDS(ON)与栅极电压VGS以及流经开关的电流有关,但在充分的栅极驱动下,它是一个相对稳定的参数。 选择低RDS(ON)的MOS管有助于减少电源设计的面积和成本,同时,通过并联可有效降低整体阻抗。 商甲半导体 MOSFET,高阻抗低功耗,开关迅速,为电路高效运行赋能。广东专业选型MOSFET供应商推荐型号
开关速度快、功耗低,电路高效运行的得力助手。广东专业选型MOSFET供应商推荐型号
商甲半导体自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了电源管理等诸多种类上20V-300VTrench&SGTN/P沟道MOSFET。
用户可根据电池电压及功率情况选用合适的料号:
1-3串:SJD20N060、SJD20N030等产品3-5串:SJD30N042/SJH30N015/SJD30P055/SJD30N030/SH30N015/SJP30P180
5-7串:SJD40N058/SJD40N042/SJD40N022/SJD40P078
7-11串:SJD60N075/SJD60N064/SJH015N06
11-15串:SJD80N075/SJJ80N050/SJJ020NO85/SJJ013N085
15-20串:SJD01N088/SJD080N10/SJD045N10/SJ035N10/SJJ018N10
18-20串:SJJ045N12/SJ022N12
20串以上:SJ015N093/SJJ090N15/SJJ055N15/SJZ038N15 广东专业选型MOSFET供应商推荐型号
公司介绍
无锡商甲半导体是一家功率芯片设计公司,团队具有18年以上研发、销售及运营经验,专业从事各类高性能MOSFET、IGBT、SIC、Gan产品的研发、生产与销售。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务,满足企业研发需求。
产品供应品类:专业从事各类高性能MOSFET、IGBT、SIC、Gan产品的研发、生产与销售。
支持样品定制与小批量试产,让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。
公司秉承:“致力于功率半导体的设计与营销,参与和传承功率半导体的发展”的愿景,坚持“质量至上、创新驱动”的发展策略,遵循“问题解决+产品交付+售后服务”的营销法则,努力将公司建设成一个具有国际竞争力的功率半导体器件供应商。
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