一般内层处理的黑氧化方法：
棕氧化法
黑氧化处理
低温黑化法
采用高温黑化法内层板会产生高温应力（thermal stress）可能会导致层压后的层间分离或内层铜箔的裂痕；
二、棕氧化：
黑氧化处理的产物主要是氧化铜，没有所谓的氧化亚铜，这是业内的一些错误论调，经过ESCA（electro specific chemical analysis）分析，可以测定铜原子和氧原子之间的结合能，氧化物表面铜原子和氧原子之间的比例；有清晰数据和观察分析证明黑化的产物就是氧化铜，没有其他成分。
铜基板包括金属层、黏结层（绝缘层）、导电走线层，三个因素缺一不可。广州柔性PCB推荐
好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1uf，10uf电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印刷板的地方和一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。 南通印刷PCB打样线路板表面需要焊接元件，就要求有一部分铜层暴露在外用于焊接。
降低噪声与电磁干扰的一些经验。
（1）元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短。
（2）关键的线要尽量粗，并在两边加上保护地。高速线要短要直。
（3）对噪声敏感的线不要与大电流，高速开关线平行。
（4）石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。
（5）弱信号电路，低频电路周围不要形成电流环路。
（6）任何信号都不要形成环路，如不可避免，让环路区尽量小。
（7）每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。
四层板的叠层
1. SIG－GND(PWR)－PWR (GND)－SIG；
2. GND－SIG(PWR)－SIG(PWR)－GND；
对于第二种方案，通常应用于板上芯片密度足够低和芯片周围有足够面积(放置所要求的电源覆铜层)的场合。此种方案PCB的外层均为地层，中间两层均为信号 /电源层。信号层上的电源用宽线走线，这可使电源电流的路径阻抗低，且信号微带路径的阻抗也低，也可通过外层地屏蔽内层信号辐射。从EMI控制的角度看， 这是现有的比较好4层PCB结构。
主要注意：中间两层信号、电源混合层间距要拉开，走线方向垂直，避免出现串扰；适当控制板面积，体现20H规则；如果要控 制走线阻抗，上述方案要非常小心地将走线布置在电源和接地铺铜岛的下边。另外，电源或地层上的铺铜之间应尽可能地互连在一起，以确保DC和低频的连接性。 在工业控制电路板中，数字电路占大多数，电容用来做电源滤波，而做信号耦合振荡电路的电容很少。
常见阻抗匹配的方式
串联终端匹配在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗的条件下，在信号的源端和传输线之间串接一个电阻R，使源端的输出阻抗与传输线的特征阻抗相匹配，抑制从负载端反射回来的信号发生再次反射。匹配电阻选择原则：匹配电阻值与驱动器的输出阻抗之和等于传输线的特征阻抗。常见的CMOS和TTL驱动器，其输出阻抗会随信号的电平大小变化而变化。
因此，对TTL或CMOS电路来说，不可能有十分正确的匹配电阻，只能折中考虑。链状拓扑结构的信号网路不适合使用串联终端匹配，所有的负载必须接到传输线的末端。串联匹配是极常用的终端匹配方法。它的优点是功耗小，不会给驱动器带来额外的直流负载，也不会在信号和地之间引入额外的阻抗，而且只需要一个电阻元件。常见应用：一般的CMOS、TTL电路的阻抗匹配。USB信号也采取这种方法做阻抗匹配。 数字地与模拟地要单点接地，否则数字地回流会流过模拟地对模拟电路造成干扰。南通印刷PCB打样
PCB几乎我们能见到的电子设备都离不开它，小到电子手表、计算器、通用电脑，大到计算机、通迅电子设备。广州柔性PCB推荐
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