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CMP抛光机的抛光均匀性如何？

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安田丰技术（江苏）有限公司2026-06-08

我们采用了先进的抛光头分区压力控制技术与高精度在线厚度检测系统，能够实现极高的抛光均匀性。典型数据表明，片内非均匀性（WIWNU，Within-Wafer Non-Uniformity）可稳定控制在3%以内，表面粗糙度（Ra）可达亚纳米级别，完全满足先进封装、品质逻辑芯片及存储器制造对平坦度的严苛要求。

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