天津6096J9o赛芯方案公司

内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积）内置MOS，集成均衡功能  XBM2138芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM5254 型号现货供应，保障生产顺利进行。天津6096J9o赛芯方案公司

XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出无锡XBM3214DCA赛芯厂家芯纳科技代理赛芯系列芯片，XBM3214DCA 型号当前现货，可及时满足订单需求。

深圳市芯纳科技为移动办公设备厂商供应赛芯 XR4981A，在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时，对供电系统的带载能力要求较高，赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率，能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明，搭载该控制器的笔记本扩展坞，在连接 4 个 USB 设备时，输出电压仍能稳定在 20V，确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%，便于用户携带。在电池供电模式下，该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%，减少了户外办公时的电量焦虑。此外，其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板，提升了设备的使用安全性，为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。

多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。DS3056B—2-6串快充充电，功率100W；5V/3A放电管理SOC。

2 串升降压20W~65W 充电器+移动电源单片SOC  1.概述DS3730是一颗集成了协议和升降压的移动电源和充电器二合一单SOC芯片.集成了同步升降压变换器、支持2节电池串联，支持FB控制AC前端电压。有两种工作模式：一种是AC模式，在给电芯充电的同时，也可实现30~65W的快充输出，实现边充边放;另一种就是移动电源模式：支持20W-35W双向充放，支持CC,CA,CCA接口，支持CC-CV切换，支持PD3.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2DC***PLE2.4A等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。2.应用领域充电宝+充电器二合一产品锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。惠州2L1EAE赛芯现货

芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3360 型号现货供应，可快速完成订单交付。天津6096J9o赛芯方案公司

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。天津6096J9o赛芯方案公司