企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

ICXBM7102系列是一种高度集成的保护芯片,多节锂电保护产品功能-全保护7〜10串锂离子/锂聚合物电池二级保护推挽,次级保护IC7〜10串锂离子/锂聚合物电池保护   旨在保护7至10串锂离子或锂聚合物电池。它可以降低电池损坏或寿命缩短的。XBM7102系列可提供过度充电,过度放电,开放线和充电/discharge过度保护。充电/放电低温保护。可以通过外部电阻**设置XBM7102系列的超高保护阈值/过度保护阈值和放电阈值。XBM7102系列可以直接驱动。多节锂电保护产品功能-全保护7〜10串锂离子/锂聚合物电池二级保护推挽,次级保护IC7〜10串锂离子/锂聚合物电池保护ICXBM7102系列是一种高度集成的保护芯片,旨在保护7至10串锂离子或锂聚合物电池。它可以降低电池损坏或寿命缩短的。XBM7102系列可提供过度充电,过度放电,开放线和充电/discharge过度保护。充电/放电低温保护。可以通过外部电阻**设置XBM7102系列的超高保护阈值/过度保护阈值和放电阈值。XBM7102系列可以直接驱动。XC3098(磷酸铁锂充电芯片).上海XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保

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10串锂电池保护芯片介绍    ,XBM7101集成均衡NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能珠海XBM2138赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。

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PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。

在当今以电子设备为主导的时代,锂电池作为一种**、轻便的能源存储装置,被广泛应用于手机、笔记本电脑、电动汽车等众多领域。而在锂电池的安全运行中,锂电池保护IC起着至关重要的作用。锂电池保护IC,即锂电池保护集成电路,是专门为保护锂电池而设计的一种芯片。它的主要作用是监测锂电池的工作状态,并在出现异常情况时及时采取措施,以防止锂电池发生过充、过放、过流和短路等危险情况。首先,锂电池保护IC可以防止过充电。当锂电池在充电过程中,电压会逐渐升高。如果充电电压过高,可能会导致锂电池内部发生化学反应,甚至引发等危险情况。锂电池保护IC会实时监测锂电池的充电电压,一旦发现电压超过设定的安全值,就会立即切断充电电路,从而避免过充电的发生。其次,保护IC能够防止过放电。当锂电池在放电过程中,电压会逐渐降低。如果放电电压过低,可能会导致锂电池内部的电极材料受损,影响锂电池的使用寿命。锂电池保护IC会监测锂电池的放电电压,当电压低于设定的安全值时,就会切断放电电路,防止过放电的发生。此外,锂电池保护IC还可以防止过流和短路。在使用锂电池的过程中,如果出现短路或过大的电流,可能会导致锂电池发热、起火甚至。2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.

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3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30 开漏。南京6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

芯纳科技精选赛芯微 ic,低内阻保护芯片,提升电子设备带载能力。上海XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保

芯纳科技针对物联网传感器行业的特点,提供定制化的技术服务,比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导,协助客户进行功耗测试和优化,帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外,芯纳科技还为客户提供完善的售后保障,若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题,可享受 7 天无理由退换货服务,同时专业售后团队会全程跟进问题解决,确保客户的生产经营不受影响。另外,作为代理商,芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格,相比非代理渠道,可为客户降低 10%-15% 的采购成本,帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。上海XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保

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