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   多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。韶关XBM2138赛芯方案公司

电源管理芯片广泛应用于各个领域。在消费电子领域，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它们确保设备在不同的使用场景下（如待机、运行大型程序等）都能实现理想的电源效率，延长电池续航时间。在工业自动化领域，为各种传感器、控制器和执行器提供稳定的电源，保证工业系统的可靠运行。在汽车电子方面，电源管理芯片用于汽车的引擎控制、车载娱乐系统、照明系统等，适应汽车复杂的电源环境和严格的可靠性要求。在医疗设备中，也起着关键作用，保障设备的精确运行和患者的安全。无锡XBM325赛芯原厂4-7串锂电池保护 XBM5774 级联功能/集成均衡/NTC/Sense/SSOP24。

XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片  、6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

    级联是串联还是并联在电气工程领域，特别是防雷技术中，级联策略被视为确保电气系统安全运行的关键。级联，无论是串联还是并联，都是将多个组件或系统按特定方式连接起来以实现更高性能、可靠性或效率的方法1。串联级联串联级联是指将设备首尾相连，电流依次流过每个设备。这种设计能避**一防雷器因过载而失效的。包括逐级降压，确保雷电流在到达敏感设备前被逐步削减，减少对末端设备的影响；冗余保护，即使某一级防雷器出现故障，后续级别的保护依然，提高了系统的整体可靠性1。并联级联并联级联则是在同一节点部署多个防雷器，它们共同承担雷电流的冲击。这种策略特别适用于高流量和高能量的环境，如大型数据中心或工业设施。包括快响应，可以同时处理雷电流，***缩短了系统响应时间，提高了防护效率；负载均衡，多个防雷器共享负载，减少了单个设备的压力，延长了设备寿命1。结论综上所述，级联既可以是串联也可以是并联，具体取决于应用场景和设计需求。在防雷系统中，串联级联和并联级联各有优缺点。 可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。

XBM2138QFA    2串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA     内置MOS  2串锂保   内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能移动电源soc芯片DS5136B+MPP无线充 （QI2.0）22.5W 单串移动电源+无线充.苏州XBM7102赛芯代理

移动电源SOC DS6036 30W-100W 2串-6串移动电源.韶关XBM2138赛芯方案公司

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。韶关XBM2138赛芯方案公司