我们具备行业晶圆级薄膜吸气剂镀膜能力，可直接在4英寸、6英寸、8英寸硅晶圆表面实现整面均匀镀膜，膜厚精细、均匀性好、附着力强，完美适配晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）等先进封装工艺，大幅提升器件集成效率、降低封装成本、减小器件体积。晶圆级镀膜采用高均匀性磁控溅射技术，通过优化溅射参数、靶材设计与镀膜工装，确保晶圆表面薄膜厚度误差控制在±微米，均匀性≤2%，无边缘效应、无厚度不均、无裂纹，满足先进封装对薄膜一致性的严苛要求。镀膜后晶圆可直接进行划片、切割、封装，无需后续二次加工，大幅简化封装流程、提升生产效率、降低封装成本；薄膜直接沉积在晶圆表面，不占用器件额外空间，助力器件实现微型化、高集成度，适配5G通信、人工智能、消费电子等先进封装应用场景。同时，晶圆级镀膜可实现一片晶圆、多个器件、同步镀膜，批量生产效率提升50%以上，单位成本降低30%，适配半导体行业大规模量产需求；可根据客户晶圆尺寸、膜厚要求、吸气性能定制镀膜方案，精细匹配先进封装需求，助力国产半导体先进封装技术突破与产业化发展。 医用吸气剂可提升医疗设备内部环境稳定性。医用吸气剂合金熔炼加工
本产品为Ti-Zr-V体系的薄膜吸气剂，通过PVD技术将吸气薄膜沉积在基底材料上，我们可根据您的需求定制不同材质基底、厚度和形状。本品用于吸收真空器件腔体中的气体，具有活化温度低、吸气速率高、无粉化、活化过程与封装工艺兼容的优点。应用范围：本产品可应用于射频设备、非制冷红外传感器、MEMS器件、光学器件等场景，可持续吸收腔体工作后放出的CO、CH4、O2、H2、水蒸气等气体，可长期保持器件处于高真空状态，延长器件使用寿命，提高稳定性。产品尺寸：可定制不同尺寸的吸气剂，平面尺寸公差±0.03mm；薄膜厚度可根据客户需求做到1.5-10μm。使用条件：在真空中进行加热，温度在150℃-400℃范围，激发温度受薄膜厚度、基体材料以及具体应用环境影响，薄膜在150℃下加热后开始发生明显活化，随着温度升高，活化程度进一步增高，在400℃下保持30min可以完全活化。产品在真空中加热时，随着温度的升高，吸气能力逐渐加强。完全活化后吸气速率：9.00-38.00（Pa·L/cm2）。产品经比较好温度加热30min，冷却后仍具有吸气能力。对于不同的气体，其吸收速度和容量不一样。冷却后产品是否具有残留的吸气能力，取决于其已经吸收气体的体积和其吸气容量国产手术机器人医用吸气剂医用吸气剂适配医疗科研机构实验使用需求。
薄膜吸气剂在中国应用非常普遍，已从“特种材料”变成电子、半导体、光电器件的标配材料。一、应用广度（覆盖行业）-MEMS传感器：陀螺仪、加速度计、压力传感器（手机、汽车、IoT、无人机）-红外探测器：安防、车载红外、工业测温、医疗热像仪-OLED显示：手机、车载、折叠屏封装（除水氧）-半导体/先进封装：3D封装、射频器件、芯片级原子钟-真空电子：X射线管（CT/医疗）、行波管、微波器件-汽车电子：激光雷达、新能源传感器-航天/量子：超高真空维持、精密器件-新能源：锂电池除气、氢能储运（新兴）二、应用程度（渗透率）-MEMS/红外：国产器件渗透率70%–90%-OLED封装：国产面板线基本100%采用-医疗/半导体：国产化加速，进口替代明显-整体：从科研→消费电子→汽车→医疗铺开。三、中国市场特点-规模大：2023年吸气剂市场超45亿元，薄膜型增速快-国产替代强：锆基、钛基薄膜已批量替代进口-区域集中：长三角、珠三角密集（占全国约70%）-增长快：CAGR15%–18%，高于全球平均四。薄膜吸气剂是MEMS、红外、OLED、半导体、医疗、汽车电子的重要真空材料，国产替代加速、应用广、增长强
真空器件对可靠性、抗极端环境、长寿命要求极高，薄膜吸气剂满足严苛标准。导航、侦察、通信设备需在高低温、湿热、盐雾、振动冲击环境下稳定工作。薄膜吸气剂化学稳定性强，耐老化抗辐射，持续维持真空。无失效风险，保障武器装备战斗力。定制化配方与加固工艺，适配特殊需求，是科技重要基础材料。薄膜吸气剂在半导体后段封装工艺中应用普遍，提升芯片可靠性与寿命。先进封装中的真空腔体形器件，需要长效气体控制。薄膜吸气剂集成于封装基板或盖板，不占用3D堆叠空间，持续吸附水汽与有害气体。防止芯片氧化、腐蚀与电迁移，提升抗老化能力。适配Chiplet、WLP、TSV等先进封装技术，推动半导体器件向更高性能发展。 公司与科研院所产学研合作，优化吸气剂配方。
Ti-Zr-V体系吸气剂：真空器件的理想气体吸收解决方案在真空技术领域，寻找可靠的气体吸收材料至关重要。本产品为Ti-Zr-V体系的吸气剂。通过PVD技术，我们将吸气薄膜沉积在基底材料上，确保每一层都均匀致密，为吸气打下坚实基础。本产品的一大亮点在于其高度的定制化服务。我们可根据您的具体需求，定制不同材质的基底、精确溅射薄膜厚度，以及设计多样化的形状，满足各种真空器件的个性化要求。这种灵活性不仅提升了产品的适用性。更重要的是，本产品为Ti-Zr-V体系的吸气剂具有活化温度低的特点，这意味着在较低的温度下就能迅速启动吸气功能，延长真空器件的使用寿命，提高整体性能。无论是科研实验还是工业生产，这一特性都显得尤为重要。选择我们的Ti-Zr-V体系吸气剂，就是选择了稳定与可靠。我们致力于为真空技术领域提供气体吸收解决方案，助力您的产品达到更高的性能标准。立即咨询，开启您的真空器件优化之旅！材料组织分析实验中心，检测吸气剂内部结构。医用吸气剂合金熔炼加工
公司全流程品控，确保医用吸气剂批次质量统一。医用吸气剂合金熔炼加工
非蒸散型薄膜吸气剂凭借低温活化、长效吸气、洁净无污的特性，成为MEMS惯性器件封装的关键材料。微陀螺仪、加速度计等产品对内部真空度要求极高，真空环境可大幅降低谐振结构的空气阻尼，提升品质因数与测量精度。薄膜吸气剂在200℃至350℃区间即可完成活化，兼容主流封装回流焊工艺，不会损伤芯片与封装材料。活化后的薄膜表面形成高活性吸附位点，能够持续捕捉器件工作过程中释放的微量气体，长期保持10^-4Pa以上高真空水平。相较于蒸散型吸气剂，它无需高温蒸发，不存在溅射污染与空间占用问题，膜层可图案化沉积，适配复杂腔体结构，提升器件稳定性与使用寿命，满足消费电子、汽车电子、工业控制领域的严苛标准。
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