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    第二电极412为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分别被定位在发光部分430与第二发光部分450之间和第二发光部分450与第三发光部分470之间。即，发光部分430、cgl480、第二发光部分450、第二cgl490和第三发光部分470顺序堆叠在电极410上。换言之，发光部分430被定位在电极410与cgl480之间，第二发光部分450被定位在cgl480与第二cgl490之间。此外，第三发光部分470被定位在第二电极412与第二cgl490之间。发光部分430可以包括顺序堆叠在电极410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在电极410与eml420之间，hil432被定位在电极410与htl434之间。此外，etl436被定位在eml420与cgl480之间。eml420包含蓝色掺杂剂422。例如，蓝色掺杂剂422可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是eml420还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂422的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第二发光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480与第二eml440之间，第二etl454被定位在第二eml440与第二cgl490之间。深圳乐山二极管代理商公司。汕头肖特基 二极管代理商

    发光部分530、cgl580、第二发光部分550、第二cgl590和第三发光部分570顺序堆叠在电极510上。换言之，发光部分530被定位在电极510与cgl580之间，第二发光部分550被定位在cgl580与第二cgl590之间。此外，第三发光部分570被定位在第二电极512与第二cgl590之间。发光部分530可以包括顺序堆叠在电极510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在电极510与eml520之间，hil532被定位在电极510与htl534之间。此外，etl536被定位在eml520与cgl580之间。eml520包含延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524。延迟荧光掺杂剂522具有发射波长范围，磷光掺杂剂524具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂522可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂524可以由式5表示。磷光掺杂剂524相对于延迟荧光掺杂剂522的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂524相对于延迟荧光掺杂剂522的重量百分比可以在约％至％，推荐地约％至％的范围内。尽管未示出，但是eml520还可以包含基质。基质可以在eml520中具有约50％至80％的重量百分比。上海肖特基 二极管厂家广东乐山二极管代理商公司。

    显示装置300包括：其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310与第二基板370之间的oledd2和在oledd2与第二基板370之间的滤色器层380。oledd2向滤色器层380提供白光。基板310和第二基板370各自可以为玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以为聚酰亚胺基板。在基板上形成有缓冲层320，以及在红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的缓冲层320上形成有薄膜晶体管(tft)tr。缓冲层320可以省略。在缓冲层320上形成有半导体层322。半导体层322可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层322包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层322下方形成光屏蔽图案(未示出)。到半导体层322的光被光屏蔽图案屏蔽或阻挡，使得可以防止半导体层322的热降解。另一方面，当半导体层322包含多晶硅时，可以在半导体层322的两侧中掺杂杂质。在半导体层322上形成有栅极绝缘层324。栅极绝缘层324可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在栅极绝缘层324上形成有由导电材料(例如金属)形成的栅极电极330以与半导体层322的中心相对应。在图6中，栅极绝缘层324形成在基板310的整个表面上。或者。

    依据温度阻值曲线图获取所述热敏电阻ntc的第二温度值，依据所述热敏电阻ntc的第二温度值确定所述发光二极管的所述良好温度值。根据本发明的一个方面，还提供了一种医疗设备，包括存储器、处理器和发光二极管，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述发光二极管的控制方法的步骤。根据本发明的一个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述发光二极管的控制方法的步骤。通过本发明，获取发光二极管良好温度值和良好压差值，依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取第二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；获取发光二极管的电流值，依据该第二压差值和该电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下，发送报警信息，解决了单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题，实现了单个led灯的使用寿命的准确预测和报警。强茂二极管一级代理商。

    所述像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器、二运算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一电阻、二电阻、一电流源和二电流源，一运算放大器的正相输入端连接基准电压，其反相输入端连接二pmos管的源极和一电流源，其输出端连接一pmos管的栅极；一pmos管的源极连接电源电压，其漏极连接二pmos管的栅极并通过一电阻后连接负电源电压；二运算放大器的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管的源极和二电流源，其输出端连接三pmos管的栅极；三pmos管的源极连接电源电压，其漏极连接四pmos管的栅极并通过二电阻后连接负电源电压；二pmos管和四pmos管的漏极连接负电源电压；所述像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻和五pmos管，所述一电流镜单元用于将流过一pmos管的电流按比例镜像，所述二电流镜单元用于镜像流过三pmos管的电流；五pmos管的栅极连接所述一电流镜单元的输出端和所述二电流镜单元的输出端并通过三电阻后连接负电源电压，其漏极连接负电源电压，其源极输出浮动地电压作为所述雪崩光电二极管的偏置电压。具体的，所述一电流镜单元包括一开关、二开关、三开关、六pmos管、七pmos管和八pmos管。捷捷微二极管原装现货。武汉稳压二极管进口

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    十六pmos管m7的漏极连接十七pmos管m8的源极；十八pmos管m9的栅极作为一运算放大器op1的正相输入端，其源极连接十九pmos管m10的源极和十三pmos管m4的漏极，其漏极连接一nmos管m11的源极和三nmos管m13的漏极；十九pmos管m10的栅极作为一运算放大器op1的反相输入端，其漏极连接二nmos管m12的源极和四nmos管m14的漏极；三nmos管m13的栅极连接四nmos管m14的栅极以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏极；二nmos管m12的栅极连接一nmos管m11的栅极以及一偏置电压vb，其漏极连接十七pmos管m8的漏极并作为一运算放大器op1的输出端。本实施例使用的折叠式共源共栅运放包括电流镜和折叠式共源共栅运放两部分，五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17和八nmos管m18构成电流镜结构用于镜像基准电流iref，十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8和四电阻r0构成一个自偏置cascode电流镜，十二pmos管m3、十三pmos管m4是运放的尾电流源，十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8作为所述运放的电流源负载，一偏置电压vb为外部给定，用于使一nmos管m11、二nmos管m12工作在饱和区。汕头肖特基 二极管代理商

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