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    第二eml440包含延迟荧光掺杂剂442和磷光掺杂剂444。延迟荧光掺杂剂442具有发射波长范围，磷光掺杂剂444具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂442可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂444可以由式5表示。磷光掺杂剂444相对于延迟荧光掺杂剂442的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂444相对于延迟荧光掺杂剂442的重量百分比可以在约％至％，推荐地约％至％的范围内。尽管未示出，但是第二eml440还可以包含基质。基质可以在第二eml440中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第三发光部分470可以包括第三htl472、第三eml460、第三etl474和eil476。第三htl472被定位在第二cgl490与第三eml460之间，第三etl474被定位在第三eml460与第二电极412之间。此外，eil476被定位在第三etl474与第二电极412之间。第三eml460包含第二蓝色掺杂剂462。第二蓝色掺杂剂462具有与第二eml440中的延迟荧光掺杂剂442和磷光掺杂剂444相比更短的发射波长范围。例如。强茂二极管原厂渠道。上海肖特基 二极管厂家

    延迟荧光掺杂剂152提供高的发光效率和相对宽的fwhm，以及延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154二者都参与发光。因此，oledd1提供高的发光效率和改善的色彩连续性。参照图2，其为示出本公开内容的实施方案的oled的发光机理的示意图，“基质”中生成的激子通过德克斯振能量转移(dexterresonanceenergytransfer，dret)转移到延迟荧光掺杂剂“td”中，并且延迟荧光掺杂剂“td”的单线态能量“s1”和三线态能量“t1”中的至少部分通过dret转移到磷光掺杂剂“pd”中。因此，从磷光掺杂剂“pd”发射红色光。根据本发明的一方面，当磷光掺杂剂“pd”相对于延迟荧光掺杂剂“td”的重量百分比大于约5％时，延迟荧光掺杂剂“td”的能量可能被迅速转移到磷光掺杂剂“pd”中，使得只在磷光掺杂剂“pd”中产光，因此会难以实现由延迟荧光掺杂剂提供的高的发光效率和相对较宽的fwhm，并且会难以改善oled的发光效率和色彩连续性。因此，根据本发明的一方面，在oledd1中，磷光掺杂剂“pd”相对于延迟荧光掺杂剂“td”的重量百分比等于或小于约5％，推荐等于或小于约％，使得延迟荧光掺杂剂“td”的一部分能量保留在延迟荧光掺杂剂“td”中。因此。珠海稳压二极管销售捷捷微二极管原装现货。

    TVS瞬态抑制二极管的作用：实际应用中TVS二极管是反向并联在电路中，当二极管两端瞬间通过高能量的冲击时，二极管能够在极短的时间内由关闭状态转换为导通状态，瞬间将电路中高能量冲击吸收，并且将后端电路电压钳位在固定的电压值上，从而到达保护后端电路的作用。现以ST公司的SMBJ系列二极管数据手册进行功能参数介绍：现以ST公司的SMBJ系列二极管数据手册进行功能参数介绍：电器特征参数定义Ppp（Peakpulsepower脉冲峰值电压功率）VRM（Stand-off反向工作电压/隔离电压/反向关断电压）VBR（Breakdownvoltage击穿电压）VCL(Clampingvoltage钳位电压)IRM（Leakagecurrent泄露电流）IPP（Peakpulsecurrent峰值脉冲电流）VF(Forwardvoltagedrop正向压降)特征参数：器件特性：Ppp（Peakpulsepower脉冲峰值电压功率）600W（10/1000us）4Kw（8/20us）(参数解释：10/1000us和8/20us为两种不同的浪涌测试波形，两种波形能量不一样。8/20uS是雷击浪涌的一种波形，10/1000us也是浪涌的一种波形，10us表示冲击脉冲到达90%电流峰值的时间,而1000us表示从电流峰值到半峰值的时间。)反向工作电压：Vs5V-188V低泄漏电流：--μAat25°C--1μAat85°C。

    第二电极412为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分别被定位在发光部分430与第二发光部分450之间和第二发光部分450与第三发光部分470之间。即，发光部分430、cgl480、第二发光部分450、第二cgl490和第三发光部分470顺序堆叠在电极410上。换言之，发光部分430被定位在电极410与cgl480之间，第二发光部分450被定位在cgl480与第二cgl490之间。此外，第三发光部分470被定位在第二电极412与第二cgl490之间。发光部分430可以包括顺序堆叠在电极410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在电极410与eml420之间，hil432被定位在电极410与htl434之间。此外，etl436被定位在eml420与cgl480之间。eml420包含蓝色掺杂剂422。例如，蓝色掺杂剂422可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是eml420还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂422的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第二发光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480与第二eml440之间，第二etl454被定位在第二eml440与第二cgl490之间。乐山二极管一级代理商。

    显示装置300包括：其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310与第二基板370之间的oledd2和在oledd2与第二基板370之间的滤色器层380。oledd2向滤色器层380提供白光。基板310和第二基板370各自可以为玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以为聚酰亚胺基板。在基板上形成有缓冲层320，以及在红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的缓冲层320上形成有薄膜晶体管(tft)tr。缓冲层320可以省略。在缓冲层320上形成有半导体层322。半导体层322可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层322包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层322下方形成光屏蔽图案(未示出)。到半导体层322的光被光屏蔽图案屏蔽或阻挡，使得可以防止半导体层322的热降解。另一方面，当半导体层322包含多晶硅时，可以在半导体层322的两侧中掺杂杂质。在半导体层322上形成有栅极绝缘层324。栅极绝缘层324可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在栅极绝缘层324上形成有由导电材料(例如金属)形成的栅极电极330以与半导体层322的中心相对应。在图6中，栅极绝缘层324形成在基板310的整个表面上。或者。华南强茂二极管代理商公司。东莞肖特基 二极管代理

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    20.根据实施方案19所述的有机发光二极管，其中所述第二磷光掺杂剂相对于所述第二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。21.一种有机发光显示装置，包括：基板；有机发光二极管，所述有机发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：电极；面向所述电极的第二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述第二电极之间的发光材料层；以及布置在所述基板与所述有机发光二极管之间并与所述有机发光二极管连接的薄膜晶体管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。22.根据实施方案20所述的有机发光显示装置，还包括：布置在所述基板与所述有机发光二极管之间或在所述有机发光二极管上方的滤色器层。23.一种照明装置，包括：基板；以及有机发光二极管，所述有机发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：电极；面向所述电极的第二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述第二电极之间的发光材料层，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。上海肖特基 二极管厂家

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