企业商机
SIP封装基本参数
  • 品牌
  • 云茂
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • B***GA,CSP,QFP/PFP,MCM,SDIP,SOP/SOIC,PLCC,TSOP,TQFP,PQFP,SMD,DIP
SIP封装企业商机

系统集成封装(System in Package)可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化系统中,以实现更高的性能,功能和处理速度,同时大幅降低电子器件内部的空间要求。SiP的基本定义,SiP封装(System In Package系统级封装)是将多种功能芯片,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能,与SOC(System On Chip系统级芯片)相对应。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上进行并排或叠构后组成功能系统后进行封装。而SOC则是将所需的组件高度集成在一块芯片上进行封装。封装基板的分类有很多种,目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。江西模组封装

江西模组封装,SIP封装

2.5D SIP,2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度,因为其集成密度超越了2D,但又达不到3D集成密度,取其折中,因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域,2.5D是特指采用了中介层(interposer)的集成方式,中介层目前多采用硅材料,利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构:所有芯片和无源器件均在XY平面上方,至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上,在XY平面的上方有中介层的布线和过孔,在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接:中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲,中介层可以有TSV也可以没有TSV,但在进行高密度互连时,TSV几乎是不可或缺的,中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。湖南芯片封装供应商一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。

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SiP 封装种类,SiP涉及许多类型的封装技术,如超精密表面贴装技术(SMT)、封装堆叠技术,封装嵌入式技术、超薄晶圆键合技术、硅通孔(TSV)技术以及芯片倒装(Flip Chip)技术等。 封装结构复杂形式多样。SiP几种分类形式,从上面也可以看到SiP是先进的封装技术和表面组装技术的融合。SiP并没有一定的结构形态,芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。由于2D封装无法满足系统的复杂性,必须充分利用垂直方向来进一步扩展系统集成度,故3D成为实现小尺寸高集成度封装的主流技术。

系统级封装的简短历史,在1980年代,SiP以多芯片模块的形式提供。它们不是简单的将芯片放在印刷电路板上,而是通过将芯片组合到单个封装中来降低成本和缩短电信号需要传输的距离,通过引线键合进行连接的。半导体开发和发展的主要驱动力是集成。从SSI(小规模集成 - 单个芯片上的几个晶体管)开始,该行业已经转向MSI(中等规模集成 - 单个芯片上数百个晶体管),LSI(大规模集成 - 单个芯片上数万个晶体管),ULSI(超大规模集成 - 单个芯片上超过一百万个晶体管),VLSI(超大规模集成 - 单个芯片上数十亿个晶体管),然后是WSI(晶圆级集成 - 整体)晶圆成为单个超级芯片)。所有这些都是物理集成指标,没有考虑所需的功能集成。因此,出现了几个术语来填补空白,例如ASIC(专门使用集成电路)和SoC(片上系统),它们将重点转移到更多的系统集成上。随着SiP模块成本的降低,且制造工艺效率和成熟度的提高。

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SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术,封装成型可依据客户设计制作不同形状模块,甚至是3D立体结构,藉此可将整体尺寸缩小,预留更大空间放置电池,提供更大电力储存,延长产品使用时间,但功能更多、速度更快,因此特别适用于射频相关应用如5G毫米波模块、穿戴式装置及汽车电子等领域。微小化制程三大关键技术,在设计中元器件的数量多寡及排布间距,即是影响模块尺寸的较主要关键。要能够实现微小化,较重要的莫过于三项制程技术:塑封、屏蔽及高密度打件技术。SIP发展趋势,多样化,复杂化,密集化。江西模组封装

SiP并没有一定的结构形态,芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。江西模组封装

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式,芯片一般用MicroBump与中介层连接,硅基板做中介层使用Bump与基板连接,硅基板的表面采用RDL接线,TSV是硅基板上、下表面的电连接通道,该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合,当引脚密度较大时,通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示,有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上,该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大,可以安装多个较小的裸芯片,但是小芯片无法直接连接到基板,所以需要插入一块中介层,若干裸芯片安装于中介层之上,中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号,再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV,只需在interposer的上层布线来实现电气互连,interposer采用Bond Wire和封装基板连接。江西模组封装

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SIP工艺解析:表面打标,打标就是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识,包括制造商的信息、国家、器件代码等,主要介绍激光印码。测试,它利用测试设备(Testing Equipment)以及自动分选器(Handler),测定封装IC的电气特性,把良品、不良品区分开来;对某些产品,还要根据测试结果进行良品的分级。测试按功能可分为DC测试(直流特性)、AC测试(交流特性或timing特性)及FT测试(逻辑功能测试)三大类。同时还有一些辅助工序,如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试等。SiP封装方法的应用领域逐渐扩展到工业控制、智能汽车、云计算、医疗电子等许多新兴领域。江苏...

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