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SiP技术特点：设计优势，SiP技术允许设计师将来自不同制造商的较佳芯片组合在一起，实现定制化的解决方案，这种灵活性使得SiP在多样化的市场需求中具有普遍的应用前景。主要优势如以下几点：空间优化：通过将多个组件集成到一个封装中，SiP可以明显减少电路板上所需的空间。性能提升：SiP可以通过优化内部连接和布局来提升性能，减少信号传输延迟。功耗降低：紧密集成的组件可以减少功耗，特别是在移动和便携式设备中。系统可靠性：减少外部连接点可以提高系统的整体可靠性。汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。江苏COB封装服务商

SIP工艺解析：装配焊料球，目前业内采用的植球方法有两种：“锡膏”+“锡球”和“助焊膏”+“锡球”。(1)“锡膏”+“锡球”，具体做法就是先把锡膏印刷到BGA的焊盘上，再用植球机或丝网印刷在上面加上一定大小的锡球。(2)“助焊膏”+“锡球”，“助焊膏”+“锡球”是用助焊膏来代替锡膏的角色。分离，为了提高生产效率和节约材料，大多数SIP的组装工作都是以阵列组合的方式进行，在完成模塑与测试工序以后进行划分，分割成为单个的器件。划分分割主要采用冲压工艺。四川IPM封装流程不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。

SiP模块可靠度及失效分析，由于内部线路和基板之间的复杂链接，当模块出现问题时，分析微米级组件的异常变得特别具有挑战性，尤其是在电性测试期间，其他部件的导电性会影响测定结果。而且某些异常污染可能光只有几奈米的厚度，如：氧化或微侵蚀，使用一般的光学或电子显微镜根本无法发现。为了将制程问题降至较低，云茂电子在SiP模块失效分析领域持续强化分析能力，以X射线检测(3D X–ray)、材料表面元素分析(XPS) 及傅立叶红外线光谱仪（FTIR）等三大品管仪器找出解决之道。

晶圆级封装（WLP）：1、定义，在晶圆原有状态下重新布线，然后用树脂密封，再植入锡球引脚，然后划片将其切割成芯片，从而制造出真实芯片大小的封装。注：重新布线是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布线层。2、优势，传统封装中，将芯片装进封装中的时候，封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造，而且封装也是批量化制造，可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术（FCB），所以被称为FBGA（Flip Chip类型的BGA），芯片被称为晶圆级CSP（Chip Size Package）。工艺流程，晶圆级封装工艺流程：① 再布线工程（形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]）；② 形成通孔和重新布线层（用来连接芯片和外部端子）；③ 形成铜柱，并在铜柱上面生成凸点；④ 用树脂密封，再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。SIP模组尺寸小，在相同功能上，可将多种芯片集成在一起，相对单独封装的IC更能节省PCB的空间。

SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件（IC、MOS等）以及各类无源元件如电阻、电容等集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展，传统的失效分析方法已不能完全适应当前技术发展的需要。为了满足SiP产品的失效分析，实现内部互连结构和芯片内部结构中失效点的定位，分析技术必须向高空间分辨率、高电热测试灵敏度以及高频率的方向发展。典型的SiP延用COB工艺，将电路板的主要器件塑封（COB），再把COB器件以元器件贴片到FPC软板上。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。江苏COB封装服务商

SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。江苏COB封装服务商

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。江苏COB封装服务商