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特种封装基本参数
  • 品牌
  • 云茂
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,TQFP,PQFP,SMD,BGA,TSOP,QFP/PFP,QFP,CSP,PGA,MCM,SDIP,SOP/SOIC,PLCC
特种封装企业商机

封装的概念,封装是将元器件或芯片封装在外壳中,能够保护芯片、提高元件的机械强度和耐热性等性能,保证电器性能的稳定性和可靠性。各种封装的特点及应用:1. IC封装,IC封装的特点是器件密度高,可靠性好,耐热性能好,体积小。常见应用场景是手机、电视、路由器、计算机等电子产品。2. 模块封装,模块封装的特点是器件的封装形式简单,易于加工和安装。常见应用场景是汽车、航空航天、家庭电器等。3. 裸芯封装,裸芯封装的特点是器件体积小、效率高、可靠性好。常见应用场景是智能卡、手机等电子产品。D-PAK 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好,缺点是散热性能较差。南通半导体芯片特种封装技术

南通半导体芯片特种封装技术,特种封装

在选择芯片封装类型时,主要考虑以下几个方面的因素:1、封装体的尺寸。由于封装工艺的极限会限制芯片尺寸(长度、宽度和厚度),在选择封装体时,首先保证芯片能够安装进封装体,再根据产品厚度要求选择封装体厚度。随着消费类电子越来越朝轻、薄、短、小的方向发展,封装产品的厚度也越来越薄,选择封装体尺寸应优先选择小尺寸、薄型的封装体,以节约PCB的面积。2、封装体引脚数,所选择的封装体总引脚数应等于或大于集成电路芯片所需要的引出端总数(包括输人、输出、控制端、电源端、地线端等)。河北专业特种封装厂商大模块金属封装的逐步普及和应用,为工业自动化和能源节约提供了可靠的技术支持。

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VQFN,一种应用于微电子元器件上的封装方法,VQFN(Very-thin quad flat no-lead),译为超薄无引线四方扁平封装,是一种应用于微电子元器件上的封装方法(基于QFN)。德州仪器公司和部分公司(如艾特梅尔公司)作为其主要生产商。其特点正如其译名:减少了铅的使用、准芯片级的封装、厚度小、重量轻,极适合那些对尺寸重量有苛刻需求的厂家。VQFN的优点是无铅使用、体积小、薄、重量轻,热性能、导电性能稳定理想。这种封装技术的缺点依赖于其特性。小体积的焊点和大面积的裸露焊盘使得装配过程中元件部分很容易浮在焊盘下融化的大量焊锡中。这会导致虚焊。而又由于VQFN出色的导热性能,返修重焊是很困难的。所以VQFN封装技术的制造成功率低,返修维护困难。

半导体封装根据密封性分类,按封装密封性方式可分为气密性封装和树脂封装两类。他们的目的都是将晶体与外部温度、湿度、空气等环境隔绝,起保护和电气绝缘作用;同时还可实现向外散热及缓和应力。其中气密性封装可靠性较高,但价格也高,目前由于封装技术及材料的改进,树脂封占一定优势,只是在有些特殊领域,尤其是国家等级用户中,气密性封装是必不可少的。气密性封装所用到的外壳可以是金属、陶瓷玻璃,而其中气体可以是真空、氮气及惰性气体。PGA 封装是一种陶瓷封装方式,通常用于高频、高功率的场合。

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功率器件模块封装结构演进趋势,IGBT作为重要的电力电子的主要器件,其可靠性是决定整个装置安全运行的较重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术,该技术不但提高了封装密度,同时也缩短了芯片之间导线的互连长度,从而提高了器件的运行速率。按照封装形式和复杂程度,IGBT产品可以分为裸片DIE、IGBT单管、IGBT模块和IPM模块。1、裸片DIE:由一片晶圆切割而成的多颗裸片DIE;2、IGBT单管:由单颗DIE封装而成的IGBT分立器件,电流能力小,适用于家电等领域;3、IGBT模块:由多颗DIE并联封装而成,功率更大、散热能力更强,适用于新能源汽车、高铁、光伏发电等大功率领域;4、IPM模块:在IGBT模块外部增加其他功能的智能功率模块(IPM)。对于需要散热效率高的电子器件或模块,使用高导热 TO 外壳封装能够达到更好的散热效果。河北专业特种封装厂商

QFP 封装是一种塑料封装方式,通常用于高频、低功率的场合。南通半导体芯片特种封装技术

大模块金属封装,大模块金属封装通常用于高功率、高电压、大电流等特殊场合,具有散热性能好、结构稳定、安全可靠等特点。大模块金属封装的逐步普及和应用,为工业自动化和能源节约提供了可靠的技术支持。如图7所示为两种大模块金属封装模块。大模块金属封装的焊接设备,可采用GHJ-5大模块平行滚焊机,该机手套箱配真空烘烤富室,加热板设定温度可到180摄氏度,采用双加热板内加热的方式;烘烤真空度保持在20-50Pa范围;适用于边长5~300mm扁平式金属壳座的封装及光电器件的蝶形封装,可以存储不同元器件的相关参数,实现一键切换。南通半导体芯片特种封装技术

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