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    导致VT1管进入饱和状态，VT1可能会发烧，严重时会烧坏VT1。如果VD1出现击穿故障，会导致VT1管基极直流偏置电压下降，三极管VT1直流工作电流减小，VT1管放大能力减小或进入截止状态。二极管控制电路及故障处理二极管导通之后，它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变，正向电流愈大，正向电阻愈小；反之则大。利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性，可以构成一些自动控制电路。如图9-43所示是一种由二极管构成的自动控制电路，又称ALC电路（自动电平控制电路），它在磁性录音设备中（如卡座）的录音电路中经常应用。图9-43二极管构成的自动控制电路1．电路分析准备知识说明二极管的单向导电特性只是说明了正向电阻小、反向电阻大，没有说明二极管导通后还有哪些具体的特性。二极管正向导通之后，它的正向电阻大小还与流过二极管的正向电流大小相关。尽管二极管正向导通后的正向电阻比较小（相对反向电阻而言），但是如果增加正向电流，二极管导通后的正向电阻还会进一步下降，即正向电流愈大，正向电阻愈小，反之则大。不熟悉电路功能对电路工作原理很不利，在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。 二极管模块分为：快恢复二极管模块，肖特基二极管模块，整流二极管模块、光伏防反二极管模块等。河南西门康SEMIKRON二极管哪里有卖的

    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 河南西门康SEMIKRON二极管哪里有卖的整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。

    3）从分流支路电路分析中要明白一点：从级录音放大器输出的信号，如果从VD1支路分流得多，那么流入第二级录音放大器的录音信号就小，反之则大。4）VD1存在导通与截止两种情况，在VD1截止时对录音信号无分流作用，在导通时则对录音信号进行分流。5）在VD1正极上接有电阻R1，它给VD1一个控制电压，显然这个电压控制着VD1导通或截止。所以，R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。分析这个电路大的困难是在VD1导通后，利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析，即二极管的正向电流愈大，其正向电阻愈小，流过VD1的电流愈大，其正极与负极之间的电阻愈小，反之则大。3．控制电路的一般分析方法说明对于控制电路的分析通常要分成多种情况，例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言，控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。1）电路中没有录音信号时，直流控制电压Ui为0，二极管VD1截止，VD1对电路工作无影响，级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。2）当电路中的录音信号较小时，直流控制电压Ui较小，没有大于二极管VD1的导通电压，所以不足以使二极管VD1导通。

    2CP1554硅二极管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二极管Ir≤≤,≤,[1]整流二极管高频整流二极管的特性与参数编辑开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点，还应具有足够大的输出功率，可以采用以下三种类型的整流二极管：快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖特基整流二极管。快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降，其范围是从～。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。因此，它们特别适合于在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。由于现代的开关电源工作频率都在20kHz以上，比起一般的整流二极管，快速恢复整流二极管和超快速恢复整流二极管的反向恢复时间莎Ⅱ减小到了毫微秒级，因此，提高了电源的效率。据经验，在选择快速恢复整流二极管时，其反向恢复时间至少应该是开关晶体管的上升时间的1/3。这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰，而这种尖峰直接影响输出直流电压的纹波。另外，虽然某些称为软恢复型整流二极管的噪声较小，但是它们的反向恢复时间较长，反向电流也较大，因而使得开关损耗增大，并不能满足开关电源的工作要求。 二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。

    从大型的液晶电视、电脑显示屏到媒体播放器MP3、MP4以及手机等的显示屏都将发光二极管用作屏背光源。[6]（2）汽车以及大型机械中的应用发光二极管在汽车以及大型机械中得到广应用。汽车以及大型机械设备中的方向灯、车内照明、机械设备仪表照明、大前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都运用了发光二极管。主要是因为发光二极管的响应快、使用寿命长（一般发光二极管的寿命比汽车以及大型机械寿命长）。[6]（3）煤矿中的应用由于发光二极管较普通发光器件具有效率高、能耗小、寿命长、光度强等特点，因此矿工灯以及井下照明等设备使用了发光二极管。虽然还未完全普及，但在不久将得到普遍应用，发光二极管将在煤矿应用中取代普通发光器件。[6]（4）城市的装饰灯在当今繁华的商业时代，霓虹灯是城市繁华的重要标志，但霓虹灯存在很多缺点，比如寿命不够长等。因此，用发光二极管替代霓虹灯有着很多优势，因为发光二极管与霓虹灯相比除了寿命长，还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果。 发光二极管芯片阵列固定在印刷电路板的一个面上。河南西门康SEMIKRON二极管哪里有卖的

二极管是早诞生的半导体器件之一。河南西门康SEMIKRON二极管哪里有卖的

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 河南西门康SEMIKRON二极管哪里有卖的