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    二极管（Diode）电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为正向偏置），反向时阻断（称为反向偏置）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。二极管按材料分为硅二极管、锗二极管、砷二极管等；按结构不同分为点接触二极管和面接触二极管；按用途分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。不管构成二极管的材料如何，结构如何，特性如何，二极管均具有单向导电性和非线性的特点。二极管是由半导体材料制成的，所谓半导体材料是指它的导电能力介于导体和绝缘体之间的一类特殊材料，半导体锗和半导体硅都属于这种材料。如图所示为二极管的外形、内部结构示意和符号。 面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的。陕西进口艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    二极管的两根引脚分别称为阳极和阴极，由P型半导体一侧引出的电极称为阳极，由N型半导体一侧引出的电极称为阴极。在二极管符号中，三角形底边一端为阳极，另一端为阴极。符号形象地表示了二极管电流流动的方向，即电流只能从阳极流向阴极，而不允许反方向流动。二极管是将PN结封装起来，并分别引出电极制成的。所谓PN结是将半导体材料(硅或锗)利用特殊工艺制成P型半导体和N型半导体，并将这两块半导体用专门技术结合起来，在它们的交界面上就会形成一个称为PN结的特殊结构。这个PN结对来自两个方向的电流呈现不同的性质，在外加电压足够大时(一般约0．3～0．6V)，电流只能从阳极(P型半导体一侧)流向阴极(N型半导体一侧)，反方向是不能导通的。二极管的电流、电压关系是指管内流过的电流与其两端所加电压之间的关系。对二极管施加正向电压和反向电压两种情况时，对应有二极管的导通状态和截止状态。1．正向偏置与导通状态二极管阳极接高电位，阴极接低电位，连接电路如图(a)所示，这种连接称为二极管的正向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小可以发现，当二极管VD两端正向电压较低时(小于0．5V)，电路中几乎没有电流，灯泡也不发光；当二极管两端正向电压大于0．5V后。 陕西艾赛斯IXYS二极管模块销售二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路。

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

    [4]二极管大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。[4]二极管高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。[4]二极管检测方法编辑二极管小功率晶体二极管1.判别正、负电极（1）观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。[7]（2）观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。[7]（3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。[7]2.检测高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。

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当二极管两端的反向电压达到称为击穿电压的值时，二极管对反向流动的高电阻突然降至低电阻。陕西进口艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    导通电压UD约为。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏[4]。二极管正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。[4]当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为，锗管约为。硅二极管的正向导通压降约为，锗二极管的正向导通压降约为。[4]二极管反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。 陕西进口艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源