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    以及设置于所述塑封体内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、至少两个基岛；其中，所述整流桥的一交流输入端通过基岛或引线连接所述火线管脚，第二交流输入端通过基岛或引线连接所述零线管脚，一输出端通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，第二输出端通过基岛或引线连接所述信号地管脚；所述逻辑电路的控制信号输出端输出逻辑控制信号，高压端口连接所述功率开关管的漏极，采样端口连接所述采样管脚，接地端口连接所述信号地管脚；所述功率开关管的栅极连接所述逻辑控制信号，漏极连接所述漏极管脚，源极连接所述采样管脚；所述功率开关管及所述逻辑电路分立设置或集成于控制芯片内。可选地，所述火线管脚、所述零线管脚、所述高压供电管脚及所述漏极管脚与临近管脚之间的间距设置为大于。可选地，所述至少两个基岛包括漏极基岛及信号地基岛；当所述功率开关管粘接于所述漏极基岛上时，所述漏极管脚的宽度设置为～1mm；当所述功率开关管设置于所述信号地基岛上时，所述信号地管脚的宽度设置为～1mm。可选地，所述至少两个基岛包括高压供电基岛及信号地基岛；所述整流桥包括一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管及第四整流二极管。 整流桥可以有4个单独的二极管连接而成。天津西门康SEMIKRON整流桥模块销售

    大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端)，很容易确定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时，其正向电阻值(黑表笔接正极)为～，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端肖特基二极管应先测出其公共端，判别出是共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。整流桥堆全桥的极性判别方法极性的判别1)外观判别法。 上海进口西门康SEMIKRON整流桥模块推荐货源本产品均采用全数字移相触发集成电路，实现了控制电路和晶闸管主电路集成一体化。

    所述火线管脚l、所述零线管脚n、所述高压供电管脚hv及所述漏极管脚drain与临近管脚之间的间距一般设置为大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，进而满足高压的安全间距要求。作为本实施例的一种实现方式，所述信号地管脚gnd的宽度大于，进一步设置为～1mm，以加强散热，达到封装热阻的作用。在本实施例中，如图1所示，所述火线管脚l、所述高压供电管脚hv及所述漏极管脚drain位于所述塑封体11的一侧，所述零线管脚n、所述信号地管脚gnd及所述采样管脚cs位于所述塑封体11的另一侧。需要说明的是，各管脚的排布位置及间距可根据实际需要进行设定，不以本实施例为限。如图1所示，所述整流桥的一交流输入端通过基岛或引线连接所述火线管脚，第二交流输入端通过基岛或引线连接所述零线管脚，一输出端通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，第二输出端通过基岛或引线连接所述信号地管脚。具体地，作为本实用新型的一种实现方式，所述整流桥包括四个整流二极管，各整流二极管的正极和负极分别通过基岛或引线连接至对应管脚。在本实施例中，所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现，其中，一整流二极管dz1及第二整流二极管dz2为n型二极管。

    本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术：目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用，由于用量十分巨大，对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低，主流的拓扑架构基本已经定型，很难再从外圈节省某个元器件，同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限，基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成，系统中至少有三个不同封装的芯片，导致芯片的封装成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何节省封装成本，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组，用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构，所述合封整流桥的封装结构至少包括：塑封体，设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚。 整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

    所述第二插片为两个。推荐的，所述线圈架上设有供所述第二插接片插入的插接槽；通过设置插接槽便于对第二插片进行安装，第二插片插入到插接槽当中，插接槽的内壁对第二插片进行限位。推荐的，所述第二插片侧壁上设有电连凸部，所述整流桥堆一侧设有与所述电连凸部相连的凸出部。推荐的，所述整流桥堆另一侧设有与所述一插片相连的凸部。推荐的，所述线圈架上设有凹陷部，所述一插片设于所述凹陷部内；通过设置凹陷部可便于在安装一插片的时候，一插片直接嵌入到凹陷部当中，其安装速度快，装配稳定。推荐的，所述线圈架上部设有一限位凸部，下部设有第二限位凸部；所述一插片和第二插片均设于所述一限位凸部上；通过设置一限位凸部和第二限位凸部，其可便于绕设线圈。推荐的，所述一限位凸部上设有凹槽部，所述整流桥堆设于所述凹槽部内；通过设置凹槽部可便于对整流桥堆准确的进行安装，其具有定位效果。推荐的，所述电连凸部与所述凸出部焊锡或电阻焊连接；通过将电连凸部和凸出部之间进行电连，其两者连接牢固，电能传输稳定。综上所述，本实用新型的优点在于将整流桥堆内嵌到电磁阀中，实现了电磁阀自身的全波整流功能，从而降低了制造成本。 多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。广东哪里有西门康SEMIKRON整流桥模块销售

桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。天津西门康SEMIKRON整流桥模块销售

    生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结—环境的热阻（Rja）和当元器件自带一散热器，通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻（Rjc）。2整流桥模块的结构特点1、铝基导热底板：其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热线性膨胀系数铝为16．7×10-6／℃，DBC约不5．6×10-6／℃)相差较大，为此，除需采用掺磷、镁的铜银合金外，并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯，这种存在s一定弧度的焊成品，能在模块装置到散热器上时，使它们之间有充分的接触，从而降低模块的接触热阻，保证模块的出力。2、DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以用作主电路端子和控制端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘。 天津西门康SEMIKRON整流桥模块销售