原料准备
◦ 主要成分:树脂(成膜剂,如酚醛树脂、聚酰亚胺等)、感光剂(光引发剂或光敏化合物,如重氮萘醌、光刻胶单体)、溶剂(溶解成分,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))、添加剂(调节粘度、感光度、稳定性等,如表面活性剂、稳定剂)。
◦ 原料提纯:对树脂、感光剂等进行高纯度精制(纯度通常要求99.9%以上),避免杂质影响光刻精度。
配料与混合
◦ 按配方比例精确称量各组分,在洁净环境,如万中通过搅拌机均匀混合,形成胶状溶液。
◦ 控制温度(通常20-30℃)和搅拌速度,避免气泡产生或成分分解。
过滤与纯化
◦ 使用纳米级滤膜(孔径0.05-0.2μm)过滤,去除颗粒杂质(如金属离子、灰尘),确保胶液洁净度,避免光刻时产生缺陷。
性能检测
◦ 物理指标:粘度、固含量、表面张力、分子量分布等,影响涂布均匀性。
◦ 化学指标:感光度、分辨率、对比度、耐蚀刻性,通过曝光实验和显影测试验证。
◦ 可靠性:存储稳定性(常温/低温保存下的性能变化)、耐温性(烘烤过程中的抗降解能力)。
包装与储存
◦ 在惰性气体(如氮气)环境下分装至避光容器(如棕色玻璃瓶或铝罐),防止感光剂氧化或光分解。
◦ 储存条件:低温(5-10℃)、避光、干燥,部分产品需零下环境(如EUV光刻胶)。
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产品特点:耐溶剂型优良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能优良;经特殊乳化聚合技术处理,网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高;剥膜性好,网版可再生使用;解像性、高架桥性好,易做精细网点和线条;感光度高,曝光时间短,曝光宽容度大,节省网版作业时间,提高工作效率 。
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应用范围:适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板(PCB)、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案,满足皮革制品精细印刷需求,制作各类标牌保证图案清晰,用于 PCB 制造满足高精度要求等。
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技术挑战:
◦ 技术壁垒:EUV光刻胶、3nm以下制程材料仍处研发阶段,光刻胶分辨率、灵敏度与国际水平存在差距(如东京应化ArF胶分辨率达14nm)。
◦ 供应链风险:树脂、光引发剂等原材料自给率不足8%,部分依赖进口(如日本信越化学);美国对华技术封锁可能影响设备采购。
◦ 客户验证:光刻胶需通过晶圆厂全流程测试,验证周期长(1-2年),国内企业在头部客户渗透率较低。
未来展望:
◦ 短期(2025-2027年):KrF/ArF光刻胶国产化率预计提升至10%-15%,南大光电、上海新阳等企业实现28nm-7nm制程产品量产,部分替代日本进口。
◦ 中期(2028-2030年):EUV光刻胶进入中试验证阶段,原材料自给率提升至30%,国内企业在全球市场份额突破15%。
◦ 长期(2030年后):实现光刻胶全产业链自主可控,技术指标对标国际前列,成为全球半导体材料重要供应商。
公司遵循国际质量管理标准,通过 ISO9001:2008 认证,并在生产过程中执行 8S 现场管理,从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例,其无卤无铅配方符合环保要求,同时具备低飞溅、高润湿性等特点,适用于电子产品组装。此外,公司建立了行业标准化实验室,配备先进检测设备,确保产品性能达到国际同类水平。
凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
告别显影残留!化学增幅型光刻胶助力封装。
广东吉田半导体材料有限公司,坐落于松山湖经济技术开发区,是半导体材料领域的一颗璀璨明珠。公司注册资本 2000 万元,专注于半导体材料的研发、生产与销售,是国家高新技术企业、广东省专精特新企业以及广东省创新型中小企业。
强大的产品阵容:吉田半导体产品丰富且实力强劲。芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶精细满足芯片制造、微纳加工等关键环节需求;半导体锡膏、焊片在电子焊接领域性能;靶材更是在材料溅射沉积工艺中发挥关键作用。这些产品远销全球,与众多世界 500 强企业及电子加工企业建立了长期稳固的合作关系。
雄厚的研发生产实力:作为一家拥有 23 年研发与生产经验的综合性企业,吉田半导体具备行业前列规模与先进的全自动化生产设备。23 年的深耕细作,使其在技术研发、工艺优化等方面积累了深厚底蕴,能够快速响应市场需求,不断推出创新性产品。
严格的质量管控:公司始终将品质视为生命线,严格按照 ISO9001:2008 质量体系标准监控生产制程。生产环境执行 8S 现场管理,从源头抓起,所有生产材料均选用美国、德国、日本等国家进口的高质量原料,确保客户使用到超高质量且稳定的产品。
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关键工艺流程
涂布与前烘:
◦ 旋涂或喷涂负性胶,厚度可达1-100μm(远厚于正性胶),前烘温度60-90℃,去除溶剂并增强附着力。
曝光:
◦ 光源以**汞灯G线(436nm)**为主,适用于≥1μm线宽,曝光能量较高(约200-500mJ/cm²),需注意掩膜版与胶膜的贴合精度。
显影:
◦ 使用有机溶剂显影液(如二甲苯、醋酸丁酯),未曝光的未交联胶膜溶解,曝光的交联胶膜保留。
后处理:
◦ 后烘(Post-Bake):加热(100-150℃)进一步固化交联结构,提升耐干法蚀刻或湿法腐蚀的能力。
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