ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM8625P 等型号的音频功放芯片,采用高度集成化架构。内置 32 位高精度音频 DSP,处理带宽最大支持 96kHz(192kHz 采样率)。这种架构赋予芯片强大的音频处理能力,能执行复杂音频算法。如内部集成 2×15 个均衡器,可对不同频段音频信号准确调节,满足不同音乐风格与场景的音效需求;3 段 DRC(动态范围控制)能自动调整音频动态范围,避免声音忽大忽小,确保音频播放的稳定性与舒适度;还有 AGL 等调音算法,优化整体音质。同时,新型 PWM 脉宽调制架构根据音频信号大小动态调整脉宽,在保障音频性能前提下,有效降低静态功耗,提升能源利用效率 。户外直播音响设备选用ACM8623,凭借其高保真音质与便携设计,让主播声音清晰传达,提升直播互动效果。广东绿色环保至盛ACM8623

至盛 ACM9631、ACM9632、ACM9634 等芯片应用于车载音响系统。这些芯片具备单 / 双通道、四通道配置,支持负载检测功能。在车载环境中,当音响系统检测到无负载情况(如扬声器故障或未正确连接)时,芯片可自动降低功放音频输出功率,实现节电与保护功能,提高系统智能化与安全性。同时,芯片能适应车载电源电压波动,提供稳定音频放大,确保在车辆行驶过程中,无论发动机运转状态如何,都能为驾乘人员提供质优、稳定的音乐播放效果,提升车载娱乐体验。江苏自主可控至盛ACMACM8816在音频放大器领域,提供高保真、高效率的功率放大解决方案。

至盛 ACM 芯片的出现深刻改变了蓝牙音响的产品形态。由于芯片的高集成度与低功耗特性,蓝牙音响的体积得以进一步缩小,设计更加轻薄便携。例如,一些采用至盛 ACM 芯片的蓝牙音响,体积小巧如鸡蛋,方便用户随身携带,无论是户外运动、旅行还是日常出行,都能轻松享受音乐。同时,芯片强大的功能支持使得蓝牙音响的功能更加多样化,除了传统的音频播放功能外,还集成了智能语音交互、多设备连接等功能。这促使蓝牙音响从单纯的音频播放设备向智能化、多功能化的移动终端转变,产品形态也更加丰富多样,如出现了兼具照明功能的蓝牙音响、可穿戴式蓝牙音响等创新产品,满足了用户在不同场景下的多样化需求,推动了蓝牙音响产品形态的创新发展。
至盛功放芯片通过其先进的音频处理技术,能够呈现出纯净细腻的音质。这种音质不仅表现在声音的清晰度和透明度上,更体现在对音色细节的精细捕捉和呈现上。无论是低音的深沉、中音的饱满还是高音的明亮,至盛功放芯片都能将其表现得淋漓尽致。至盛功放芯片拥有宽广的音域和出色的动态范围,这意味着它能够处理从低音到高音的各种频率,并且在各种音量下都能保持音质的稳定性和一致性。这种特性使得至盛功放芯片在播放音乐时能够呈现出更为丰富的声音层次和动态效果。ACM8816芯片工作电压范围宽(4.5V-60V),采用QFN-48封装,效率高且无需外接散热器。

ACM3221在音频指标上实现多项突破。其总谐波失真加噪声(THD+N)在1W输出、1kHz信号、5V供电条件下低至0.03%,较同类产品提升15%,确保人声与乐器的细腻还原。底噪控制方面,A加权噪声≤12μVrms,接近人耳听觉阈值,在安静环境下播放轻音乐时无可闻杂音。输出失调电压≤1mV,避免开机瞬间的“噗噗”声,提升用户体验。效率方面,在1.7W输出、8Ω负载时可达93%,较AB类功放节能60%以上,有效减少发热问题。此外,芯片内置自动增益控制(AGC)和噪声抑制算法,可动态调整输入信号幅度,抑制突发噪声,在地铁、商场等嘈杂环境中仍能保持清晰输出。在温度控制器应用中,至盛 ACM 芯片准确把控温度变化。河源国产至盛ACM
至盛12S数字功放芯片集成马达驱动预驱电路,可控制无刷直流电机实现0-10万转无极调速。广东绿色环保至盛ACM8623
至盛 ACM 芯片在不同市场领域展现出了明显的竞争优势。在中高级蓝牙音响市场,其凭借优良的音频处理性能、强大的蓝牙连接稳定性以及丰富的音效增强技术,满足了追求品质高的音乐体验用户的需求,与国际有名品牌芯片展开有力竞争。在便携式蓝牙音响市场,芯片的低功耗设计、高集成度以及小巧的尺寸,使得产品能够实现更长的续航时间、更轻便的外观设计,深受消费者喜爱,在该细分市场占据一席之地。而在新兴的智能蓝牙音响市场,芯片前列的智能语音交互功能,能够快速响应市场对智能化产品的需求,为制造商提供了具有竞争力的解决方案,助力其在市场竞争中脱颖而出,通过在不同市场发挥独特优势,至盛 ACM 芯片不断扩大市场份额,提升品牌影响力。广东绿色环保至盛ACM8623
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
河南ATS芯片ACM8623
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河北ATS芯片ATS2825C
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上海ACM芯片ACM3108ETR
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甘肃家庭音响芯片ACM8628
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黑龙江ACM芯片ATS2819
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