通俗易懂的三极管工作原理*1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能发生了质的飞跃,具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用,首先,制造工艺上的两个特点:(1)基区的宽度做的非常薄;(2)发射区掺杂浓度高,即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。2、晶体三极管的工作原理。其次,三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V);(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);(c)若要取得...
故L型滤波器又称为K常数滤波器。倘若一滤波器的构成部分,较K常数型具有较尖锐的截止频率(即对频率范围选择性强),而同时对此截止频率以外的其他频率只有较小的衰减率者,称为m常数滤波器。所谓截止频率,亦即与滤波器有尖锐谐振的频率。通带与带阻滤波器都是m常数滤波器,m为截止频率与被衰减的其他频率之衰减比的函数。每一m常数滤波器的阻抗与K常数滤波器之间的关系,均由m常数决定,此常数介于0~1之间。当m接近零值时,截止频率的尖锐度增高,但对于截止频的倍频之衰减率将随着而减小。合于实用的m值为。至于那一频率需被截止,可调节共振臂以决定之。m常数滤波器对截止频率的衰减度,决定于共振臂的有效Q值之大小。若达K...
VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(AV)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---比较大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(比较高测试电压)V(BR)---...
晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。结构如图(a)所示,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂质浓度很低;位于上层的N区是发射区,掺杂浓度很高;位于下层的N区是集电区,面积很大;它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路,为输入电压信号,它接入基极-发射极回路,称为输入回路;放大后的信号在集电极-发射极回路,称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端,故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置,所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源的...
晶体管(transistor)是一种类似于阀门的固体半导体器件,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年,由美国物理学家约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和英国物理学家威廉·肖克利(WilliamShockley,1910—1989)所发明。他们也因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年诺贝尔物理奖。二战之后,贝尔实验室成立了一个固体物理研究小组,他们要制造一种能替代电子管的半导体器件。此前,贝尔实验室就对半导体材料进行了研究,发现掺杂的半导体整流性能比电子管好。因此小组把注意力放在了锗和硅这两种半导体材料上。kxy第一种FinFET晶体管类型称为“耗尽型贫沟道晶体管”或“ D...
在正向活动模式下,NPN晶体管处于偏置状态。通过直流电源Vbb,基极到发射极的结点将被正向偏置。因此,在该结的耗尽区将减少。集电极至基极结被反向偏置,集电极至基极结的耗尽区将增加。多数电荷载流子是n型发射极的电子。基极发射极结正向偏置,因此电子向基极区域移动。因此,这会导致发射极电流Ie。基极区很薄,被空穴轻掺杂,形成了电子-空穴的结合,一些电子保留在基极区中。这会导致基本电流Ib非常小。基极集电极结被反向偏置到基极区域中的空穴和电子,而正偏向基极区域中的电子。集电极端子吸引的基极区域的剩余电子引起集电极电流Ic。在此处查看有关NPN晶体管的更多信息vt是一个npn型三极管,起放大作用。山西晶...
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---比较大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向比较大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---比较大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反...
按功能结构分类:集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。按制作工艺分类:集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。按导电类型不同分类:集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。按用途分类:集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(...
什么是晶体管配置?通常,共有三种类型的配置,其关于增益的描述如下:共基(CB)配置:它没有当前增益,但具有公共集电极(CC)配置:它具有电流增益,但是没有电压增益.公共发射极(CE)配置:它同时具有电流增益和电压增益.晶体管公共基极(CB)配置:在此电路中,将基座放置在输入和输出共用的位置.它具有低输入阻抗(50-500欧姆).它具有高输出阻抗(1-10兆欧).相对于基础端子测得的电压.因此,输入电压和电流将为Vbe&Ie,输出电压和电流将为Vcb&Ic.电流增益将小于1,即alpha(dc)=Ic/Ie电压增益将很高.功率增益将是平均水平.晶体管设计,就选深圳市凯轩业科技,让您满意,欢迎您的...
晶体管公共发射极(CE)配置:在此电路中,放置了发射极输入和输出通用。输入信号施加在基极和发射极之间,输出信号施加在集电极和发射极之间。Vbb和Vcc是电压。它具有高输入阻抗,即(500-5000欧姆)。它具有低输出阻抗,即(50-500千欧)。电流增益将很高(98),即beta(dc)=Ic/Ie功率增益高达37db。输出将异相180度。晶体管公共集电极配置:在此电路中,集电极对输入和输出均通用。这也称为发射极跟随器。输入阻抗高(150-600千欧),输出阻抗低(100-1000欧)。电流增益会很高(99)。电压增益将小于1。功率增益将是平均的。晶体管可单独包装或在一个非常小的的区域,可容纳...
晶体管公共发射极(CE)配置:在此电路中,放置了发射极输入和输出通用。输入信号施加在基极和发射极之间,输出信号施加在集电极和发射极之间。Vbb和Vcc是电压。它具有高输入阻抗,即(500-5000欧姆)。它具有低输出阻抗,即(50-500千欧)。电流增益将很高(98),即beta(dc)=Ic/Ie功率增益高达37db。输出将异相180度。晶体管公共集电极配置:在此电路中,集电极对输入和输出均通用。这也称为发射极跟随器。输入阻抗高(150-600千欧),输出阻抗低(100-1000欧)。电流增益会很高(99)。电压增益将小于1。功率增益将是平均的。场效应晶体管的三个极,分别是源极、栅极和漏极....
RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r;δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---...
我们在上面的NPN晶体管中讨论过,它也处于有源模式.大多数电荷载流子是用于p型发射极的孔.对于这些孔,基极发射极结将被正向偏置并朝基极区域移动.这导致发射极电流Ie.基极区很薄,被电子轻掺杂,形成了电子-空穴的结合,并且一些空穴保留在基极区中.这会导致基本电流Ib非常小.基极集电极结被反向偏置到基极区域中的孔和集电极区域中的孔,但是被正向偏置到基极区域中的孔.集电极端子吸引的基极区域的剩余孔引起集电极电流Ic.在此处查看有关PNP晶体管的更多信息晶体管作为一种可变电流开关。信赖之选深圳市凯轩业电子科技。深圳晶体管批发IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通...
ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---比较大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流Ⅳ---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二...
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---比较大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向比较大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---比较大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反...
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管.按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管.晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管.晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、**率晶体管和大功率晶体管.晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等.晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封)晶体管、塑料封装(简称塑封)晶体管、玻璃壳封装(简称玻封)晶体管、表面封装(片状)晶体管和陶瓷封装晶体管等.其封装外形多种多样.晶体管就像水管中的水阀,可以用来控制流量的机制。数字晶体管制造商VB---反向峰值击...
在正向活动模式下,NPN晶体管处于偏置状态。通过直流电源Vbb,基极到发射极的结点将被正向偏置。因此,在该结的耗尽区将减少。集电极至基极结被反向偏置,集电极至基极结的耗尽区将增加。多数电荷载流子是n型发射极的电子。基极发射极结正向偏置,因此电子向基极区域移动。因此,这会导致发射极电流Ie。基极区很薄,被空穴轻掺杂,形成了电子-空穴的结合,一些电子保留在基极区中。这会导致基本电流Ib非常小。基极集电极结被反向偏置到基极区域中的空穴和电子,而正偏向基极区域中的电子。集电极端子吸引的基极区域的剩余电子引起集电极电流Ic。在此处查看有关NPN晶体管的更多信息晶体管设计,就选深圳市凯轩业科技,用户的信赖...
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。晶体管是一种固体半导体器件。收音机晶体管直销我们在上面的NPN晶体管中讨论过,它也处于有源模式。大多数电荷载流子是用于p型发射极的孔...
RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r;δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---...
RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r;δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---...
晶体管重要性晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分***。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑电路,书刊和实用中都简称为TTL电路,它属于半导体集成电路的一种,其中用得普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上,封装成一个的元件。晶体管是半导体三极管中应用***的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之一,在重要性方面可以与印刷术,汽车和电话等的发明相提并论...
按冷却方式分类:干式(自冷)变压器、油浸(自冷)变压器、氟化物(蒸发冷却)变压器。按防潮方式分类:开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。按铁芯或线圈结构分类:芯式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型变压器、金属箔变压器。按电源相数分类:单相变压器、三相变压器、多相变压器。按用途分类:电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。半导体分立器件如何分类?分立器件当燃是二极管,三极管,MOS晶体管,JFET晶体管几大类了如果细分的话,如晶闸管,快速二极管等,就得看半导体器件相关的书了当然也可以包括电阻,电感,电容...
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快,准确...
参见晶体三极管特性曲线2-18图所示:图2-18晶体三极管特性曲线3、晶体三极管共发射极放大原理如下图所示:A、vt是一个npn型三极管,起放大作用。B、ecc集电极回路电源(集电结反偏)为输出信号提供能量。C、rc是集电极直流负载电阻,可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。D、基极电源ebb和基极电阻rb,一方面为发射结提供正向偏置电压,同时也决定了基极电流ib.图2-19共射极基本放大电路E、cl、c2作用是隔直流通交流偶合电容。F、rl是交流负载等效电阻。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上,封装成一个单独的元件。浙江电路图晶体管IR...
电脑和智能手机早期就采用了FinFET技术,目前也正推动着市场需求。这些功能无论是在智能手机上,还是CPU中的都大致相同。2015年,三星(韩国)在ExynosOcta7的芯片制作上引入了14nm的FinFET技术。2016年,Exynos系列(ExynosOcta8)中的下一代芯片预计将推动智能手机以更多功能及更高性能的形式发展。FinFET也应用在了其他的几个领域,如可穿戴设备、网络和自动驾驶。可穿戴设备的市场将以较高的速度增长,可能一举带动FinFET的市场。放大系数是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。乐山参数晶体管在正向活动模式下...
三极管(BJT管),也称为双性型晶体管三极管是一个人丁兴旺的“大家族”,其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的,比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析,下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿,并且这三条腿不能相互换用,不像MOS管那样其源极(S)和漏极(D)在一定条件下还可以换用的(低频的结型管可以互换)。从图中我们也可以看到,三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题,分别从三个半导体基座中引出三个极,我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是,通...
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET).晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain).晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器).深圳市凯轩业科技是一家专业晶体管方案设计公司,期待您的光临!湖南半导体晶体管电脑和智能手机早期就采用了FinFET技术,目前也正推动...
在正向活动模式下,NPN晶体管处于偏置状态。通过直流电源Vbb,基极到发射极的结点将被正向偏置。因此,在该结的耗尽区将减少。集电极至基极结被反向偏置,集电极至基极结的耗尽区将增加。多数电荷载流子是n型发射极的电子。基极发射极结正向偏置,因此电子向基极区域移动。因此,这会导致发射极电流Ie。基极区很薄,被空穴轻掺杂,形成了电子-空穴的结合,一些电子保留在基极区中。这会导致基本电流Ib非常小。基极集电极结被反向偏置到基极区域中的空穴和电子,而正偏向基极区域中的电子。集电极端子吸引的基极区域的剩余电子引起集电极电流Ic。在此处查看有关NPN晶体管的更多信息晶体管设计,就选深圳市凯轩业科技,有需求可以...
晶体管重要性晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分***。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑电路,书刊和实用中都简称为TTL电路,它属于半导体集成电路的一种,其中用得普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上,封装成一个的元件。晶体管是半导体三极管中应用***的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之一,在重要性方面可以与印刷术,汽车和电话等的发明相提并论...
三极管(BJT管),也称为双性型晶体管三极管是一个人丁兴旺的“大家族”,其人员众多.因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”.电路中的很多元件都是为三极管服务的,比如电阻、电容等.有必要和大家对三极管进行一下剖析,下面让我们看看三极管的“庐山真面目”.三极管也有三条腿,并且这三条腿不能相互换用,不像MOS管那样其源极(S)和漏极(D)在一定条件下还可以换用的(低频的结型管可以互换).从图中我们也可以看到,三极管也是有两个PN结构成.我们以NPN型三极管为例来说明这个问题,分别从三个半导体基座中引出三个极,我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极.这三个端子的相互作用是,通...