线性霍尔传感器在设计上注重环境适应性,能够在不同的温度条件下保持稳定的工作状态。多数线性霍尔传感器的工作温度范围覆盖了 - 40℃至 125℃,部分特殊型号甚至可适应更极端的温度环境。在低温环境中,传感器内部的电子元件不会因温度过低而出现性能衰减;在高温环境下,其封装材料和内部电路也能有效抵抗高温带来的影响,避免参数漂移。这种宽温域的适应... 【查看详情】
静态工作点是三极管放大电路的 重要参数,需通过偏置电路设置,确保三极管工作在放大区。常用的偏置方式有固定偏置和分压式偏置:固定偏置通过基极电阻 RB 直接从电源取电,RB=(VCC-VBE)/IBQ,电路简单但稳定性差,适合负载固定、温度变化小的场景;分压式偏置(RB1、RB2 分压)使 VB 稳定(VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2... 【查看详情】
从封装形式来看,线性霍尔传感器有多种选择,以适应不同的安装场景。常见的封装形式包括 TO-92、SOT-23、SIP 等,不同封装形式在尺寸、引脚布局和安装方式上存在差异。TO-92 封装的传感器体积较小,适合在空间紧凑的电路板上安装;SOT-23 封装则更轻薄,常用于便携式电子设备中;SIP 封装的传感器引脚排列整齐,便于通过插座或焊接... 【查看详情】
PWM 调光电路通过改变三极管导通时间(占空比)调节 LED 亮度,占空比范围受三极管开关速度和 LED 响应时间限制。若占空比过低(如 95%),三极管导通时间过长,可能因 PC=IC×VCE 超过 PCM 导致过热。例如 LED 工作电流 300mA,VCE=0.3V(饱和时),PC=90mW,选择 PCM=200mW 的三极管(如... 【查看详情】
消费电子是 MLCC 应用普遍的领域,涵盖智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视、智能家居设备等各类产品,这些设备的小型化、轻薄化和多功能化需求,推动了 MLCC 向小尺寸、大容量、高集成化方向发展。在智能手机中,MLCC 被大量用于射频电路、电源管理电路、音频电路和触控电路等,一部智能手机所使用的 MLCC 数量可达数百甚至上千颗,用... 【查看详情】
智能水表需实现水流速的正确计量,线性霍尔传感器通过将水流速转换为磁场变化,实现流量的间接测量。其结构为:水表内部叶轮上安装永磁体,传感器固定在水表壳体外,水流推动叶轮转动,永磁体随叶轮同步转动,磁场厉害度随转速变化,传感器输出与转速呈线性关系的电压信号。水表控制系统根据信号频率计算叶轮转速,再结合叶轮参数(如叶片面积、转速与流量的换算系数... 【查看详情】
消费电子是 MLCC 应用普遍的领域,涵盖智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视、智能家居设备等各类产品,这些设备的小型化、轻薄化和多功能化需求,推动了 MLCC 向小尺寸、大容量、高集成化方向发展。在智能手机中,MLCC 被大量用于射频电路、电源管理电路、音频电路和触控电路等,一部智能手机所使用的 MLCC 数量可达数百甚至上千颗,用... 【查看详情】
NPN 型小功率晶体三极管在开关电路中主要工作在截止区和饱和区,通过控制基极电流来实现电路的导通与关断。当基极没有输入信号或输入信号较小时,基极电流 IB=0(或很小),此时三极管工作在截止区,集电极电流 IC≈0,集电极与发射极之间的电压近似等于电源电压,三极管相当于一个断开的开关,电路处于截止状态;当基极输入足够大的信号时,基极电流 ... 【查看详情】
共基放大电路以基极作为公共电极,输入信号加在发射极和基极之间,输出信号从集电极和基极之间取出,NPN 型小功率三极管在该电路中工作在放大区。共基放大电路的突出特点是频率响应好,上限截止频率高,这是因为基极交流接地,基极电容的影响较小,减少了载流子在基区的渡越时间对高频信号的影响,因此常用于高频放大电路中,如射频信号放大、高频振荡电路等。与... 【查看详情】
MLCC 的原材料供应链对行业发展至关重要,其主要原材料包括陶瓷粉末、内电极金属粉末、粘结剂、溶剂、外电极金属浆料等,其中陶瓷粉末和内电极金属粉末的质量直接决定了 MLCC 的性能。陶瓷粉末方面,高纯度的钛酸钡、钛酸锶钡等粉末是制备高性能 MLCC 的基础,目前全球陶瓷粉末市场主要由日本住友化学、堺化学等企业掌控,这些企业能提供高纯度、粒... 【查看详情】
新能源汽车的车载充电机(OBC)中,肖特基二极管用于整流与功率因数校正(PFC),其需满足充电机高功率、高效率的需求。车载充电机需将电网交流电转换为直流电为动力电池充电,输出功率通常为 6.6kW-11kW,大电流工况下肖特基二极管的低正向压降可减少整流损耗,提升充电机的转换效率,例如 11kW 车载充电机采用肖特基二极管后,转换效率可达... 【查看详情】
针对三极管参数随温度漂移的问题,可采用 NPN 管自身组成温度补偿电路,常见的有 diode 补偿和三极管补偿。diode 补偿是将二极管与基极串联,二极管正向压降随温度变化与 VBE 一致(每升高 1℃,均下降 2-2.5mV),抵消 VBE 的漂移;三极管补偿是用另一支同型号三极管的发射结与原三极管发射结并联,利用两只管子参数的一致性... 【查看详情】