工作原理 IGBT模块通过控制栅极（Gate）与发射极（Emitter）之间的电压（VGE）来调节集电极（Collector）与发射极之间的电流（IC）： 导通状态：当VGE高于阈值电压时，IGBT导通，允许电流从集电极流向发射极，此时模块呈现低电阻特性。 关断状态：当VGE低...

IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种由绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片与续流二极管芯片（FWD）通过特定电路桥接封装而成的模块化半导体产品，属于功率半导体器件，在电力电子领域应用。以下从构成、特点、应用等方面进行介绍：构成IGBT模...

高功率密度与小型化：随着各行业对设备集成度与空间利用效率的追求，IGBT 模块向高功率密度、小型化方向迈进成为必然。一方面，在芯片制造工艺上，厂商正通过不断缩小芯片尺寸，优化内部结构，提升单位面积的电流处理能力。例如，一些企业研发出更精细的沟槽栅技术，增加芯片内部有效载流区域，在不扩大芯片面积的前提...