制备种子层的主要作用为提升栅线与 TC+C68:C69O 层之间的导电性和附着力。由于 HJT 电 池电极接触透明导电薄膜（TCO 层），会存在电镀金属与 TCO 层之间吸附力较差的问 题，通常借鉴半导体行业的方案，在电镀金属与 TCO 层之间制备整面“种子层”、掩膜电 镀后去除掩膜蚀刻未电镀部分种子层来解决附着力的问题。釜川（无锡）智能... 【查看详情】

光伏异质结中的光电转换效率受到多种因素的影响，其中主要的因素包括以下几点：1.材料的选择：光伏异质结中的材料种类和质量对光电转换效率有着至关重要的影响。通常情况下，选择具有较高吸收系数和较低缺陷密度的材料可以提高光电转换效率。2.光照强度：光伏异质结的光照强度越高，其光电转换效率也会越高。因此，在实际应用中，需要根据光伏电池的使用环境和光... 【查看详情】

电池湿法设备HJT工艺功能是去除切割损伤层和表面脏污l使用强碱腐蚀晶体硅表面形成规则金字塔状绒面，增加硅片对太阳光的吸收，降低反射率l增加硅片表面积，进而PN结面积也相应增加。设备优势是进口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时。工艺槽采用经典的内外槽的循环模式，能快速有效的将新添... 【查看详情】

釜川自主研发的“零界”高效异质结电池整线制造解决方案已实现设备国产化，该解决方案叠加了双面微晶、无银或低银金属化工艺，提升了太阳能电池的转换效率、良率和产能，并极大降低了生产成本。釜川以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀... 【查看详情】

HJT电池生产设备，制绒清洗的主要目的有，1去除硅片表面的污染和损伤层；2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀，将Si（100）晶面腐蚀为Si（111）晶面的四方椎体结构（“金字塔结构”），即在硅片表面形成绒面，可将硅片表面反射率降低至12.5%以下，从而产生更多的光生载流子；3形成洁净硅片表面，由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异... 【查看详情】

HJT光伏电池是一种高效的太阳能电池，其结构由三个主要部分组成：p型硅层、n型硅层和中间的薄层。这种电池的制造过程涉及多个步骤，包括沉积、蒸发和退火等。在HJT光伏电池中，p型硅层和n型硅层分别形成了PN结。这两个层之间的薄层是由氢化非晶硅（a-Si:H）或氢化微晶硅（μc-Si:H）制成的。这种薄层的作用是增强电池的光吸收能力，从而提高... 【查看详情】

湿法设备HJT工艺功能是去除切割损伤层和表面脏污l使用强碱腐蚀晶体硅表面形成规则金字塔状绒面，增加硅片对太阳光的吸收，降低反射率l增加硅片表面积，进而PN结面积也相应增加。设备优势是进口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时。工艺槽采用经典的内外槽的循环模式，能快速有效的将新添加药... 【查看详情】

“零界”高效异质结电池整线制造解决方案已实现设备国产化，该解决方案叠加了双面微晶、无银或低银金属化工艺，提升了太阳能电池的转换效率、良率和产能，并极大降低了生产成本。釜川以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面的... 【查看详情】

光伏电镀铜工序包括种子层制备、图形化、电镀三大环节，涌现多种设备方案。电镀铜 工艺尚未定型，各环节技术方案包括（1）种子层：设备主要采用 PVD，主要技术分歧 在于是否制备种子层、制备整面/局部种子层和种子层金属选用；（2）图形化：感光材料 分为干膜和油墨，主要技术分歧在于曝光显影环节选用掩膜类光刻/LDI 激光直写/激光 开槽；（3）电... 【查看详情】

铜电镀工艺流程：种子层沉积—图形化—电镀—后处理，光伏电镀铜工艺流程主要包括种子层沉积、图形化、电镀及后处理四大环节，目前各环节技术路线不一，多种组合工艺方案并行，需要综合性能、成本来选择合适的工艺路线。（1）种子层沉积：异质结电池表面沉积有透明导电薄膜（TCO）作为导电层、减反射层，由于铜在TCO层上的附着性较差，两者间为物理接触，附着... 【查看详情】

HJT光伏是一种新型的太阳能电池技术，其全称为"Heterojunction with Intrinsic Thin layer"，即异质结内在薄层太阳能电池。与传统的晶体硅太阳能电池相比，HJT光伏具有以下不同之处：1.更高的转换效率：HJT光伏的转换效率可以达到23%以上，比传统晶体硅太阳能电池高出约5%。2.更低的温度系数：HJT光... 【查看详情】

HJT电池是一种新型的太阳能电池，其全称为“高效结晶硅太阳能电池”（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）。HJT电池采用了先进的双面结晶硅技术，将p型硅和n型硅通过特殊工艺结合在一起，形成一个p-n结，从而实现了高效的电子转移和收集。同时，HJT电池还采用了超薄的内在层，使得电子和空穴在内在层... 【查看详情】