在半导体集成电路制造行业;主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。在大规模集成电路的制造过程中,一般要对硅片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中,光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节,将光罩(掩膜版)上的图形转移到硅片上。 光刻胶是集成电路制造的重要材料:光刻胶的质量和性... 【查看详情】
分辨率即光刻工艺中所能形成较小尺寸的有用图像。是区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好 。此性质深受光刻胶材质本身物理化学性质的影响,必须避免光刻胶材料在显影过程中收缩或在硬烤中流动。因此,若要使光刻材料拥有良好的分辨能力,需谨慎选择... 【查看详情】
由于早期制约EUV光刻发展的技术瓶颈之一是光源功率太小,因此,在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻胶的灵敏度一直是科研人员的工作重点。为了解决这一问题,2013年,大阪大学的Tagawa等提出了光敏化化学放大光刻胶(PSCAR™)。与其他EUV化学放大光刻胶不同的是,PSCAR体系除了需在掩模下进行产生图案的EUV曝光,还要在EUV... 【查看详情】
随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势,对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。在半导体制程的光刻工艺中,集成电路线宽的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式确定:CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成电路制程中的... 【查看详情】
质量控制技术:由于用户对光刻胶的稳定性、一致性要求高,包括不同批次间的一致性,通常希望对感光灵敏度、膜厚的一致性保持在较高水平,因此,光刻胶生产商不仅要配备齐全的测试仪器,还需要建立一套严格的QA体系以保证产品的质量稳定。原材料技术:光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品,由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料,通过不同的... 【查看详情】
在一些反应中,三氟乙酸作为母液需要回收,其重要目的是为了出去其中的水分,但由于三氟乙酸易与水形成共沸物,因此不能采用蒸馏的方法进行分离。参照三氟乙酸纯化工艺,将三氟乙酸母液制成钠盐,然后再用浓硫酸酸化,蒸出三氟乙酸。在中和反应中,放热较小,但由于反应会产生大量的二氧化碳气体,所以,过快的滴加速度将导致二氧化碳浓度瞬间增加,体系有产生憋压的... 【查看详情】
除了作为反应的溶剂,三氟乙酸因为其较好的溶解性,在高效液相色谱中常常被用作流动相,用来分离一些难以区分的化合物,在化合物核磁共振检测中,也常常利用氘代三氟乙酸作为溶剂,用来区分一些诸如卟啉类的大环分子内的氢的变化。三氟乙酸除了作为反应的催化剂和溶剂之外,还是很好的保护剂和脱保护剂,作为保护剂常用来保护氨基和羟基,作为脱保护剂,经常用来脱B... 【查看详情】
目前国际上比较常见的三氟乙酸的工业制备路线主要有三条:(1)经典Simons电解氟化法,乙酰氟经氧化、碱熔、酸化得到三氟乙酸;(2)三氟二氯乙烷直接氧化法,以三氟二氯乙烷为原料,在催化剂作用下直接氧化得到三氟乙酰氯和三氟乙酸,日本旭硝子公司获得了相应的**技术,美国公司也开发出了以氧气作为氧源的三氟二氯乙烷光催化氧化法制备三氟乙酸;(3)... 【查看详情】
三氟乙酸是一种常见的有机酸,它具有很强的酸性和氧化性,它是目前次于三氟甲磺酸的强氧化性有机酸。作为含氟脂肪族中间体的杰出产品,目前全球消费量已超过千吨,在含氟羧酸类化合物中占有积极重要的地位。自1922年以铬酸氧化间三氟甲基苯胺得到三氟乙酸之后,人们对三氟乙酸的合成研究就没有停止过。后来又有很多方法被报道出来,其中氧化法根据起始原料的不同... 【查看详情】
三氟乙酸(TFA)普遍用于合成多肽的工艺中作为切割剂及脱保护剂,临床使用存在毒性。目前我国药典将其纳入需控制的溶残,归为四类溶剂,但对其控制限量尚无明确规定,通常按三类溶剂的限度0.5%限定。多肽药物固相合成中,对于合成含有半胱氨酸、组氨酸、精氨酸、等带侧链功能基的氨基酸多肽来说,为了避免由于侧链功能团所带来的的副反应,一般需要用适当的保... 【查看详情】
三氟乙酸(TFA) 是一种化学实验室常用的有机酸,由于羧基的邻位碳上连有3个比较强的电负性基团氟原子,使羧酸根的亲核性大为降低,因此三氟乙酸常用来作溶剂,来研究反应的溶剂效应。三氟乙酸的沸点比较低,挥发性好,并且酸性强,因此它可以催化很多酸催化的化学反应,并且后处理比较容易,可以通过减压蒸馏而除去。此外,三氟乙酸可以参与氧化反应、还原反应... 【查看详情】