没有水流流过。上海衡丽图3二极管的类比以及IV曲线以上,右图是二极管为重要的IV曲线,基本上用到所有的二极管都需要重点开此图,从上图可以清楚看出,不管二极管的正向电流或者反向电压都不能超过额定值,否则会损坏。2.整流二极管利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。图4AC/DC转换电路简图3.续流二极管在...
查看详细 >>本发明属于无线传输技术领域,具体涉及一种用于整流电路的肖特基二极管。背景技术:整流电路是无线传输接收端整流天线的一个重要组成部分,同时也是决定整流天线整流效率的重要的一个因素。整流电路中重要的组成部分为整流二极管,它也是决定整流效率的重要因素。常用的整流二极管为肖特基二极管,肖特基二极管使采用金属和半导体接触形成的金属-半导体结原理制成,...
查看详细 >>解决这个问题,一就是用恢复时间更快的二极管,二是采用ZCS方式关断二极管。7.什么是软恢复二极管?二极管在反向恢复的时候,反向电流下降的比较慢的,称为软恢复二极管。软恢复对减小EMI有一定的好处。8.什么是二极管的结电容?结电容是二极管的一个寄生参数,可以看作在二极管上并联的电容。9.什么是二极管的寄生电感?二极管寄生电感主要由引线引起,...
查看详细 >>在所述肖特基结图案对应区域淀积金属和硅形成金属硅化物,得到肖特基结。在本申请的一种可能实施例中,在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上制作金属层的步骤,包括:在真空度3e-6torr、温度190℃的环境下持续加热45分钟,依次在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上沉积多层金属,制作形成金属层。在本申请的一种可能实施例中,在所述氧化...
查看详细 >>能制作开关二极管低压大电流整流二极管。图5降压稳压器BUCK电路中肖特基二极管的使用图6中,开关A和B已分别使用内部NFET和外部肖特基二极管,从而形成异步升压调节器。对于需要负载隔离和低关断电流的低功耗应用,可添加外部FET。图6升压调节器BOOST电路中肖特基二极管的使用顺便提一下,整流MOS管开通,关断所产生的纹波是主要噪声源之一。...
查看详细 >>根据中国商业资讯研究院的数据,全球通讯行业功率半导体的市场规模将有2017年的亿美元增长至2021年的亿美元,年复合增长率为。功率半导体在物联网行业应用:传感器技术、射频识别技术、二维码技术、微机电系统和GPS技术是实现物联网的五大技术,每一项技术的实现都离不开功率半导体的支持,势必将带来功率半导体需求的增长。另一方面,受移动互联网与物联...
查看详细 >>使用宽禁带半导体材料制造新一代的电力电子器件,可以变得更小、更快、更可靠和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本,允许设备在更高的温度、电压和频率下工作,使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。根据Yole相关数据的测算,2019年全球功率半导体器件市场规模为381亿美元,预计2022年达到约426亿美元的市...
查看详细 >>电路正常运行。如:TVS管保护是靠击穿,击穿后相当于短路,一般承受电流能力大;ESD是电容放电加钳位,过电流能力不强。TVS的开启电压较高,动作时间也太慢,无法单独满足ESD保护的需要。ESD主要用于板级保护,TVS一般用于初级和次级保护。问:哪些接口需要做防雷接口?-----一般有通信的接口,网络接口,CAN总线接口,视频接口等等。答:...
查看详细 >>淀积的金属和硅形成金属硅化物,形成肖特基结108,再使用王水去除表面未发生反应的多余金属。步骤s305,请参照图4e,在肖特基结108及靠近肖特基结108的氧化层103上制作金属层105,并在衬底101远离外延层102的一侧制作第二金属层106。在本申请实施例中,金属层105覆盖在肖特基结108及半导体环104上,并部分延伸至氧化层103...
查看详细 >>所述ge层002、所述压应力层003依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。所述衬底层001为锗衬底层,具体地,可以为n型掺杂浓度为1020cm-3的n型单晶锗(ge)。需要说明的是,...
查看详细 >>即便环境中存在水汽,水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽,不会进入到肖特基结,确保肖特基二极管不会失效。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图...
查看详细 >>所述ge层002、所述压应力层003依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。所述衬底层001为锗衬底层,具体地,可以为n型掺杂浓度为1020cm-3的n型单晶锗(ge)。需要说明的是,...
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