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晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻，处于截止状态(称为正向阻断状态)，简称断态。当阳极电压上升到某一数值时，晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态，简称通态。阳极这时的电压称为断态不重复峰值电压(UDSM)，或称正向转折电压(UBO)。导通后，元件中流过较大的电流，其值主要由限流电阻(使用时由负载)决定。在减小阳极电源电压或增加负载电阻时，阳极电流随之减小，当阳极电流小于维持电流IH时，晶闸管便从导通状态转化为阻断状态。由图可看出，当晶闸管控制极流过正向电流Ig时，晶闸管的正向转折电压降低，Ig越大，转折电压越小，当Ig足够大时，晶闸管正向转折电压很小，一加上正向阳极电压，晶闸管就导通。实际规定，当晶闸管元件阳极与阴极之间加上6V直流电压时，能使元件导通的控制极**小电流(电压)称为触发电流(电压)。在晶闸管阳极与阴极间加上反向电压时，开始晶闸管处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压(URSM)，或称反向转折(击穿)电压(UBR)。可见，晶闸管的反向伏安特性与二极管反向特性类似。晶闸管晶闸管的开通和关断的动态过程的物理过程较为复杂。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。山西igbt驱动开关可控硅（晶闸管）日本富士

在恢复电流快速衰减时，由于外电路电感的作用，会在晶闸管两端引起反向的尖峰电压U。从正向电流降为零，到反向恢复电流衰减至接近于零的时间，就是晶闸管的反向阻断恢复时间t。[1]反向恢复过程结束后，由于载流子复合过程比较慢，晶闸管要恢复其对反向电压的阻断能力还需要一段时间，这叫做反向阻断恢复时间tgr。在反向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不受门极电流控制而导通。所以在实际应用中，需对晶闸管施加足够长时间的反压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。晶闸管的电路换向关断时间t定义为t与t之和，即t=t+t除了开通时间t、关断时间t及触发电流IGT外，本文比较关注的晶闸管的其它主要参数包括：断态（反向）重复峰值电压U（U）：是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向（反向）峰值电压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。通态平均电流I：国际规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40℃和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的**大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。吉林脉冲可控硅（晶闸管）SCR系列晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，即晶闸管导通后，门极失去作用。

采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率，因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件，为防止出现振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容，接线应尽量短。（5）吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时。

晶闸管是一种开关元件，顾名思义他的名字里面有一个闸字也就是门，开关的意思，他的应用在各种电路，以及电子设备中。晶闸管是典型的小电流控制大电流的设备，他通过一个电流很小的脉冲触发晶闸管处于导通状态此时他的电阻变得很小相当于一跟导线。晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅，晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极，晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。1957年，美国通用电器公司开发出世界上第1个晶闸管产品，并于1958年使其商业化。晶闸管的分类：晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导晶闸管（RCT）、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管（TT国外，TTS国内）和光控晶闸管（LTT）等多种。晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。晶闸管可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管、晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管多种。

认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第1款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构，形成三个PN结，分别称：阳极，阴极和控制极。图1晶闸管的结构晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路。晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。工作过程加正向电压且门极有触发电流的情况下晶闸管才导通，这是晶闸管的闸流特性，即可控特性。若晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。晶闸管的种类1．双向晶闸管双向晶闸管有极外G，其他两个极称为主电极Tl和T2。结构是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件。双向晶闸管不象普通晶闸管那样，必须在阳极和阴极之间加上正向电压，管子才能导通。它无所谓阳极和阴极，不管触发信号的极性如何，双向晶闸管都能被触发导通。这个特点是普通晶闸管所没有的。2．快速晶闸管人们在普通晶闸管的制造工艺和结构上采取了一些改进措施。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。北京大功率igbt高压可控硅（晶闸管）日本富士

可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。山西igbt驱动开关可控硅（晶闸管）日本富士

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