晶闸管和可控硅,有什么区别?1、概念不一样:可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR,是一种大功率电孝改器元件,也称晶闸管。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三颤慎猜极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。2、用处不一样:可控硅(1)小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。(2)功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。(3)大功率高频可控硅通常用作工业中高频熔炼炉等。三极管,晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。3、分类不一样:可控硅:按关断、导通及控制方式分类按引脚和极性分类按封装形式分类按电流容量分类按关断速度分类非过零触发分类。三极管:按材质分按结构分按功能分按功率分按工作频率分按结构工艺分按安装方式。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。福建igbt供应商可控硅(晶闸管)ABB配套
有三个不同电极、阳极A、阴极K和控制极G.可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的,符号也不同。单向可控硅有三个PN结,由外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极。双向可控硅有其独特的特点:当阳极接合,阳极接合或栅极的正向电压,但没有施加电压时,它不导通,并且同时连接到阳极和栅极的正向电压反向电压时,它将被关上。一旦开启,控制电压有它的作用失去了控制,无论控制电压极性怎么没有了,不管控制电压,将保持在接通状态。关断,只有在阳极电压减小到一个临界值,或反之亦然。大多数双向可控硅引脚按t1、t2、g顺序从左到右排列(电极引脚向下,面向侧面有字符)。当施加到控制极g上的触发脉冲的大小或时间改变时,其传导电流的大小可以改变。与单向可控硅的区别是,双向可控硅G极上触发一个脉冲的极性可以改变时,其导通方向就随着不同极性的变化而改变,从而能够进行控制提供交流电系统负载。江苏大功率igbt高压可控硅(晶闸管)ABB配套别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
晶闸管(SCR)是一种半导体开关器件。早在1956年,Moll等人就发表了这种开关器件的理论基础。尽管低功率器件在当***关领域已基本销声匿迹,并被高压双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等所取代,但它们在兆瓦级开关器件领域仍无可替代,例如2kA、1.2kV的SCR就被应用于机车驱动器中,或用来控制铝材生产厂中的电炉等;
在修理电视机及各种电器设备时,遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。但是,有时相同的元件手边没有,就要采用其他型号的进行代换,这样就要考虑到各方面的性能、参数、外形尺寸等,例如电视的里面的行输出管,只要考虑耐压、电流、功率一般是可以进行代换的(行输出管外观尺寸几乎相同),而且功率往往大一些更好。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通单向晶闸管。若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。2.选择晶闸管的主要参数:晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的**大工作电压和**大工作电流1.5~2倍。晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求,不能偏高或偏低,否则会影响晶闸管的正常工作。单向检测/晶闸管编辑(1)判别各电极:根据普通晶闸管的结构可知,其门极G与阴极K极之间为一个PN结。额定通态电流(IT)即比较大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
对其在脉冲脉冲功率电源领域中的应用研究很少,尚处于试验探索阶段。[1]在大功率半导体开关器件中,晶闸管是具有**高耐压容量与**大电流容量的器件。国内外主要制作的大功率晶闸管都是应用在高压直流输电中。所制造出的大功率晶闸管,**大直径可达6英寸,单阀片耐压值**高可达11KV,的通流能力**高可达4500A。在该领域比较**的有瑞士的ABB以及国内的株洲南车时代。[1]为提高晶闸管的通流能力、开通速度、di/dt承受能力,国外在普通晶闸管的基础上研制出了两种新型的晶闸管:门极关断晶闸管GTO以及集成门极换流晶闸管IGCT。这两种器件都已经在国外投入实际使用。其中GTO的单片耐压可达,工况下通流能力可达4kA,而目前研制出的在电力系统中使用的IGCT的**高耐压可达10kV,通流能力可达。[1]针对脉冲功率电源中应用的晶闸管,国内还没有厂家在这方面进行研究,在国际上具有**技术的是瑞士ABB公司。他们针对脉冲功率电源用大功率晶闸管进行了十数年的研究。目前采用的较成熟的器件为GTO,其直径为英寸,单片耐压为,通常3个阀片串联工作。可以承受的电流峰值为120kA/90us,电流上升率di/dt**高可承受。门极可承受触发电流**大值为800A,触发电流上升率di/dt**大为400A/us。功率半导体igbt原装现货型号齐全!西藏IGBT单管可控硅(晶闸管)日本富士
晶闸管分为螺栓形和平板形两种。福建igbt供应商可控硅(晶闸管)ABB配套
断态电压临界上升率du/dt:是指在额定结温、门极开路的情况下,不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压**大上升率。通态电流临界上升率di/dt:指在规定条件下,晶闸管能承受的**大通态电流上升率。如果di/dt过大,在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲,使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求:①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通;②触发脉冲应有足够的幅度,对一些温度较低的场合,脉冲电流的幅度应增大为器件**大触发电流的3~5倍,脉冲的陡度也需要增加,一般需达1~2A/μs;③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额。福建igbt供应商可控硅(晶闸管)ABB配套
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