所述硫醚系化合物推荐为选自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。本发明的蚀刻液推荐进一步含有α-羟基羧酸和/或其盐。所述α-羟基羧酸推荐为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。推荐为,所述酸的浓度为20重量%至70重量%,所述有机硫化合物的浓度为%至10重量%。另外,所述α-羟基羧酸和/或其盐的浓度推荐为%至5重量%。另外,本发明涉及一种使用所述蚀刻液在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻方法。发明的效果本发明的蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。另外,本发明的蚀刻液实质上不含氢氟酸及过氧化氢,因此毒性低,保存稳定性优异。具体实施方式本发明的蚀刻液为含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物的水溶液。所述酸中,从蚀刻速度的稳定性及酸的低挥发性的观点来看,推荐为硫酸。酸的浓度并无特别限制,推荐为20重量%至70重量%,更推荐为30重量%至60重量%。在酸的浓度小于20重量%的情况下,有无法获得充分的钛蚀刻速度的倾向,在超过70重量%的情况下,有蚀刻液的安全性成问题的倾向。选择苏州博洋化学股份有限公司,安心,放心,舒心。安庆京东方用的蚀刻液蚀刻液主要作用

下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是实施例一中公开的储存罐与拖车的安装结构图;图2是实施例二中公开的储存罐与拖车的安装结构图;图3是实施例三中公开的储存罐与拖车的安装结构图;图4是实施例四中公开的储存罐与拖车的安装结构图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例一铝蚀刻液生产设备,包括混合罐、过滤器和数个小型的储存罐,混合罐通过液管与过滤器连接,过滤器的出液口处安装有气动升降式出液管,每个储存罐的进液口和出液口中安装有一只单向液动阀,过滤器的出液管自动下行插入储存罐的进液口中,将过滤后的铝蚀刻液注入储存罐内暂存。请参阅图1,储存罐10固定在一辆液压升降式拖车20的顶部,在过滤器的下方设置地磅30,载有空储存罐的拖车置于地磅上方,过滤器的出液管自动下行插入储存罐的进液口中,当地磅所测得的重量达到系统预设重量时,过滤器的出液管自动上行离开储存罐。将装满的储存罐从铝蚀刻液生产车间移动至自动灌装车间中,将灌装头的快速接头插入储存罐的出液口中便可将储存罐内的铝蚀刻液分装。拖车的底部具有滚轮21,即使滚轮带有刹车。安庆ITO蚀刻液蚀刻液供应商哪家的蚀刻液价格比较低?

所述装置主体的内部底部中间部位固定连接有常闭式密封电磁阀,所述连接构件的内侧固定连接有过滤部件,所述装置主体的内部底端另一侧固定连接有收集仓,所述收集仓的另一侧底部固定连接有密封阀门,所述过滤部件的顶端两侧活动连接有滑动盖,所述过滤部件的内部中间两侧固定连接有收缩弹簧管,所述连接构件的内侧两端嵌入连接有螺纹管,所述连接构件的内部中间两侧活动连接有活动轴,所述连接构件的内侧中间两侧嵌入连接有密封软胶层。推荐的,所述硝酸钾储罐的顶部嵌入连接有密封环。推荐的,所述连接构件的两侧嵌入连接有海绵层。推荐的,所述支撑腿的底端嵌入连接有防滑纹。推荐的,所述过滤部件的内部两侧嵌入连接有过滤板。推荐的,所述过滤部件设置有一个,所述过滤部件设置在连接构件的内侧,所述过滤部件与连接构件固定连接。推荐的,所述连接构件设置有十四个,所述连接构件设置在搅拌仓的底部,所述连接构件与搅拌仓固定连接。与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1.高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,过滤部件,过滤部件设置在连接构件的内侧,过滤部件与连接构件固定连接,过滤部件能将制备出的蚀刻液进行过滤。
近年来,oled显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于oled显示器的阳极布线(ito/ag/ito)结构中。为了对此进行蚀刻,目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(cna)。这样的体系虽然能有效去除金属银,但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。4.本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。5.本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:6.一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为40-60%磷酸、2-10%硝酸、%有机酸、%硝酸盐、%含氮元素有机物、其余为水组成。质量好的蚀刻液的公司联系方式。

本实用涉及电子化学品生产设备技术领域,具体为高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置。背景技术:近年来,人们对半导体装置、液晶显示器的需求量不断增加的同时,对于这些装置所具有的配线、电极等的微小化、高性能化的要求也越来越严格,而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏,影响高密度细导线图像的精度和质量,为了解决蚀刻液组合物蚀刻铝材料过程中,对蚀刻速率慢、难以控制蚀刻角度和不同金属层的蚀刻量而造成的多层配线的半导体装置的配线的断路、短路,得到较高的成品率,为保证其稳定性及蚀刻的平滑度及精度,在蚀刻液中需要加入多种组分,而常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合。现有的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置密封性差,连接安装步骤繁琐,还需要使用工具才能进行连接安装或拆卸,而且现有的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置没有过滤的部件,蚀刻液中的各组份蚀刻液杂质含量多,且多种强酸直接共混存在较大的安全隐患,装置不够完善,难以满足现代社会的需求。所以,如何设计高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,成为我们当前需要解决的问题。哪家蚀刻液的的性价比好。深圳ITO蚀刻液蚀刻液厂家现货
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将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用;第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。作为推荐的技术方案,所述磁力泵出口压力≤,过滤器入口压力≤。根据制备铜蚀刻液的原料确定磁力泵的出口压力和过滤器的入口压力,包装原料可以被充分过滤。作为推荐的技术方案,所述调配罐内的温度设定在30~35℃。调配罐的温度不能超过35℃,由于过氧化氢的密度随温度的升高而减小,因此保证交底的反应温度有助于保证原料体系的稳定作为推荐的技术方案,所述过滤器的微滤膜孔径为~μm。作为推荐的技术方案,第三步中各种原料在~,调配罐内填充氮气,搅拌速度为30~50r/min。作为推荐的技术方案,原料罐和调配罐大拼配量不超过罐容积的80%。本发明的优点和有益效果在于:本发明在制备酸性铜蚀刻液的过程中,用低温纯水(10℃)替代常温纯水(25℃),将低温纯水加入反应体系中,降低反应体系的反应温度。安庆京东方用的蚀刻液蚀刻液主要作用