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ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管，以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封装，满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性：

反向截止电压：5V

根据IEC61000-4-2标准，每条线路提供±30kV（接触放电）的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准，可承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流

低电容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮动状态）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

极低泄漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固态硅技术

应用领域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2817DA33-8/TR 线性稳压器(LDO) 封装：DFN1612-8。中文资料WILLSEMI韦尔WL2863C

WL2836E：低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO

产品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR（电源抑制比）、低压降CMOS线性稳压器，具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流，因此电流限制功能既作为短路保护，又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 输入电压范围：1.4V~5.5V

· 输出电压范围：0.8V~3.3V

· 输出电流：300mA

· 静态电流：50μATyp

· 关机电流：<1μA

· 压降电压：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低输出电压噪声：20μVRMSTyp

· 输出电压容差：±2%@VOUT>2V

· 推荐电容器：1μF

· 热过载和短路保护

应用领域

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

      WL2836E是高性能CMOS线性稳压器，专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能，提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装，无铅无卤素，满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WCL120N10SWS74199Q-10/TR 电流感应放大器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD73011N：单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器

     ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.40pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

     ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD5451X-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。

    WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。

特性：

D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是开启。

SEL/OE引脚具有过压保护，允许电压高于VCC，高达7.0V存在于引脚上，而不会损坏或中断部件的操作，无论工作电压如何。

还具有智能电路，用于至小化VCC泄漏电流，即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说，在实际应用中，无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。

应用：

· 手机

· MID（移动设备）

· 路由器

· 其他电子设备

    WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关，适用于手持和消费电子产品，确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性，环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 ESD5471S-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。中文资料WILLSEMI韦尔WPM2006

ESD5311X-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：WBFBP-02C-C。中文资料WILLSEMI韦尔WL2863C

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 中文资料WILLSEMI韦尔WL2863C