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ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

· 截止电压：±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WL2836D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WS72552

ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管，以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封装，满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性：

反向截止电压：5V

根据IEC61000-4-2标准，每条线路提供±30kV（接触放电）的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准，可承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流

低电容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮动状态）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

极低泄漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固态硅技术

应用领域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WSB5523DSPD9112W-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-323。

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A（至小值）的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑（PADs）

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS7227Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。中文资料WILLSEMI韦尔SPD9231B

WL2803K33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-89-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WS72552

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括：

1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。

3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。

4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72552