WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2801E33-5/TR 线件稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。规格书WILLSEMI韦尔WNM3025
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM3025WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。
ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5471X可用于提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
反向截止电压:±5V
根据IEC61000-4-2(ESD)标准,每条线路的瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
电容:CJ=9pF(典型值)
低漏电流
低钳位电压:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
手机
平板电脑
笔记本电脑
其他便携式设备
网络通信设备
ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器,能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术,既高性能又紧凑,方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5411N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压:±3.3VMax
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WS742133H-14/TR 音频功率放大器 封装:TSSOP-14。代理分销商WILLSEMI韦尔WCR420N65TF
ESD56101D05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1610-2。规格书WILLSEMI韦尔WNM3025
ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神
ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。
这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷,同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。
无论是手机、计算机还是微处理器,它都能为这些设备提供坚实的电压保护,确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM3025