代理分销商WILLSEMI韦尔WS3222D

    ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术，结合极低电容转向二极管和TVS二极管，提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口，是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保，易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WL2836D28-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3222D

    ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±3.3V

· 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，提供10A（8/20μs）的浪涌保护

· 电容：典型值为17.5pF

· 低泄漏电流：典型值为1nA

· 低钳位电压：在脉冲电流为16A（TLP）时，典型值为8V。

· 固态硅技术

应用：

· 手机

· 计算机和外设：为计算机主板、显示器、键盘等

· 微处理器

· 电源线

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色，封装紧凑，环保特性强，广泛应用于手机、计算机和便携式设备，确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56131WWPM1483-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A（至小值）的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑（PADs）

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

    WD3168：5V/300mA开关电容电压转换器，它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下，它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时，WD3168会进入跳模模式，此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压，从而节省PCB空间。

    此外，其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能，适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装，并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。

   其主要特性包括：

1、 输出电流为300mA

2、宽输入电压范围：2.7V至5.5V

3、固定输出电压为5.0V

4、双倍电荷泵

5、较小外部元件：无需电感器

6、高频操作：1.7MHz

7、自动软启动限制涌入电流

8、低纹波和EMI

9、过热和过流保护

10、无负载条件下典型静态电流为170uA（跳模模式）

   其应用领域包括：

1、3V至5V的升压转换

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电

3、从较低轨道提供的本地5V供电

4、电池备份系统

5、手持便携式设备

    WD3168是一种效率高、可靠的电源IC，适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。

WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS4665D-8/TR 功率电子开关 封装：WDFN-8(2x2)。规格书WILLSEMI韦尔WCR420N65TF

ESD56101D05-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1610-2。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3222D

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS3222D