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WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET

产品描述：

     WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 槽型技术

· 超高密度单元设计

· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换器

· 电路电源开关

· 负载开关充电

       WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56051N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63031N

    ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷，同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器，它都能为这些设备提供坚实的电压保护，确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5611NWNM3008-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构，无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流，以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V，而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性：

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用：

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器，适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计，降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V，电流可编程，至高600mA，适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时，自动进入低电流和关机模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封装，符合无铅标准，适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WS72552M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。

  BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。

  以下是BL1551B的主要特性和优势：

高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。

低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。

高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。

宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。

  此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 WS742133H-14/TR 音频功率放大器 封装：TSSOP-14。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2862K

ESD54191CZ-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DWN0603-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63031N

WD1502F：28V,2A降压型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）转换器

    WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作，并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作，并采用脉冲宽度调制（PWM）。在轻负载电流时，它会进入脉冲跳变调制（PSM）操作，以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装，为标准无铅和无卤素产品。

其主要特性包括：

· 宽范围4.5V~28V的工作输入电压

· 典型的650kHz开关频率

· 2A连续输出电流

· 低至2μA的关机电流，60μA的静态电流

· 内部5mS软启动

· 峰值效率>94%

· 150mΩ内部功率HSMOSFET开关

· 75mΩ内部同步LSMOSFET开关

· 逐周期过流保护

应用领域包括：

· 12V、24V分布式电源总线供电

· 工业应用

· 白色家电

· 消费类应用

     WD1502F适用于需要高效、紧凑和可靠电源转换的多种应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63031N

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