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DDR一致性测试基本参数
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10Gbase-T总线测量为例做简单介绍。

10Gbase-T总线的测量需要按照图7-128来连接各种仪器和测试夹具。

10Gbase-T的输岀跌落/定时抖动/时钟频率要求用实时示波器测试;线性度/功率谱密度 PSD/功率电平要求用频谱分析仪测试;回波损耗要求用网络分析仪测试。

需要自动化测试软件进行各种参数测试,一般这个软件直接装在示波器内置的计算机里。 没有自动测试软件,测试是异常困难和耗时的工作。

测试夹具是测试系统的重要组成部分,测试仪器公司或一些专业的公司会提供工业标准 总线所用的测试夹具。当然也可以自己设计,自己设计时主要关注阻抗匹配、损耗、串扰等 电气参数,以及机械连接方面的连接可靠性和可重复性等可操作性功能。 DDR4参数测试参考解决方案.山西DDR一致性测试眼图测试

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自动化一致性测试

因为DDR3总线测试信号多,测试参数多,测试工作量非常大,所以如果不使用自动化 的方案,则按Jedec规范完全测完要求的参数可能需要7〜14天。提供了全自动的DDR测试 软件,包括:支持DDR2/LPDDR2的N5413B软件;支持DDR3/LPDDR3的U7231B软件; 支持DDR4的N6462A软件。DDR测试软件的使用非常简便,用户只需要 按顺序选择好测试速率、测试项目并根据提示进行参数设置和连接,然后运行测试软件即可。 DDR4测试软件使用界面的例子。 山西DDR一致性测试眼图测试DDR-致性测试探测和夹具;

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DDR-致性测试探测和夹具

DDR的信号速率都比较高,要进行可靠的测量,通常推荐的探头连接方式是使用焊接式 探头。还有许多很难在PCB板上找到相应的测试焊盘的情况(比如釆用盲埋孔或双面BGA 焊接的情况),所以Agilent还提供了不同种类的BGA探头,通过对板子做重新焊接将BGA 的Adapter焊接在DDR的memory chip和PCB板中间,并将信号引出。DDR3的 BGA探头的焊接例子。

DDR是需要进行信号完整性测试的总线中复杂的总线,不仅走线多、探测困难,而且 时序复杂,各种操作交织在一起。本文分别从时钟、地址、命令、数据总线方面介绍信号完 整性一致性测试的一些要点和方法,也介绍了自动化测试软件和测试夹具,但是真正测试DDR 总线仍然是一件比较有挑战的事情。

在实际探测时,对于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信号(DDR1和DDR2的 DQS还是单端信号,DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探头测试。DQ信 号是单端信号,所以用差分或者单端探头测试都可以。另外,DQ信号的数量很多,虽然逐 个测试是严格的方法,但花费时间较多,所以有时用户会选择一些有代表性的信号进行测 试,比如选择走线长度长、短、中间长度的DQ信号进行测试。

还有些用户想在温箱里对DDR信号质量进行测试,比如希望的环境温度变化范围为-40~85℃,这对于使用的示波器探头也是个挑战。 一般示波器的探头都只能在室温下工 作,在极端的温度条件下探头可能会被损坏。如果要在温箱里对信号进行测试,需要选择一 些特殊的能承受高温的探头。比如一些特殊的差分探头通过延长电缆可以在-55~150℃ 的温度范围提供12GHz的测量带宽;还有一些宽温度范围的单端有源探头,可以在-40~ 85℃的温度范围内提供1.5GHz的测量带宽。 DDR4 电气一致性测试应用软件。

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DDR内存的典型使用方式有两种: 一种是在嵌入式系统中直接使用DDR颗粒,另一 种是做成DIMM条(Dual In - line Memory Module,双列直插内存模块,主要用于服务器和 PC)或SO - DIMM(Small Outline DIMM,小尺寸双列直插内存,主要用于笔记本) 的形式插  在主板上使用。

在服务器领域,使用的内存条主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非缓冲双列直插内存)没有额外驱动电路,延时较小,但数据从CPU传到每个内存颗粒时,UDIMM需要保证CPU到每个内存颗粒之间的传输距离相等,设计难度较大,因此UDIMM在容量和频率上都较低,通常应用在性能/容量要求不高的场合。 DDR2/3/4 和 LPDDR2/3 的协议一致性测试和分析工具箱。北京DDR一致性测试一致性测试

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DDR地址、命令总线的一致性测试

DDR的地址、命令总线的信号完整性测试主要测试其波形和时序参数。地址总线An、 命令总线/RAS、/CAS、/WE、/CS需要测试的信号品质主要包括:Vmax (最大电压值);Vmin (小电压值);Overshoot (过冲)和Undershoot (下冲)的持续时间的大值;Slew Rate (斜率);Ringback (回沟)等。还需要测试相对于时钟边沿的Setup Time (建立时间)和Hold Time (保持时间)。建立时间和保持时间的定义如图7.134所示,其中加为建立时间,如为 保持时间,针对DDR400,加和如为0.7ns。


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