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DDR一致性测试基本参数
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DDR-致性测试探测和夹具

DDR的信号速率都比较高,要进行可靠的测量,通常推荐的探头连接方式是使用焊接式 探头。还有许多很难在PCB板上找到相应的测试焊盘的情况(比如釆用盲埋孔或双面BGA 焊接的情况),所以Agilent还提供了不同种类的BGA探头,通过对板子做重新焊接将BGA 的Adapter焊接在DDR的memory chip和PCB板中间,并将信号引出。DDR3的 BGA探头的焊接例子。

DDR是需要进行信号完整性测试的总线中复杂的总线,不仅走线多、探测困难,而且 时序复杂,各种操作交织在一起。本文分别从时钟、地址、命令、数据总线方面介绍信号完 整性一致性测试的一些要点和方法,也介绍了自动化测试软件和测试夹具,但是真正测试DDR 总线仍然是一件比较有挑战的事情。 DDR原理及物理层一致性测试;PCI-E测试DDR一致性测试保养

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DDR规范没有定义模板,这给用眼图方式分析信号时判断信号是否满足规范要求带来挑战。有基于JEDEC规范定义的,ds、,dh、-H(ac)min和rIL(ac)max参数,得出的DDR2533写眼图的模板,中间的区域就是模板,中间的线是DQS的有效边沿即有效的上升沿或下降沿。严格按规范来说的话,中间的模板应该定义为横着的梯形,因为保持时间是相对于DC参数的,不过用长方形可以定义一个更严格的参数要求。

DDR总线一致性测试对示波器带宽的要求

因为Jedec规范没有给岀DDR具体的快的上升、下降时间,通过预估的方式可以得岀 快的边沿时间,但是往往比实际要快,是基于实际PCB板材的情况得出的结果,有 了这个结果可计算出需要的示波器带宽。 PCI-E测试DDR一致性测试保养DDR测试信号问题排查;

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DDR简介与信号和协议测试

DDR/LPDDR简介

目前在计算机主板和各种嵌入式的应用中,存储器是必不可少的。常用的存储器有两 种: 一种是非易失性的,即掉电不会丢失数据,常用的有Flash(闪存)或者ROM(Read-Only Memory),这种存储器速度较慢,主要用于存储程序代码、文件以及长久的数据信息等;另 一种是易失性的,即掉电会丢失数据,常用的有RAM(Random Access Memory,随机存储 器),这种存储器运行速度较快,主要用于程序运行时的程序或者数据缓存等。图5.1是市 面上一些主流存储器类型的划分。

按照存储信息方式的不同,随机存储器又分为静态随机存储器SRAM(Static RAM)和 动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM运行速度较快、时延小、控制简单,但是 SRAM每比特的数据存储需要多个晶体管,不容易实现大的存储容量,主要用于一些对时 延和速度有要求但又不需要太大容量的场合,如一些CPU芯片内置的缓存等。DRAM的 时延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制电路相对复杂。但是由于DRAM每比特数据存储只需要一个晶体管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特点,目前已经成为大 容量RAM的主流,典型的如现在的PC、服务器、嵌入式系统上用的大容量内存都是DRAM。DDR5 接收机一致性和表征测试应用软件。

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以上只是 一 些进行DDR读/写信号分离的常用方法,根据不同的信号情况可以做选 择。对于DDR信号的 一 致性测试来说,用户还可以选择另外的方法,比如根据建立/保持 时间的不同进行分离或者基于CA信号突发时延的方法(CA高接下来对应读操作,CA低 接下来对应写操作)等,甚至未来有可能采用一些机器学习(Machine Learning)的方法对 读/写信号进行判别。读时序和写时序波形分离出来以后,就可以方便地进行波形参数或者 眼图模板的测量。

克劳德高速数字信号测试实验室 DDR2/3/4 和 LPDDR2/3 的协议一致性测试和分析工具箱。PCI-E测试DDR一致性测试保养

DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 设计与测试解决方案;PCI-E测试DDR一致性测试保养

工业规范标准,Specification:如果所设计的功能模块要实现某种工业标准接口或者协议,那一定要找到相关的工业规范标准,读懂规范之后,才能开始设计。

因此,为实现本设计实例中的DDR模块,需要技术资料和文档。

由于我们要设计DDR存诸模块,那么在所有的资料当中,应该较早了解DDR规范。通过对DDR规范文件JEDEC79R]的阅读,我们了解到,设计一个DDR接口,需要满足规范中规定的DC,AC特性及信号时序特征。下面我们从设计规范要求和器件本身特性两个方面来解读,如何在设计中满足设计要求。 PCI-E测试DDR一致性测试保养

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DDR 规范的 DC 和 AC 特性 对于任何一种接口规范的设计,首先要搞清楚系统中传输的是什么样的信号,也就是驱动器能发出什么样的信号,接收器能接受和判别什么样的信号,用术语讲,就是信号的DC和AC特性要求。 在DDR规范文件JEDEC79R2.pdf的第51页[TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDCOPERATINGCONDITIONS]中对DDR的DC有明确要求:VCC=+2.5V+0.2V,Vref=+1.25V±0.05V,VTT=Vref±0.04V. 在我们的实际设计中,除了要精确设计供电电源模块之外,还需要对整个电源系统...

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