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DDR一致性测试基本参数
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为了针对复杂信号进行更有效的读/写信号分离,现代的示波器还提供了很多高级的信号 分离功能,在DDR测试中常用的有图形区域触发的方法和基于建立/保持时间的触发方法。

图形区域触发是指可以用屏幕上的特定区域(Zone)定义信号触发条件。用 区域触发功能对DDR的读/写信号分离的 一 个例子。用锁存信号DQS信号触发可以看到 两种明显不同的DQS波形, 一 种是读时序的DQS波形,另 一 种是写信号的DQS波形。打 开区域触发功能后,通过在屏幕上的不同区域画不同的方框,就可以把感兴趣区域的DQS 波形保留下来,与之对应的数据线DQ上的波形也就保留下来了。 DDR原理及物理层一致性测试;江苏DDR一致性测试服务热线

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为了进行更简单的读写分离,Agilent的Infiniium系列示波器提供了一种叫作InfiniiScan 的功能,可以通过区域(Zone)定义的方式把读写数据可靠分开。

根据读写数据的建立保持时间不同,Agilent独有的InfiniiScan功能可以通过在屏幕上画 出几个信号必须通过的区域的方式方便地分离出读、写数据,并进一步进行眼图的测试。

信号的眼图。用同样的方法可以把读信号的眼图分离出来。

除了形成眼图外,我们还可以利用示波器的模板测量功能对眼图进行定量分析,

用户可以根据JEDEC的要求自行定义一个模板对读、写信号进行模板测试,如 果模板测试Fail,则还可以利用Agilent示波器提供的模板定位功能定位到引起Fail的波形段。 江苏DDR一致性测试服务热线DDR5 接收机一致性和表征测试应用软件。

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RDIMM(RegisteredDIMM,寄存器式双列直插内存)有额外的RCD(寄存器时钟驱动器,用来缓存来自内存控制器的地址/命令/控制信号等)用于改善信号质量,但额外寄存器的引入使得其延时和功耗较大。LRDIMM(LoadReducedDIMM,减载式双列直插内存)有额外的MB(内存缓冲,缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制等),在技术实现上并未使用复杂寄存器,只是通过简单缓冲降低内存总线负载。RDIMM和LRDIMM通常应用在高性能、大容量的计算系统中。

综上可见,DDR内存的发展趋势是速率更高、封装更密、工作电压更低、信号调理技术 更复杂,这些都对设计和测试提出了更高的要求。为了从仿真、测试到功能测试阶段保证DDR信号的波形质量和时序裕量,需要更复杂、更的仿真、测试和分析工具。


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工业标准总线一致性测量概述

高速数字系统使用了各种工业标准总线,对这些工业标准总线进行规范一致性测量是确 保系统工作稳定和可靠的关键点之一。“一致性”是对英文单词“Compliance”的中文解释, 美国把按工业标准规范进行的电气参数测量叫作一致性测量。

测试这些工业标准总线,完整和可靠的测试方案是非常重要的。完整的测试方案不仅保证测试准确度,还可以大量节省测试时间,提高工作效率。

工业标准总线完整的测试方案一般包括几部分:测试夹具;探头和附件;自动测试软件;测试仪器。 DDR4 和 LPDDR4 一致性测试软件。

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除了DDR以外,近些年随着智能移动终端的发展,由DDR技术演变过来的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也发展很快。LPDDR主要针对功耗敏感的应用场景,相 对于同一代技术的DDR来说会采用更低的工作电压,而更低的工作电压可以直接减少器 件的功耗。比如LPDDR4的工作电压为1. 1V,比标准的DDR4的1.2V工作电压要低一 些,有些厂商还提出了更低功耗的内存技术,比如三星公司推出的LPDDR4x技术,更是把 外部I/O的电压降到了0.6V。但是要注意的是,更低的工作电压对于电源纹波和串扰噪 声会更敏感,其电路设计的挑战性更大。除了降低工作电压以外,LPDDR还会采用一些额 外的技术来节省功耗,比如根据外界温度自动调整刷新频率(DRAM在低温下需要较少刷 新)、部分阵列可以自刷新,以及一些对低功耗的支持。同时,LPDDR的芯片一般体积更 小,因此占用的PCB空间更小。DDR DDR2 DDR3 DDR4 和 DDR5 内存带宽;江苏DDR一致性测试服务热线

DDR4/LPDDR4 一致性测试;江苏DDR一致性测试服务热线

DDR地址、命令总线的一致性测试

DDR的地址、命令总线的信号完整性测试主要测试其波形和时序参数。地址总线An、 命令总线/RAS、/CAS、/WE、/CS需要测试的信号品质主要包括:Vmax (最大电压值);Vmin (小电压值);Overshoot (过冲)和Undershoot (下冲)的持续时间的大值;Slew Rate (斜率);Ringback (回沟)等。还需要测试相对于时钟边沿的Setup Time (建立时间)和Hold Time (保持时间)。建立时间和保持时间的定义如图7.134所示,其中加为建立时间,如为 保持时间,针对DDR400,加和如为0.7ns。


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