DDR3(Double Data Rate 3)是一种常见的动态随机存取存储器(DRAM)标准,它定义了数据传输和操作时的时序要求。以下是DDR3规范中常见的时序要求:
初始时序(Initialization Timing)tRFC:内存行刷新周期,表示在关闭时需要等待多久才能开启并访问一个新的内存行。tRP/tRCD/tRA:行预充电时间、行开放时间和行访问时间,分别表示在执行读或写操作之前需要预充电的短时间、行打开后需要等待的短时间以及行访问的持续时间。tWR:写入恢复时间,表示每次写操作之间小需要等待的时间。数据传输时序(Data Transfer Timing)tDQSS:数据到期间延迟,表示内存控制器在发出命令后应该等待多长时间直到数据可用。tDQSCK:数据到时钟延迟,表示从数据到达内存控制器到时钟信号的延迟。tWTR/tRTW:不同内存模块之间传输数据所需的小时间,包括列之间的转换和行之间的转换。tCL:CAS延迟,即列访问延迟,表示从命令到读或写操作的有效数据出现之间的延迟。刷新时序(Refresh Timing)tRFC:内存行刷新周期,表示多少时间需要刷新一次内存行。 DDR3内存的一致性测试可以修复一致性问题吗?DDR测试DDR3测试USB测试

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition两个选项卡,Pin Mapping跟IBIS 规范定义的Pin Mapping 一样,它指定了每个管脚对应的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的对应关系;Bus Definition用来定义总线Bus和相关的时钟参考信号。对于包 含多个Component的IBIS模型,可以通过右上角Component T拉列表进行选择。另外,如果 提供芯片每条I/O 口和电源地网络的分布参数模型,则可以勾选Explicit IO Power and Ground Terminals选项,将每条I/O 口和其对应的电源地网络对应起来,以更好地仿真SSN效应,这 个选项通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。通信DDR3测试DDR测试如果DDR3一致性测试失败,是否需要更换整组内存模块?

DDRx接口信号的时序关系
DDR3的时序要求大体上和DDR2类似,作为源同步系统,主要有3组时序设计要求。 一组是DQ和DQS的等长关系,也就是数据和选通信号的时序;一组是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等长关系,也就是时钟和地址控制总线的关系;一组是CLK和DQS的关系, 也就是时钟和选通信号的关系。其中数据和选通信号的时序关系又分为读周期和写周期两个 方向的时序关系。
要注意各组时序的严格程度是不一样的,作为同组的数据和选通信号,需要非常严格的 等长关系。Intel或者一些大芯片厂家,对DQ组的等长关系经常在土25mil以内,在高速的 DDR3设计时,甚至会要求在±5mil以内。相对来说地址控制和时钟组的时序关系会相对宽松 一些,常见的可能有几百mil。同时要留意DQS和CLK的关系,在绝大多数的DDR设计里 是松散的时序关系,DDR3进行Fly-by设计后更是降低了 DQS和CLK之间的时序控制要求。
单击View Topology按钮进入SigXplorer拓扑编辑环境,可以按前面161节反射 中的实验所学习的操作去编辑拓扑进行分析。也可以单击Waveforms..按钮去直接进行反射和 串扰的布线后仿真。
在提取出来的拓扑中,设置Controller的输出激励为Pulse,然后在菜单Analyze- Preferences..界面中设置Pulse频率等参数,
单击OK按钮退出参数设置窗口,单击工具栏中的Signal Simulate进行仿真分析,
在波形显示界面里,只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看, 可以看到,差分时钟波形边沿正常,有一些反射。
原始设计没有接终端的电阻端接。在电路拓扑中将终端匹配的上拉电阻电容等电路 删除,再次仿真,只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看,可以看到, 时钟信号完全不能工作。 是否可以使用多个软件工具来执行DDR3内存的一致性测试?

还可以给这个Bus设置一个容易区分的名字,例如把这个Byte改为ByteO,这样就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS与Clock的总线关系设置好了。
重复以上操作,依次创建:DQ8〜DQ15、DM1信号;DQS1/NDQS1选通和时钟 CK/NCK的第2个字节Bytel,包括DQ16〜DQ23、DM2信号;DQS2/NDQS2选通和时钟 CK/NCK的第3个字节Byte2,包括DQ24〜DQ31、DM3信号;DQS3/NDQS3选通和时钟 CK/NCK的第4个字节Byte3。
开始创建地址、命令和控制信号,以及时钟信号的时序关系。因为没有多个Rank, 所以本例将把地址命令信号和控制信号合并仿真分析。操作和步骤2大同小异,首先新建一 个Bus,在Signal Names下选中所有的地址、命令和控制信号,在Timing Ref下选中CK/NCK (注意,不要与一列的Clock混淆,Clock列只对应Strobe信号),在Bus Type下拉框中 选择AddCmd,在Edge Type下拉框中选择RiseEdge,将Bus Gro叩的名字改为AddCmdo。 DDR3一致性测试是否可以修复一致性问题?通信DDR3测试DDR测试
为什么要进行DDR3一致性测试?DDR测试DDR3测试USB测试
双击PCB模块打开其Property窗口,切换到LayoutExtraction选项卡,在FileName处浏览选择备好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里选择PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator两种模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信号耦合,考虑非理想电源地的S参数模型;而使用SPEED2000Generator可以提取理想电源地情况下的非耦合信号的SPICE模型。前者模型提取时间长,但模型细节完整,适合终的仿真验证;后者模型提取快,SPICE模型仿真收敛性好,比较适合设计前期的快速仿真迭代。DDR测试DDR3测试USB测试
至此,DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮,在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释,连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,则也可以选择Updateo 设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。 On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大,特...