集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景:AI芯片能效比(Performance per Watt)成为核心竞争力,尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU,支持nA级静态电流与A级动态电流测量; 可捕获微秒级浪涌电流(Inrush Current)与电压塌陷(Voltage Droop); 支持FVMI/FIMV等模式,绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性(PI)与低功耗策略(如电源门控),打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本,抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级,测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力,使单颗芯片测试成本降低70%以上,测试效率呈指数级提升。为国产AI芯片大规模量产提供“超级测试流水线”,实现“测得快、卖得起、用得稳”。开放软件生态(GTFY + C++ + Visual Studio)——加速AI芯片创新迭代 背景:AI架构快速演进(如存算一体、类脑计算),需高度灵活的测试平台。开放编程环境支持自定义测试逻辑,高校与企业可快速开发新型测试方案。不仅是量产工具,更是科研创新的“开放实验台”,推动中国AI芯片从“跟随”走向“**”。国磊GT600支持20/24bit高分辨率AWG与Digitizer板卡,可用于高精度ADC/DAC的INL、DNL、SNR、THD等参数测试。吉安导电阳极丝测试系统供应

环境应力测试兼容性,部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊(Guolei)GT600支持与温控探针台/分选机联动,通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选(ESS)。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部,确保在-40℃~125℃范围内稳定运行,满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场,但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊(Guolei)GT600作为国产高性能ATE,已在部分国内MEMS厂商中部署,用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成本,更避免因国际供应链波动影响产能,助力构建“MEMS设计—制造—封装—测试”全链条自主可控生态。虽然国磊SoC测试机不直接测试MEMS的机械结构(如谐振频率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析仪),但它精细覆盖了MEMS产品中占比70%以上的电子功能测试环节。随着MEMS向智能化、集成化、高精度方向发展,其配套SoC/ASIC的复杂度将持续提升,对测试设备的要求也将水涨船高。国磊(Guolei)GT600凭借高精度、高灵活性与国产化优势,正成为支撑中国MEMS产业高质量发展的关键测试基础设施。PCB测试系统批发电源门控模块在唤醒时快速供电进入状态。GT600利用GT-TMUHA04测量从门控信号到模块输出有效信号的时间。

高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。
高精度模拟测试能力匹配MEMS信号链要求,MEMS传感器输出信号微弱(如微伏级电容变化或纳安级电流),对测试系统的本底噪声和分辨率要求极高。国磊(Guolei)GT600可选配的GT-AWGLP02 AWG板卡具备**-122dB THD**(总谐波失真)和110dB SNR(信噪比),能生成超纯净激励信号;同时其Digitizer支持20~24位采样,可精确捕获微弱响应。这种能力对于测试MEMS麦克风的灵敏度、压力传感器的满量程输出或磁力计的偏置稳定性至关重要。支持低功耗与宽电压范围测试 许多MEMS器件用于可穿戴设备、物联网节点等电池供电场景,对功耗极为敏感。国磊(Guolei)GT600的GT-DPSMV08电源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**输出,并具备每引脚**电源控制(PPMU),可精确测量待机/工作/休眠各模式下的电流(nA~mA级),验证MEMS-SoC是否满足ULP(**功耗)设计目标,这对通过终端产品能效认证(如Energy Star)具有直接价值。国磊GT600在电源门控测试中,通过其高精度测量能力与灵活测试架构,适配成熟到先进节点的工艺制程。

PPMU功能实现每引脚**电源管理测试 智能驾驶SoC通常包含多个电源域,以实现动态功耗管理。杭州国磊GT600每通道集成PPMU(每引脚参数测量单元),支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV四种工作模式,可**控制每个引脚的电压施加与电流测量。这一能力对于验证芯片在低功耗休眠、唤醒切换、电压骤降等场景下的行为至关重要。例如,在模拟车辆启动瞬间电源波动时,GT600可精确监测各电源域的电流响应,确保SoC不会因电源异常导致功能失效或安全风险。国磊GT600可测GPU类AI加速芯片如国产GPU(如风华)多电源域管理、显示接口、高精度ADC/DAC及低功耗模式。高性能绝缘电阻测试系统研发
国磊GT600支持循环执行睡眠-唤醒测试,实时采集功耗数据并自动生成报告,提升测试效率与可重复性。吉安导电阳极丝测试系统供应
1.高边沿精度保障高速接口时序合规性。现代智能驾驶SoC普遍集成PCIe、GMSL、FPD-LinkIII等高速串行接口,用于连接传感器与**计算单元。这些接口对信号边沿时序要求极为严苛。杭州国磊GT600具备100ps的向量边沿放置精度,能够精确模拟高速信号的上升/下降沿,并配合Digitizer板卡捕获实际输出波形,验证眼图、抖动与建立/保持时间是否符合协议规范。这种高精度时序控制能力,是确保车载高速通信链路稳定性的关键测试手段。开放式软件生态赋能定制化测试开发。杭州国磊GT600采用基于VisualStudio与C++的开放式GTFY编程环境,允许客户根据自身芯片特性开发定制化测试流程。对于智能驾驶芯片厂商而言,这意味着可将内部验证方法论(如ISO26262功能安全测试用例)直接嵌入测试程序,实现自动化安全机制验证。同时,图形化数据显示与用户管理界面便于测试工程师快速定位故障引脚或模块,大幅提升调试效率,缩短芯片迭代周期。 吉安导电阳极丝测试系统供应
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...