GEN高阻测试设备研发

科研创新的“开放平台” 在高校与科研院所，芯片研发需要高度灵活的测试环境。杭州国磊GT600的开放式GTFY系统支持C++/Python编程，研究人员可自由开发测试算法，验证新型架构（如存算一体、类脑芯片）。其16个通用插槽可接入自研测试板卡，实现定制化测量。128M向量深度支持复杂实验程序运行，避免频繁加载。杭州国磊GT600还支持探针台接口，便于对晶圆上裸片进行特性表征。在国产芯片从“模仿”到“创新”的转型中，杭州国磊GT600不仅是量产工具，更是科研探索的“开放实验台”，为下一代半导体技术的突破提供关键支持。国磊GT600高密度集成设计降低系统体积，适配探针台有限空间下的模拟晶圆测试（CP）应用。GEN高阻测试设备研发

Chiplet时代的“互联验证者” Chiplet（芯粒）技术通过将大芯片拆分为小芯片再集成，突破摩尔定律瓶颈，成为先进制程的重要方向。然而，小芯片间的高速互联（如UCIe）对信号完整性、功耗、时序提出极高要求。杭州国磊GT600凭借400MHz测试速率与100ps边沿精度，可精确测量Chiplet间接口的信号延迟与抖动。其高精度SMU可验证微凸块（Micro-bump）的供电稳定性，检测微小电压降。PPMU则用于测量封装后各芯粒的**功耗，确保能效优化。杭州国磊GT600的模块化设计也便于扩展，可针对不同芯粒配置**测试板卡。在Chiplet技术快速发展的***，杭州国磊GT600以高精度互联验证能力，为国产先进封装芯片的可靠性与性能保驾护航。广东高阻测试系统价格国磊GT600的SMU覆盖从高压IO（3.3V）到低电压he心（0.6V~1.2V）的多种电源域，适配不同节点供电要求。

杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色，其应用贯穿从研发验证到量产的全过程，精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先，国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU（参数测量单元）可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效，国磊GT600通过精密筛查，确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”，大幅提升产品早期可靠性。 其次，国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试（HTOL）中，国磊GT600可配合温控系统，在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上，验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统，验证电源管理单元（PMU）在电压波动、负载突变下的响应能力，防止“掉电重启”。

    杭州国磊（Guolei）SoC测试系统（以GT600为**）虽主要面向高性能系统级芯片（SoC）的数字与混合信号测试，但凭借其高精度模拟测量、灵活电源管理、高速数字接口验证及并行测试能力，能够有效支持多种MEMS（微机电系统）。以下是其具体支持的典型MEMS应用场景：1.惯性测量单元（IMU）IMU广泛应用于智能手机、无人机、AR/VR设备及智能驾驶系统，通常集成3轴加速度计+3轴陀螺仪（6DoF）甚至磁力计（9DoF）。其配套ASIC需完成微弱电容信号调理、Σ-ΔADC转换、温度补偿和SPI/I²C通信。杭州国磊（Guolei）支持点：利用24位高精度Digitizer板卡捕获nV~μV级模拟输出；通过TMU（时间测量单元）验证陀螺仪响应延迟与带宽；使用400MHz数字通道测试高速SPI接口时序（眼图、抖动）；PPMU每引脚**供电，精确测量各工作模式功耗。 当电源门控开关未完全关断时被关闭模块仍会产生异常漏电。国磊GT600通过PPMU测量被门控电源域的静态电流。

支撑国产芯片全流程自主验证 从设计到量产，芯片必须经过严格的功能与参数测试。若测试设备受制于人，不仅存在数据安全风险（如测试程序、芯片特性被第三方获取），还可能因设备兼容性问题拖慢研发节奏。国磊（Guolei）GT600采用开放式GTFY软件架构，支持C++编程、自定义测试流程，并兼容STDF、CSV等标准格式，使国产CPU、GPU、AI加速器、车规MCU等关键芯片可在完全自主可控的平台上完成工程验证与量产测试，确保“设计—制造—测试”全链条安全闭环。加速国产芯片生态成熟与迭代 供应链安全不仅在于“有无”，更在于“效率”与“响应速度”。国磊作为本土企业，可提供快速的技术支持、定制化开发和本地化服务。例如，某智能驾驶芯片厂商在流片后发现高速接口时序异常，国磊工程师可在48小时内协同优化TMU测试程序，而依赖国外设备则可能需数周等待远程支持。这种敏捷响应能力极大缩短了国产芯片的调试周期，加速产品上市，提升整个生态的竞争力与韧性。国磊GT600SoC测试机作为通用ATE平台，其测试能力由板卡配置与软件程序决定，而非绑定特定工艺。吉安导电阳极丝测试系统市场价格

外接偏置电压可达3000V，满足高压环境下的CAF试验要求。GEN高阻测试设备研发

    高通道密度（512~2048数字通道）——适配复杂AISoC引脚规模，现代AI芯片引脚数常超2000（如集成HBM堆栈、多核NPU、多电源域），传统测试设备通道不足。支持**多2048个数字通道，可一次性完成全引脚并行测试，避免分时复用导致的测试盲区。满足寒武纪、壁仞、华为昇腾等国产AI芯片的高集成度测试需求，助力其快速进入数据中心与边缘计算市场。超大向量深度（**高128M/通道）——实现真实AI负载场景回放，AI推理/训练涉及复杂算法流（如Transformer、CNN），需长时间、高覆盖率的功能验证。128M向量存储深度支持完整运行真实AI工作负载测试向量，捕获边界条件下的功能异常或功耗峰值。不仅验证逻辑功能，更能模拟实际应用场景，提升芯片可靠性，加速客户产品上市周期。 GEN高阻测试设备研发