每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引脚级”测量能力,让杭州国磊GT600成为芯片可靠性的“***守门人”。国磊GT600提供测试向量转换工具,支持从传统模拟测试平台迁移测试程序,降低工程师学习成本与导入周期。国产替代高阻测试系统哪家好

杭州国磊GT600提供高达128M的向量存储深度,相当于可存储1.28亿个测试步骤,这是保障复杂芯片测试完整性的关键。现代SoC的测试程序极为庞大,如AI芯片运行ResNet-50模型推理、手机SoC执行多任务调度、通信芯片处理完整5G协议栈,这些测试序列动辄数百万甚至上千万向量。若向量深度不足,测试机需频繁从硬盘加载数据,导致测试中断、效率骤降。杭州国磊GT600的128M深度可将整个测试程序一次性载入内存,实现“全速连续运行”,避免性能瓶颈。在工程调试阶段,长向量也便于复现偶发性失效。对于需要长时间稳定性测试的车规芯片,128M空间可容纳老化测试的完整循环序列。这一参数确保杭州国磊GT600能应对未来更复杂的芯片验证需求。广东高阻测试系统市价国磊GT600可用于执行电压裕量测试(VoltageMargining),评估芯片在电压波动下的稳定性。

杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色,其应用贯穿从研发验证到量产的全过程,精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先,国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU(参数测量单元)可精确测量nA级静态漏电流(Iddq),这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效,国磊GT600通过精密筛查,确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”,大幅提升产品早期可靠性。 其次,国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试(HTOL)中,国磊GT600可配合温控系统,在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上,验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统,验证电源管理单元(PMU)在电压波动、负载突变下的响应能力,防止“掉电重启”。
智能驾驶对高性能SoC芯片的依赖日益加深。随着L2+至L4级自动驾驶技术的快速演进,车载计算平台对SoC(系统级芯片)的性能、可靠性与实时性提出了前所未有的高要求。这些SoC通常集成了CPU、GPU、NPU、ISP及**AI加速单元,用于处理多传感器融合、路径规划与决策控制等复杂任务。然而,如此复杂的芯片架构对测试环节构成了巨大挑战。杭州国磊GT600 SoC测试机凭借高达400 MHz的测试速率、512至2048个数字通道以及每通道高达128M的向量存储深度,能够高效覆盖智能驾驶SoC在功能验证阶段所需的高并发、高精度测试场景,为芯片从设计到量产提供坚实保障。电压上升速度快,100V只需2毫秒!

在“双碳”目标与数据中心PUE限制日益严格的背景下,AI芯片的能效比(TOPS/W)已成为核心竞争力。GT600集成高精度PPMU(每引脚参数测量单元),支持从nA级静态漏电到数安培动态电流的全范围测量,并具备微秒级瞬态响应能力,可精细捕捉电压塌陷、浪涌电流等关键电源事件。这一能力使芯片设计团队能在测试阶段绘制详细的功耗-性能曲线,优化电源门控策略、时钟门控逻辑及低功耗模式切换机制。对追求***能效的国产AI加速器而言,GT600不仅是验证工具,更是“每瓦特算力”的精算师,助力中国AI芯片在全球绿色计算浪潮中占据先机。国磊GT600SoC测试机可选配GT-TMUHA04板卡,提供10ps时间分辨率与0.1%测量精度,用于HBM接口时序对齐测试。赣州PCB测试系统哪家好
国磊GT600可配置GT-DPSMV08电源板卡,提供-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力,覆盖多种模拟IC的供电测试场景。国产替代高阻测试系统哪家好
低温CMOS芯片的常温预筛与参数表征。许多用于量子计算的控制芯片需在毫开尔文温度下工作,但其制造仍基于标准CMOS工艺。在封装并送入稀释制冷机前,必须通过常温下的严格电性测试进行预筛选。国磊(Guolei)GT600支持每引脚PPMU(参数测量单元)和可编程浮动电源(-2.5V~7V),能精确测量微弱电流、漏电及阈值电压漂移等关键参数,有效剔除早期失效器件,避免昂贵的低温测试资源浪费。量子测控SoC的量产验证平台 随着量子计算机向百比特以上规模演进,集成化“量子测控SoC”成为趋势(如Intel的Horse Ridge芯片)。这类芯片集成了多通道微波信号调制、频率合成、反馈控制等功能,结构复杂度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行测试能力、128M向量深度及400MHz测试速率,完全可满足此类**SoC在工程验证与小批量量产阶段的功能覆盖与性能分bin需求。国产替代高阻测试系统哪家好
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...