企业商机
测试系统基本参数
  • 品牌
  • 国磊
  • 型号
  • 齐全
测试系统企业商机

    MEMS麦克风消费电子中***采用的数字/模拟MEMS麦克风,内部包含声学传感MEMS结构与低噪声前置放大器ASIC。关键指标包括灵敏度、信噪比(SNR)、总谐波失真(THD)和AOP(声学过载点)。杭州国磊(Guolei)支持点:GT-AWGLP02AWG板卡生成纯净1kHz正弦激励(THD<-122dB);高分辨率Digitizer采集输出信号,计算SNR与THD;支持I²S/PDM等数字音频接口协议测试;可进行多颗麦克风并行测试(512Sites),满足手机厂商大批量需求。压力传感器(气压/差压/***压力)用于可穿戴健康监测(如血氧估算)、汽车胎压监测(TPMS)、工业过程控制等。其ASIC需处理pF级电容变化,并具备温度补偿与校准功能。杭州国磊(Guolei)支持点:PPMU施加精确偏置电压并测量微安级工作电流;AWG模拟不同压力对应的电容激励信号;Digitizer采集校准后数字输出(如I²C读数),验证线性度与零点漂移;支持高低温环境下的参数漂移测试(配合温控分选机)。 GM8800是进行PCB板CAF(导电阳极丝)测试的理想选择!CAF测试系统价位

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    测试数据闭环助力量子芯片协同优化,杭州国磊(Guolei)GT600支持STDF、CSV等格式输出,并具备数据分析与图形化显示功能。这些测试数据可与量子芯片的设计仿真平台联动,形成“测试—反馈—优化”闭环。例如,若某批次控制芯片的相位噪声超标,可反向指导量子比特布局或滤波器设计,提升整体系统相干时间。国产化替代保障量子科技供应链安全量子技术属于国家战略科技力量,其**装备的自主可控至关重要。杭州国磊(Guolei)作为国产**ATE厂商,其GT600系统已实现对国际同类设备(如Advantest、Teradyne)部分功能的替代。在量子科研机构或企业构建本土化测控生态时,采用国产测试平台可降低技术封锁风险,加速从实验室原型到工程化产品的转化。虽然杭州国磊(Guolei)GT600并非直接用于测量量子态或操控量子比特,但作为支撑量子系统“经典侧”电子学的**测试基础设施,它在量子芯片外围电路验证、控制SoC量产、供应链安全等方面具有不可替代的价值。未来,随着“量子-经典混合系统”复杂度提升,高性能SoC测试设备与量子科技的耦合将更加紧密。因此,杭州国磊的SoC测试系统不仅是半导体产业的利器,也正在成为量子科技产业化进程中的一块关键拼图。 国产替代GEN3测试系统供应商国磊GT600SoC测试机可选配GT-TMUHA04板卡,提供10ps时间分辨率与0.1%测量精度,用于HBM接口时序对齐测试。

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    对国产车而言,其自研车规级MCU(微控制器)与功率半导体是智能汽车“大脑”与“肌肉”的**,必须通过AEC-Q100、AEC-Q101等汽车行业**严苛的可靠性认证,确保在-40℃~150℃极端温度、高湿、强振动、长期高负载等恶劣环境下仍能稳定运行十年以上。国磊GT600SoC测试机正是这一“车规级体检”的关键设备。其每通道PPMU(精密参数测量单元)可精细测量nA级静态漏电流(Iddq),识别芯片内部微小缺陷或工艺波动导致的“潜伏性失效”,从源头剔除“体质虚弱”的芯片;同时支持引脚级开路/短路测试,确保封装无瑕疵。更关键的是,国磊GT600可选配浮动SMU电源板卡,能灵活模拟车载12V/24V供电系统,验证MCU在电压波动、负载突变等真实工况下的电源管理能力,防止“掉电重启”或“逻辑错乱”。此外,国磊GT600支持高温老化测试(Burn-in)接口,可配合温控系统进行早期失效筛选,大幅提升车载芯片的长期可靠性。在汽车“缺芯”与“安全至上”的双重背景下,国磊GT600可以为国产车构建从研发到量产的高可靠测试闭环,守护每一程出行安全。

    GT600SoC测试机在测试高可靠性产品(如车规芯片、工业级MCU、航天电子、医疗设备芯片)时,展现出精度、***性、稳定性与可追溯性四大**优势,确保产品在极端环境下长期稳定运行。首先,高精度参数测量是可靠性的基石。GT600配备每通道PPMU(参数测量单元),可精确测量nA级静态漏电流(Iddq),识别因制造缺陷导致的微小漏电或潜在短路。这种“亚健康”芯片在常温下可能功能正常,但在高温或长期使用后极易失效。GT600通过精密筛查,提前剔除隐患,大幅提升产品早期失效率(InfantMortality)的控制能力。其次,支持***的可靠性测试项目。GT600可配合温控系统进行高温老化测试(Burn-in),在高温高压下运行芯片数百小时,加速暴露早期缺陷。其浮动SMU电源板卡能模拟车载12V/24V或工业设备的复杂电源环境,验证芯片在电压波动、负载突变下的稳定性。对于通信类高可靠产品,高精度TMU(10ps分辨率)可检测信号时序漂移,确保长期通信无误码。再次,高稳定性与长周期测试能力。GT600硬件设计冗余,散热优良,支持7x24小时连续运行,可执行长达数周的耐久性测试,模拟产品十年生命周期。128M向量深度确保长周期测试程序不中断,数据完整。***,数据可追溯性强。 电源门控模块在唤醒时快速供电进入状态。GT600利用GT-TMUHA04测量从门控信号到模块输出有效信号的时间。

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    国产手机自研芯片体系——包括手机SoC(如麒麟系列)、服务器芯片(如鲲鹏)、AI加速芯片(如昇腾Ascend)——不仅是产品竞争力的**,更是中国半导体自主可控的战略支点。这些芯片高度集成、性能***、功耗敏感,对测试设备的全面性、精度、效率和灵活性提出前所未有的挑战。国磊GT600SoC测试机,正是为这类**国产芯片量身打造的“全能考官”。国磊GT600不仅能验证手机SoC的CPU/GPU的基础逻辑功能,更能通过可选配的AWG(任意波形发生器),模拟真实世界的模拟信号,精细测试ISP图像处理单元对摄像头输入信号的响应质量,确保拍照清晰、色彩准确;通过高精度TMU(时间测量单元,精度达10ps),验证5G基带芯片的信号时序与抖动,保障通信稳定低延迟;通过每通道PPMU,检测NPU在待机与高负载下的微小漏电流,确保AI算力强劲的同时功耗可控。 实时电流监测与快速数据采集,完整掌握电化学反应过程。多通道 SIR/CAF 实时监控测试设备

电阻测量范围10⁶–10¹⁴Ω,满足高阻值测试需求,数据准确可靠。CAF测试系统价位

集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景:AI芯片能效比(Performance per Watt)成为核心竞争力,尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU,支持nA级静态电流与A级动态电流测量; 可捕获微秒级浪涌电流(Inrush Current)与电压塌陷(Voltage Droop); 支持FVMI/FIMV等模式,绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性(PI)与低功耗策略(如电源门控),打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本,抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级,测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力,使单颗芯片测试成本降低70%以上,测试效率呈指数级提升。为国产AI芯片大规模量产提供“超级测试流水线”,实现“测得快、卖得起、用得稳”。开放软件生态(GTFY + C++ + Visual Studio)——加速AI芯片创新迭代 背景:AI架构快速演进(如存算一体、类脑计算),需高度灵活的测试平台。开放编程环境支持自定义测试逻辑,高校与企业可快速开发新型测试方案。不仅是量产工具,更是科研创新的“开放实验台”,推动中国AI芯片从“跟随”走向“**”。CAF测试系统价位

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每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...

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