杭州国磊(Guolei)SoC测试系统(以GT600为**)虽主要面向高性能系统级芯片(SoC)的数字与混合信号测试,但凭借其高精度模拟测量、灵活电源管理、高速数字接口验证及并行测试能力,能够有效支持多种MEMS(微机电系统)。以下是其具体支持的典型MEMS应用场景:1.惯性测量单元(IMU)IMU广泛应用于智能手机、无人机、AR/VR设备及智能驾驶系统,通常集成3轴加速度计+3轴陀螺仪(6DoF)甚至磁力计(9DoF)。其配套ASIC需完成微弱电容信号调理、Σ-ΔADC转换、温度补偿和SPI/I²C通信。杭州国磊(Guolei)支持点:利用24位高精度Digitizer板卡捕获nV~μV级模拟输出;通过TMU(时间测量单元)验证陀螺仪响应延迟与带宽;使用400MHz数字通道测试高速SPI接口时序(眼图、抖动);PPMU每引脚**供电,精确测量各工作模式功耗。 国磊GT600高密度集成设计降低系统体积,适配探针台有限空间下的模拟晶圆测试(CP)应用。定制化高性能SIR测试设备

兼容探针台与分选机,打通晶圆到封装测试链路。智能驾驶芯片需经历晶圆测试(CP)与封装测试(FT)双重验证。杭州国磊GT600支持GPIB、TTL等标准接口,可无缝对接主流探针台与分选机设备,实现从裸片到成品的全流程自动化测试。尤其在高温、低温等车规级应力测试条件下,杭州国磊GT600的小型化、低功耗设计有助于在温控腔体内稳定运行,确保测试数据的一致性与可重复性,为芯片通过AEC-Q100认证提供可靠数据支撑。国产**测试设备助力智能驾驶产业链自主可控在全球半导体供应链紧张与技术封锁背景下,国产高性能测试设备的战略意义凸显。杭州国磊GT600作为国内少有的支持2048通道、400MHz速率的SoC测试机,已获得行业专业客户认可,标志着我国在**ATE领域取得突破。对于智能驾驶这一关乎国家交通安全与科技**的关键赛道,采用国磊GT600不仅可降低对国外测试设备的依赖,更能通过本地化技术支持快速响应芯片厂商的定制需求,加速中国智能驾驶芯片生态的自主化与全球化进程。 国产替代SIR测试系统批发先进节点(如28nm及以下)漏电更敏感,国磊GT600的PPMU可测nA级电流,满足FinFET等工艺的低功耗验证需求。

杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色,其应用贯穿从研发验证到量产的全过程,精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先,国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU(参数测量单元)可精确测量nA级静态漏电流(Iddq),这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效,国磊GT600通过精密筛查,确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”,大幅提升产品早期可靠性。 其次,国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试(HTOL)中,国磊GT600可配合温控系统,在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上,验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统,验证电源管理单元(PMU)在电压波动、负载突变下的响应能力,防止“掉电重启”。
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引脚级”测量能力,让杭州国磊GT600成为芯片可靠性的“***守门人”。从实验室验证到量产测试,我们提供全流程支持。

高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。国磊GT600测试机搭载GTFY软件系统,支持C++编程与VisualStudio开发环境,便于工程师深度定制测试逻辑。湖州导电阳极丝测试系统市场价格
国磊GT600每通道集成PPMU,支持nA级电流分辨率,可精确测量SoC在睡眠、深度睡眠(或关断模式下静态漏电流。定制化高性能SIR测试设备
高通道密度(512~2048数字通道)——适配复杂AISoC引脚规模,现代AI芯片引脚数常超2000(如集成HBM堆栈、多核NPU、多电源域),传统测试设备通道不足。支持**多2048个数字通道,可一次性完成全引脚并行测试,避免分时复用导致的测试盲区。满足寒武纪、壁仞、华为昇腾等国产AI芯片的高集成度测试需求,助力其快速进入数据中心与边缘计算市场。超大向量深度(**高128M/通道)——实现真实AI负载场景回放,AI推理/训练涉及复杂算法流(如Transformer、CNN),需长时间、高覆盖率的功能验证。128M向量存储深度支持完整运行真实AI工作负载测试向量,捕获边界条件下的功能异常或功耗峰值。不仅验证逻辑功能,更能模拟实际应用场景,提升芯片可靠性,加速客户产品上市周期。 定制化高性能SIR测试设备
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...