当前,AI大模型与高性能计算正以前所未有的速度推动HBM(高带宽存储器)技术爆发式增长。HBM3、HBM3E成为英伟达、AMD、华为等巨头AI芯片的标配,全球需求激增,市场缺口持续扩大。然而,HBM不**改变了芯片架构,更对后端测试提出了前所未有的挑战——高引脚数、高速接口、复杂时序与电源完整性要求,使得传统测试设备难以胜任。国磊GT600测试机应势而生,专为应对HBM时代**SoC测试难题而设计。它不是直接测试HBM芯片,而是**服务于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能验证与量产测试,成为国产**ATE在HBM浪潮中的关键支撑力量,助力中国芯突破“内存墙”背后的“测试墙”。低功耗SoC应用于物联网、可穿戴设备等高量产场景。国磊GT600支持512Sites并行测试,降低芯片的测试成本。国磊绝缘电阻测试系统供应

高精度模拟测试满足车规级信号完整性要求 智能驾驶系统高度依赖毫米波雷达、摄像头、激光雷达等传感器输入,其前端模拟信号链对噪声、失真和时序精度极为敏感。杭州国磊GT600配备的GT-AWGLP02 AWG板卡具备-122dB THD与110dB SNR指标,可精细生成高质量模拟激励信号;而GT-TMUHA04时间测量单元则提供10ps分辨率与时序误差*±10ps的测量能力。这些高精度模拟与混合信号测试功能,使得GT600能够***验证AD/DA转换器、高速SerDes接口及电源管理模块在极端工况下的性能表现,确保智能驾驶SoC在真实道路环境中稳定可靠运行。浙江CAF测试系统定制国磊GT600可用于执行电压裕量测试(VoltageMargining),评估芯片在电压波动下的稳定性。

面对国产手机芯片动辄数千万乃至上亿颗的年出货量,传统“单颗或小批量测试”模式早已无法满足产能与成本需求。国磊GT600凭借512站点并行测试能力,开创“集体考试”新模式——512颗芯片同步上电、同步输入测试向量、同步采集响应、同步判定Pass/Fail,测试效率呈指数级提升。这不仅将单位时间产出提高数十倍,更大幅缩短新品从试产到大规模铺货的周期,抢占市场先机。更重要的是,测试成本(CostofTest)是芯片总成本的重要组成部分。据半导体行业经验数据,同测数(ParallelTestSites)每翻一倍,单颗芯片测试成本可下降30%~40%。国磊GT600的512站点能力,相较传统32或64站点设备,成本降幅可达70%以上,为国产手机SoC在激烈市场竞争中赢得价格优势。国磊GT600以“高速(400MHz)+高密度(512通道)+高并行(512Sites)”三位一体架构,构建起支撑国产**芯片量产的“超级测试流水线”,可以让中国芯不仅“造得出”,更能“测得快、卖得起、用得稳”。
国产替代的“自主基石” 在美国对华**半导体设备禁运的背景下,国产测试机成为“卡脖子”环节的突围重点。杭州国磊GT600作为国产**SoC测试平台,支持C++编程、Visual Studio开发环境,软件系统开放可控,避免依赖国外“黑盒子”软件。其硬件架构灵活,16个通用插槽可适配国产探针台、分选机,实现全链路本土化集成。交期短、响应快、可定制,满足华为、比亚迪等企业对供应链安全与数据保密的严苛要求。杭州国磊GT600的出现,标志着中国在**测试设备领域从“跟跑”向“并跑”迈进。它不仅是工具,更是中国半导体产业链自主可控战略的“隐形支柱”,为国产芯片的持续创新提供坚实底座。国磊GT600每通道集成PPMU,支持HBM相关I/O引脚的漏电流(Leakage)、VIH/VIL、VOH/VOL等DC参数测量。

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡,每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域(如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG)的SoC,GT600可为每个域分配**SMU通道,实现各电源域**上电/断电、不同电压值(如1.8V、1.2V、0.9V)同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电(如先VDD_IO,后VDD_CORE)以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间,精确设置各域电压的上升延迟(精度达ms级),验证SoC在正确与错误时序下的行为,确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗,可用于识别某电源域的异常功耗(如漏电、短路)、分析不同工作模式(运行、睡眠、唤醒)下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压(如±5%波动),测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性,评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源(如高压模拟域),可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块,实现与GT600内部SMU的同步操作,构建完整的多电源域测试系统。内置多重报警功能,为您的测试安全保驾护航。福州PCB测试系统按需定制
国磊GT600支持循环执行睡眠-唤醒测试,实时采集功耗数据并自动生成报告,提升测试效率与可重复性。国磊绝缘电阻测试系统供应
GT600SoC测试机在测试高可靠性产品(如车规芯片、工业级MCU、航天电子、医疗设备芯片)时,展现出精度、***性、稳定性与可追溯性四大**优势,确保产品在极端环境下长期稳定运行。首先,高精度参数测量是可靠性的基石。GT600配备每通道PPMU(参数测量单元),可精确测量nA级静态漏电流(Iddq),识别因制造缺陷导致的微小漏电或潜在短路。这种“亚健康”芯片在常温下可能功能正常,但在高温或长期使用后极易失效。GT600通过精密筛查,提前剔除隐患,大幅提升产品早期失效率(InfantMortality)的控制能力。其次,支持***的可靠性测试项目。GT600可配合温控系统进行高温老化测试(Burn-in),在高温高压下运行芯片数百小时,加速暴露早期缺陷。其浮动SMU电源板卡能模拟车载12V/24V或工业设备的复杂电源环境,验证芯片在电压波动、负载突变下的稳定性。对于通信类高可靠产品,高精度TMU(10ps分辨率)可检测信号时序漂移,确保长期通信无误码。再次,高稳定性与长周期测试能力。GT600硬件设计冗余,散热优良,支持7x24小时连续运行,可执行长达数周的耐久性测试,模拟产品十年生命周期。128M向量深度确保长周期测试程序不中断,数据完整。***,数据可追溯性强。 国磊绝缘电阻测试系统供应
每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引...